加速器中子源的中子注量测量方法

在用静电加速器中子源标定探测器的中子灵敏度实验中,采用“BF3长计数管 定标器”系统过渡,用^197Au中子活化分析方法达到了对中子注量在线、绝对监测的目的。这种方法给出与加速器束流不同角度、不同距离处的中子注量。介绍了这种中子注量测量方法。     

热壁外延生长GaAs薄膜的结构特征

该文介绍以Si和SnO2／glass两种材料为衬底，采用热壁外延方法，制得GaAs多晶薄膜。采用电子探针(EPMA)测定薄膜的组分、表面与剖面形貌，x射线衍射(xRD)分析薄膜的结构情况。结果表明该薄膜表面呈绒面结构、其晶粒为柱状结构，初步证明这种GaAs多晶薄膜有希望成为新一代廉价、高效太阳电池的候选材料。     

钝化膜晶体管的电子辐照效应

本文介绍了Al_2O_3单层钝化膜及Al_2O_3-SiO_2双层钝化膜掩蔽下的外延PNP-3CK2型开关晶体三极管,在高能电子辐照下性能变化的情况,并与无膜管子的辐照情况作了对比。     

GaAs光电导探测器的双束质子改性

介绍了未改性的砷化镓光电导探测器以及经过两束不同能量的质子改性后的砷化镓探测器对X射线的响应,并对它们的输出波形与经过电子改性后的探测器的输出波形进行了比较,结果表明,经过双束质子辐照后的探测器的性能有较大的改善,双束质子改性较电子改性后的探测器有较好的性能.     

电子束蒸镀Y_2O_3-ZrO_2减反射膜用于1.3μm半导体激光器

用ＤＭＰ４５０型电子束镀膜机,制备了Ｙ２Ｏ３ＺｒＯ２膜,并将它用作１．３μｍ半导体激光器的减反射膜．测试结果表明,镀膜后的半导体激光器其外微分子量效率明显提高,线性化也有改善．对于减反程度很高的管子,出现了超辐射现象．本文对这些现象及有关机理进行了讨论．     

MgO·nAl2O3透明陶瓷的制备及其物性

制备了非化学配比(n=1～2)的透明多晶MgO·nAl2O3陶瓷,研究了光学性质和力学性质与其物相和微观结构的关系.结果表明:非配比MgO·nAl2O3陶瓷主相的晶界处有Al2O3晶粒析出,其数量随着配比n的增大而增加.n=1～1.5的非配比透明陶瓷在紫外-可见波段与化学配比透明陶瓷一样具有较高的光学透过率,而n≥1.8陶瓷的透过率由于较多的第二相物质所引起的散射而有明显的下降.由于尖晶石晶粒性能改变和Al2O3晶粒的能量耗散等因素,非配比陶瓷的硬度和抗弯强度均比化学配比的高.过多的析出相引起的弱界面和缺陷裂纹可能导致陶瓷强度的下降,表现在其抗弯强度随着n的增大呈现先提高而后下降的变化规律.     

高剂量Ge离子注入直接形成nc-Ge的研究

报道了分别采用剂量为1×1016,1×1017,5×1017和1×1018cm-2的高剂量Ge离子注入,不需退火即可在SiO2中直接形成Ge纳米晶的新现象.采用掠入射X射线衍射和激光喇曼谱等实验手段对样品进行了物相分析.结果表明,高剂量Ge离子注入可在SiO2薄膜中直接形成Ge纳米晶(nc-Ge);非晶态Ge向晶态Ge发生相变的阈值剂量约为1×1017cm-2,离子注入直接形成的nc-Ge内部具有较大压应力,随着注入剂量的提高,nc-Ge的尺寸和含量均有提高.对纳米晶形成机理的研究认为,在Ge离子注入剂量达到阈值,此时膜中Ge非晶态团簇浓度达到饱和甚至过饱和,新入射的Ge离子把动能传递给膜中的非晶态Ge原子,使其部分析出并团聚形成能量最低且最稳定的Ge纳米晶态.     

真空还原制备的VO_2热致相变薄膜光学性质研究

本文对不同衬底制备的VO2 薄膜进行了表面形貌测试 ,对其红外透射光谱和Raman光谱进行了研究 ,并进行 370nm -90 0nm波段的光透射测试以及 90 0nm波长的热滞回线特性测试 ,表明所制备VO2 薄膜具有优良的热致相变光学特性 ,薄膜为纳米结构 ,并且结晶状态不同的薄膜其Raman谱位置有明显改变 ,室温时的红外光谱表现出较好的红外振动特性。讨论了薄膜结晶状态对Raman位移的影响以及VO2 薄膜的红外光谱     

1.7MeV电子辐照对TiNi形状记忆合金相变温度的影响

用能量为１．７ＭｅＶ不同注量的电子辐照了ＴｉＮｉ形状记忆合金,通过温度控制使辐照在合金马氏体相进行,发现辐照使合金的马氏体逆相变开始温度Ａｓ和结束温度Ａｆ降低,且Ａｆ对电子辐照更敏感,相变温度滞后宽度减小;马氏体相变开始温度Ｍｓ和结束温度Ｍｆ基于无变化。ＸＲＤ结果表明电子辐照造成了马氏体相点阵畸变,随辐照注量的增加有增大的趋势,并且较大注量的晶面间距都增大。说明辐照引入的点缺陷增加了马氏体弹性应变     

氮杂环鎓盐协同辐射引发阳离子聚合研究

研究了氮杂环鎓盐协同γ射线引发氧化环己烯阳离子开环聚合反应。在研究阳离子聚合阻聚剂、不同气氛条件及聚氧化环己烯分子量和分布后，认为在反应体系中鎓盐氧化射线产生的自由基成为阳离子，并向体系贡献弱亲核性阴离子而引发氧化环己烯阳离子开环聚合。讨论了不同极性溶剂对该聚合反应的影响，同时初步研究了引发此聚合反应活性中心。