离子注入制备纳米晶研究进展

离子注入技术是一种在材料近表面形成埋层纳米晶的一种非常有效的方法，纳米晶的出现使得基体材料具有特殊的物理性质，综述了近几年来利用离子注入技术的金属，半导体、磁性材料纳米晶的发展情况及其潜在的应用，并提出了现存的问题。     

调整VO2薄膜相变特性和TCR的制备及辐照方法

采用不同的真空还原时间、真空退火温度和衬底制备出了VO2薄膜,并对制备出的薄膜进行电子辐照.通过测试辐照前后的VO2薄膜相变电学性能及低温半导体相电阻温度系数(TCR),表明不同的制备工艺和不同注量的电子辐照可明显改变VO2薄膜相变过程中电学性能,提高薄膜的电阻温度系数.对影响VO2热致相变薄膜电学性能及电阻温度系数的因素进行了讨论.     

电子辐照对CuZnAl形状记忆合金相变温度的影响

用能量1.7MeV不同注量的电子辐照CuZnAl形状记忆合金样品, 辐照在母相进行. DSC实验结果表明, 辐照前后样品的相变温度As从339K升高到347K, Ms从330K升高到340K, As-Ms从4K升高到7K. XRD分析结果表明辐照导致两组成对晶面间距差(Δd)增大, 证明辐照促进了有序化. 相变温度的变化是由于电子辐照产生的点缺陷造成了马氏体相点阵畸变和有序度的变化, 从而产生马氏体稳定化.     

装饰建筑材料辐射剂量模式的研究

由于缺乏专用于建筑材料的剂量模式,目前国际上普遍采用室外土壤的剂量模式来计算建材的辐射剂量。本论文用Monte Carlo方法得到几类装饰材料的辐射剂量模式。由该模式计算出的空气吸收剂量率与实测数据一致。而用土壤的剂量模式算出的空气吸收剂量率与实测数据相差很远。因此,建筑装饰材料不能近似采用室外土壤的辐射剂量计算模式。     

MI-AlxGa 1-xAs/GaAs太阳电池中界面势的构成及其界面复合分析

在MIp-AlxGa1-xAs结构的I层表面上，引入固定负电荷，并用减反射膜覆盖。将p-Al1-xGaxAs层中的空穴感应至界面，可建立界面电子感应势垒，并将其构成MIp-AlxGa1-xAs/p-n-n^ -GaAs太阳电池。通过求解泊松方程，理论上分析了界面感应势的高度、宽度与p-AlxGa1-xAs层掺杂浓度及减反射膜中固定负电荷面密度的关系，以及该感应势的建立对电池界面复合速度的影响。结果表明，p-AlxGa1-xAs层掺杂浓度的降低以及固定负电荷面密度的增高，都将导致界面感应势的高度与宽度的增加，从而能有效降低电池界面复合速度几个量级，相应地可大大提高电池的开路电压。     

直流反应溅射三氧化二铝膜的制备和硅上溅射膜的研究

本文介绍了将直流反应溅射技术应用于制备三化二铝薄膜的实验情况,给出了硅衬底溅射三氧化二铝膜的实验结果.除了研究影响溅射的因素以确定适当的溅射条件外,本文着重讨论了如何控制膜内的电荷极性.找到影响电荷极性的主要因素是溅射过程中基片所处的位置.测出了在一定溅射条件下,电荷极性、电荷密度随基片与阴极间距的变化关系.实验说明在两个平板电极间辉光放电的不同区域中会形成正的或负的氧离子,这些氧离子被置于不同区域中的基片所吸附而形成了淀积膜内的正电荷或负电荷.     

真空退火引起的VOx薄膜生长过程的变价问题研究

本文以Ｖ２Ｏ５粉末为原料，采用真空蒸发镀膜与真空退火相结合的方法，在载玻片和单晶Ｓｉ（１００）衬底上得到了ＶＯ２为主的薄膜。利用Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）对不同退火条件下所得膜的价态组份进行了分析，得到了膜中Ｖ的价态与退火温度、退火时间以及膜厚的关系。     

14 MeV中子辐照钒引起的长寿命放射性

用HPGe探测器测量了钒以及杂质由14MeV中子活化引起的放射性,得到了50V(n,α)和51V(n,α)反应截面比值在14MeV处为0 584,并由此得到了50V(n,α)反应截面为(8 7±0 7)×10-27cm2。测量了钒中杂质成分被活化后其长寿命放射性核素的半衰期。     

透明陶瓷MgAl2O4辐照退火效应的正电子湮没谱研究

首次采用正电子湮没寿命谱的方法，并同时应用PATFIT程序和MELT程序进行解谱，研究了透明陶瓷MgAl2O4被电子、质子和γ射线辐照后缺陷的退火特性，发现了透明陶瓷MgAl2O4在三种射线辐照后的退火过程中缺陷存在着相同的分解和聚积过程，并确缺陷的分解温度250℃和消除温度500℃。