Si基体上双层Ti－O薄膜的XPS和AES分析研究

采用沉积－离子轰击－沉积工艺制备了双层Ｔｉ－Ｏ薄膜，并利用ＸＰＳ和ＡＥＳ对膜层进行了深度分析．结果发现：在氩离子轰击后的薄膜上再沉积同质薄膜，在膜表层一定厚度内可得到具有化学配比的ＴｉＯ２薄膜；氩离子的轰击使钛及碳氧化物内迁入Ｓｉ基体，而Ｓｉ外迁到膜内，并造成多价形式的Ｔｉ氧化物共存，ＴｉＯ２在这些Ｔｉ氧化物中所占的比例随沉积膜深度呈现先逐渐减少而后又逐渐增大的分布规律；此外，氩离子的轰击使得薄膜与基体在界面处形成较宽的、复杂的混合层．混合层主要由ＴｉＯ２、Ｔｉ２Ｏ３、ＴｉＯ、未氧化完全的ＳｉＯ２－ｘ及纯Ｓｉ组成。     

掺Er3+离子Mg-Al尖晶石晶体光谱性质分析

实验给出了掺Er3+:Mg-Al尖晶石晶体的吸收谱、荧光谱和激发谱,确定了Er3+离子在Mg-Al尖晶石晶体中的能级位置。用Judd Ofelt理论计算得到了掺Er3+:Mg-Al尖晶石晶体的光谱特性参数。最后对该掺杂晶体出光的可能性进行了分析。     

铍中的反应率测量和分析

用４种不同阈能的活化箔测量和比较了两种铍系统中的绝对活化反应率。铍厚分别为５．３和８．４ｃｍ,,活化箔为Ｉｎ,Ｚｎ,Ａｌ和Ｃｕ,实验总２为５％－７％,分析和比较了实验结果与用１－ＤＡＮＩＳＮ程序和ＥＮＤＦ－Ｂ／Ⅵ库数据的计算结果,两者间的偏差均小于７％。     

氧等离子体清洗对sol-gel薄膜透过率的影响

利用高频激发氧等离子体对sol—gel薄膜（旋转单面单层SiO2膜）进行清洗处理,并对清洗前后的样品进行时间不等的处理,发现样品在清洗后,透过率曲线向短波长方向移动,并且透过率峰值增加。随着存放时间的变化,透过率曲线也变化。在存放20天后膜层透过率曲线峰值和位置不再变化。     

热处理及训练对NiTi形状记忆合金弹簧双向记快效应的影响

形状记忆合金作为双程驱动元件时通常是与一偏压元件同时使用来实现双程驱动[1,2].本文通过不同热处理制度对TiNi形状记忆合金的弹簧相变点和形状恢复率的影响以及训练次数对形状恢复率的影响研究,以期获得性能良好的双向记忆合金弹簧单独作为双向驱动元件的最佳处理条件.结果表明经450℃热处理并经过20次训练得到的TiNi形状记忆合金弹簧是最优的.