GaAs光电导探测器

研究了一种双微带结构的GaAs光电导探测器的性能,测量了本征GaAs探测器和经过1．6MeV电子辐照的探测器的x脉冲响应,并对其响应时间,后沿下降时间,半高宽（FWHM）进行对比研究,结果显示经电子辐照后的探测器的性能得到了明显的提高。     

晶体生长用TiO2纳米晶的改良工艺研究

针对晶体生长的具体应用,分别以硫酸氧钛铵（ATS）和改良硫酸氧钛铵（M－ATS）为原料,采用高温焙烧法制备了TiO2纳米晶,用XRD分析了原料和纳米晶的物相,用SEM分析了纳米晶的形貌,结果表明虽然两种原料具有相似的物相结构,但所得纳米晶的性状不同,M－ATS焙烧所得纳米晶分散性更高,均匀性更好,此外,研究了焙烧温度,保温时间,急烧,缓烧等工艺条件对纳米晶形貌,物相的影响,并给出了批量制备TiO2纳米晶粉体的最佳工艺条件。     

过渡金属Cr掺杂对金红石光性影响的研究

报道了采用高温扩散掺杂敏化法在金红石晶体表面掺入Cr离子、有效提高可见光响应的研究结果,分别利用UV－VIS、XFA、XRD和LRS等测试手段对样品进行了分析。结果表明Cr离子掺入晶体表面后以Cr2O3的形式与基体TiO2形成固溶体Cr2TiO5,提高了可见波段的光吸收,使原来位于410nm的TiO2的吸收边移到了750nm处,实现了与太阳光谱的匹配。     

晶体生长用TiO2纳米晶的改良工艺研究

针对晶体生长的具体应用,分别以硫酸氧钛铵(ATS)和改良硫酸氧钛铵(M-ATS)为原料,采用高温焙烧法制备了TiO     

无机敏化对金红石光吸收特性的影响

用过渡金属氧化物对金红石单晶作无机敏化处理,用UV－VIS,XFA,XRD和LRS等测试方法分析敏化前后的金红石单晶,研究无机敏化对金红石单晶光吸收特性的影响,结果表明,Cr,Mn氧化物的敏化使金红石的本征吸收边红移,Co,Fe,V氧伦物的敏化使吸收边的尾部抬高,Cr离子与基质晶体形成了固溶体Cr2TiO5是吸收边红移的原因,Cr2TiO5在可见波段有光吸收,敏化样品的吸收边正是固溶体的吸收边。     

制备过程中对VO2薄膜热致相变光电性能的控制

本文利用真空还原Ｖ２Ｏ５的方法制备出优质对ＶＯ２薄膜;研究了不同真空还原时间ＶＯ２薄膜热致相变过程中光电性能的影响;利用ＸＰＳ、ＸＲＤ对薄膜的化学状态和结晶状态进行了研究。制备的薄膜高／低 电阻变化最大达到三个数量级,９００ｎｍ处的光学透过率在相变前后改变了４０％左右,热致相变性能优良。讨论了不同的真空还原时间下ＶＯ２薄膜热滞回线的宽度、相变温度点以及高低温光透射性能。最后给出了最佳真空还原时间。     

Ti-2Al-2.5Zr合金N+离子注入表面XPS和XRD分析

Ti-2Al-2.5Zr合金中注入能量为75keV的N+离子, 注入剂量为3×1017/cm2和8×1017/cm2, 注入过程样品的温度低于200℃. N+离子在Ti-2Al-2.5Zr合金中的射程借助TRIM 96程序计算为1222. 注入后的样品用X射线衍射方法(XRD)以及光电子能谱方法(XPS)进行分析. XRD衍射谱表明有新相生成, 经分析为TiN和TiO2, 但这些新相的峰非常微弱, 很难区分. XPS宽程扫描谱表明注入后样品表面主要为Ti, C, N和O. XPS关于Ti2p和N1s窄程扫描谱表明N+离子注入后在合金表面确实形成了TiN和TiO2.     

带门极双层Si-δ-掺杂GaAs中的奇特非线性耗尽

报道了带门极双层Si-δ-掺杂GaAs样品中的二维电子系统Hall效应的低温测量实验,观察到了电子耗尽过程中电子浓度与门电压的奇特、复杂的非线性关系.根据双电容器(由两个δ-掺杂二维电子层和一个金属门电极构成)模型的假设和在双对数坐标中电子迁移率与电子浓度呈线性关系的实验结果,解释了这一非线性耗尽现象.     

带门极双层Si-δ-掺杂GaAs中的奇特非线性耗尽

报道了带门极双层 Si-δ-掺杂 Ga As样品中的二维电子系统 Hall效应的低温测量实验 ,观察到了电子耗尽过程中电子浓度与门电压的奇特、复杂的非线性关系 .根据双电容器 (由两个δ-掺杂二维电子层和一个金属门电极构成 )模型的假设和在双对数坐标中电子迁移率与电子浓度呈线性关系的实验结果 ,解释了这一非线性耗尽现象 .     

通过测量裂变碎片的γ射线研究中子测量技术

描述了通过测量裂变碎片的γ射线来研究测量中子的方法。＾２３８Ｕ薄片的裂变碎片由聚脂膜俘获,其γ射线由ＮｉＩ（Ｔ１）探测器测量。在不同系统上测量了中子,测量结果与用裂变室的测量结果一致。分析和讨论了实验结果。