带门极双层Si-δ-掺杂GaAs中的奇特非线性耗尽

报道了带门极双层 Si-δ-掺杂 Ga As样品中的二维电子系统 Hall效应的低温测量实验 ,观察到了电子耗尽过程中电子浓度与门电压的奇特、复杂的非线性关系 .根据双电容器 (由两个δ-掺杂二维电子层和一个金属门电极构成 )模型的假设和在双对数坐标中电子迁移率与电子浓度呈线性关系的实验结果 ,解释了这一非线性耗尽现象 .     

晶体生长用TiO2纳米晶的改良工艺研究

针对晶体生长的具体应用,分别以硫酸氧钛铵（ATS）和改良硫酸氧钛铵（M－ATS）为原料,采用高温焙烧法制备了TiO2纳米晶,用XRD分析了原料和纳米晶的物相,用SEM分析了纳米晶的形貌,结果表明虽然两种原料具有相似的物相结构,但所得纳米晶的性状不同,M－ATS焙烧所得纳米晶分散性更高,均匀性更好,此外,研究了焙烧温度,保温时间,急烧,缓烧等工艺条件对纳米晶形貌,物相的影响,并给出了批量制备TiO2纳米晶粉体的最佳工艺条件。     

光纤非线性效应中孤子传输稳定性的分析

要抑制Gordon-Haus效应引起的光孤子脉冲到达时间的抖动,在光通信系统中插入窄带滤波器,以补偿窄带滤波器的损耗,其额外的线性增益会放大与孤子链同时存在的线性波,导致背景的不稳定。如果光的强度足够强,光纤中会产生非线性增益,利用这种效应,不需要补偿窄带滤波器的损耗,而使孤子实现稳定传输。从理论上研究了光纤具有非线性增益情形下,孤子稳定传输的条件。     

自由电子激光辐照半导体多量子阱的研究

利用低温光荧光谱研究了自由电子激光辐照对GaAs/AlGaAs多量子阱光学性质的影响。用波长为 8 92μm ,光功率密度相应于电场强度为 2 0kV/cm的自由电子激光辐照多量子阱 6 0min ,发现量子阱特征峰 797nm经过辐照后峰值发生红移至 812nm ,波形展宽 ,峰高降低。对此结果进行了讨论 ,并与电子辐照的情况做了比较。     

多束质子辐照晶闸管的退火研究

研究了多束质子辐照对晶闸管开关特性和通态电压的影响，分析了退火机理，找出了最佳退火流程，获得了优良的通态电压与关断时间（VTM－Tq）的折衷关系。     

MgO·nAl2O3透明陶瓷的制备及其物性

制备了非化学配比(n=1～2)的透明多晶MgO·nAl2O3陶瓷,研究了光学性质和力学性质与其物相和微观结构的关系.结果表明:非配比MgO·nAl2O3陶瓷主相的晶界处有Al2O3晶粒析出,其数量随着配比n的增大而增加.n=1～1.5的非配比透明陶瓷在紫外-可见波段与化学配比透明陶瓷一样具有较高的光学透过率,而n≥1.8陶瓷的透过率由于较多的第二相物质所引起的散射而有明显的下降.由于尖晶石晶粒性能改变和Al2O3晶粒的能量耗散等因素,非配比陶瓷的硬度和抗弯强度均比化学配比的高.过多的析出相引起的弱界面和缺陷裂纹可能导致陶瓷强度的下降,表现在其抗弯强度随着n的增大呈现先提高而后下降的变化规律.     

过渡金属Cr掺杂对金红石光性影响的研究

报道了采用高温扩散掺杂敏化法在金红石晶体表面掺入Cr离子、有效提高可见光响应的研究结果.分别利用UV-VIS、XFA、XRD和LRS等测试手段对样品进行了分析.结果表明Cr离子掺入晶体表面后以Cr     

MgAl2O4透明陶瓷电子辐照及退火效应

用能量 1 .7Me V,束流强度 0 .7μA· cm-2 ,总注量 6 .3× 1 0 16 cm-2的电子辐照镁铝尖晶石透明陶瓷 ,并对辐照后的样品进行等时退火。利用 PAT、UV- VIS和 FI- IR测试 ,表明辐照前3 3 6 0 cm-1处有吸收峰 ,通过电子辐照样品在 2 3 7nm和 3 70 nm处产生吸收带 ,3 3 6 0 cm-1处吸收峰消失 ,主要是由 VOH-1心及辐照产生的 F心和 V型色心引起的。通过退火 ,可消除 F心及 V型色心吸收峰。     

真空还原制备的VO2热致相变薄膜光学性质研究

本文对不同衬底制备的VO2薄膜进行了表面形貌测试,对其红外透射光谱和Raman光谱进行了研究,并进行370mm-900nm波段的光透射测试以及900nm波长的热滞回线性测试,表明所制备VO2薄膜具有优良的热致相变光学特性,薄膜为纳米结构,并且结晶状态不同的薄膜其Raman谱位置有改变,室温时的红外光谱表现出较好的红外振动特性。讨论了薄膜结晶状态对Raman位移的影响以及VO2薄膜的红外光谱。