电子束控制放电CO_2激光器用于半导体诱导掺杂的研究

电子束控制放电CO_2激光器的脉冲能量是～50J,光斑直径为～φ60mm,聚焦后光斑直径为～φ20mm,用该激光器在硅中诱导掺入杂质锑和铝,得到了浅突变p-n结。结的大小为直径φ10～15mm,最大为φ20mm,结深为0.2～0.7μm,并具有～500mV的光生电压。     

Si基体上双层Ti－O薄膜的XPS和AES分析研究

采用沉积－离子轰击－沉积工艺制备了双层Ｔｉ－Ｏ薄膜，并利用ＸＰＳ和ＡＥＳ对膜层进行了深度分析．结果发现：在氩离子轰击后的薄膜上再沉积同质薄膜，在膜表层一定厚度内可得到具有化学配比的ＴｉＯ２薄膜；氩离子的轰击使钛及碳氧化物内迁入Ｓｉ基体，而Ｓｉ外迁到膜内，并造成多价形式的Ｔｉ氧化物共存，ＴｉＯ２在这些Ｔｉ氧化物中所占的比例随沉积膜深度呈现先逐渐减少而后又逐渐增大的分布规律；此外，氩离子的轰击使得薄膜与基体在界面处形成较宽的、复杂的混合层．混合层主要由ＴｉＯ２、Ｔｉ２Ｏ３、ＴｉＯ、未氧化完全的ＳｉＯ２－ｘ及纯Ｓｉ组成。     

掺Er3+离子Mg-Al尖晶石晶体光谱性质分析

实验给出了掺Er3+:Mg-Al尖晶石晶体的吸收谱、荧光谱和激发谱,确定了Er3+离子在Mg-Al尖晶石晶体中的能级位置。用Judd Ofelt理论计算得到了掺Er3+:Mg-Al尖晶石晶体的光谱特性参数。最后对该掺杂晶体出光的可能性进行了分析。     

热处理及训练对NiTi形状记忆合金弹簧双向记快效应的影响

形状记忆合金作为双程驱动元件时通常是与一偏压元件同时使用来实现双程驱动[1,2].本文通过不同热处理制度对TiNi形状记忆合金的弹簧相变点和形状恢复率的影响以及训练次数对形状恢复率的影响研究,以期获得性能良好的双向记忆合金弹簧单独作为双向驱动元件的最佳处理条件.结果表明经450℃热处理并经过20次训练得到的TiNi形状记忆合金弹簧是最优的.     

真空还原制备的VO2热致相变薄膜Raman光谱和红外光谱研究

报道了利用真空还原制备的VO2薄膜的红外透射光谱和Raman光谱,并进行370－900nm波段的光透射测试以及900nm波长的热滞回线特性测试,表明所制备VO2薄膜具有优良的热致相变光学特性,结晶状态不同的薄膜其Raman谱位置有明显改变,室温时的红外光谱表现出较好的红外振动特性。讨论了薄膜结晶状态对Raman位移的影响以及VO2薄膜的红外光谱。