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电子辐照对CuZnAl形状记忆合金相变温度的影响 总被引:1,自引:1,他引:0
用能量1.7MeV不同注量的电子辐照CuZnAl形状记忆合金样品, 辐照在母相进行. DSC实验结果表明, 辐照前后样品的相变温度As从339K升高到347K, Ms从330K升高到340K, As-Ms从4K升高到7K. XRD分析结果表明辐照导致两组成对晶面间距差(Δd)增大, 证明辐照促进了有序化. 相变温度的变化是由于电子辐照产生的点缺陷造成了马氏体相点阵畸变和有序度的变化, 从而产生马氏体稳定化. 相似文献
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MI-AlxGa 1-xAs/GaAs太阳电池中界面势的构成及其界面复合分析 总被引:2,自引:1,他引:2
在MIp-AlxGa1-xAs结构的I层表面上,引入固定负电荷,并用减反射膜覆盖。将p-Al1-xGaxAs层中的空穴感应至界面,可建立界面电子感应势垒,并将其构成MIp-AlxGa1-xAs/p-n-n^ -GaAs太阳电池。通过求解泊松方程,理论上分析了界面感应势的高度、宽度与p-AlxGa1-xAs层掺杂浓度及减反射膜中固定负电荷面密度的关系,以及该感应势的建立对电池界面复合速度的影响。结果表明,p-AlxGa1-xAs层掺杂浓度的降低以及固定负电荷面密度的增高,都将导致界面感应势的高度与宽度的增加,从而能有效降低电池界面复合速度几个量级,相应地可大大提高电池的开路电压。 相似文献
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真空退火引起的VOx薄膜生长过程的变价问题研究 总被引:4,自引:0,他引:4
本文以V2O5粉末为原料,采用真空蒸发镀膜与真空退火相结合的方法,在载玻片和单晶Si(100)衬底上得到了VO2为主的薄膜。利用X射线光电子能谱(XPS)对不同退火条件下所得膜的价态组份进行了分析,得到了膜中V的价态与退火温度、退火时间以及膜厚的关系。 相似文献
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