带电粒子辐射对GaAs/AlGaAs多量子阱光学性质的影响

利用光荧光谱研究了带电粒子辐照对 Ga As/Al Ga As多量子阱光学性质的影响。用能量为 1 Me V、注量为 1 0 1 3～ 1 0 1 6 /cm2 的电子辐照 ,模拟太空环境下范艾仑带对多量子阱的辐射。辐射后在 45 0℃真空环境下退火 5分钟 ,测量了辐照前后材料的荧光谱。发现量子阱特征峰 772 nm(E=1 .61 e V)辐照后峰位不变 ,峰高有所降低 ,但退火后峰高有所恢复 ,仍比辐照前要低 ;注量为 1 0 1 6 /cm2 的样品中 Ga As的 D0 ～ A0 对复合发光峰 83 2nm(E=1 .49e V)消失。对此结果进行了讨论 ,并与质子辐照的情况作了比较。     

自由电子激光对GaAs/AlGaAs异质结构材料电学性质的影响

自由电子激光(FEL)辐照样品前和辐照样品时,使用变温霍尔测量系统测试了这种n型调制掺杂GaAs/AlGaAs异质结构材料中准二维电子气(2DEG)的迁移率、电子浓度和电阻率。对比这两种情况下的结果可以发现:1)迁移率随温度升高而降低,光照使迁移率增大;2)电子浓度随温度变化关系相对较为复杂,但是平均而言,光照会使电子浓度减小;3)电阻率随温度升高而升高,光照使电阻率减小,但这种影响不明显。对这些现象给出了具体的分析。     

MgO晶体中F型色心的电子结构和光学吸收谱研究

运用嵌入原子簇的电荷自洽离散变分方法（SCC－DVM－Xα方法）对MgO晶体中F型色心的电子结构进行了计算,并利用能量最小原理优化了色心格点周围的Mg,O离子结构,得到了MgO晶体中F,F^ 和F^2 心的能带,态密度,并讨论了色心的光学跃迁模式。计算结果表明,F,F^ 和F^2 心在MgO晶体的禁色中引入了色心能级,F和F^ 心的光学跃迁能分别是4．67eV和4．66eV,电子从色心激光发态跃迁到导带底需要吸收大的光电子跃迁能量。计算结果与实验结果符合较好,说明计算结果是合理的。     

电子束引出窗冷却研究

研究1MeV、40mA工业辐照电子加速器引出窗钛膜受力状况,确定钛膜在大气作用下的几何形状,计算电子束在钛膜上各点的入射角度和相应的穿越深度,给出电子束在钛膜上的能量损失分布与钛膜强度、厚度、跨度之间的关系。分析钛膜自身热传导和热辐射的散热能力,表明强迫风冷是提高引出窗输出能力的重要冷却方式。结合数值模拟方法,重点研究强迫风冷的散热能力与出口风速、钛膜曲率半径之间的关系。发现常规风冷结构设计中可能出现回流区,成为窗膜的冷却盲点,需通过结构优化设计消除回流区的影响。     

金红石(TiO2)单晶体生长及制备条件的研究

以TiO2超微粉为原料，采用焰溶法制备了金红石单晶体，并在不同的退火温度下，对晶体进行了氧化退火研究，利用紫外-可见分光光度计、红外谱仪等分析测试手段对晶体的光吸收性质进行了测试，此外，本文对微粉性状、生长气氛等对晶体生长的影响进行了探讨。     

高能质子对晶闸管的辐照效应

用高能质子辐照ＫＰ２００Ａ晶闸管，使之提高为ＫＫ２００Ａ晶闸管，测量了辐照前后晶闸管的参数变化及退火后各参数变化。     

弱光下晶体硅太阳电池的开路电压

讨论了弱光下影响晶体硅太阳电池开路电压的主要因素。要提高弱光下开路电压主要应提高太阳电池的并联电阻。     

MgAl2O4透明陶瓷中电子辐照诱导缺陷退火行为研究

用能量为1.7MeV,束流强度0.7μA*cm-2,总注量6.3×l016 cm-2的电子辐照镁铝尖晶石透明陶瓷,并对辐照后的样品进行等时退火,利用UV-VIS和PAT测试,表明通过电子辐照样品在237nm和370nm处产生吸收带,它们主要是F心及V型色心.通过退火可以使F心及V型色心吸收峰消除,但F心的消除温度要高于V型色心,且其在退火过程中形成F聚心,F聚心随F心聚集增加其峰位将向紫外移动.     

改进的溶胶-凝胶法制备YAG纳米粉体

采用低成本的无机有机复合体系的溶胶凝胶法成功制备出了Y3Al5O12 (YAG)纳米粉体。实验中通过将Y(NO3)3 和Al(NO3)3 按摩尔比3:5 溶解于异丙醇中,再加入适量柠檬酸后生成溶胶,经过脱醇、干燥形成纳米胶球前驱体,将其在适当温度下焙烧后生成YAG纳米粉体。在此过程中,采用了独特的循环水真空泵负压脱醇技术,大大缩减了脱醇和干燥时间,由40h降为4h。分别采用XRD,TEM和TG/DTA分析了不同温度下焙烧所得粉体的物相、形貌以及前驱体热分解特性。结果表明,与其它有机和无机体系制备方法相比,得到的YAG粉体颗粒近似球形,细小均匀,平均尺寸为20~40nm,并具有很好的分散性。     

Si-SiO_2-Al_2O_3结构的电子束辐照效应

<正> 本文介绍了Si-SiO_2-Al_2O_3系统的电子束辐照及实验结果,定性地讨论了辐照能量、剂量及剂量率的影响.根据辐射效应,我们认为Al_2O_3-SiO_2及Al_2O_3-Si结构中Al_2O_3膜内靠近界面处存在有受主型界面态,表现出负电荷性质,辐射的电离效应进一步增强了界面的负电荷效应.同时实验结果还表明电子轰击引起了硅中杂质在界面附近的再分布.