Si-SiO_2-Al_2O_3结构的电子束辐照效应

<正> 本文介绍了Si-SiO_2-Al_2O_3系统的电子束辐照及实验结果,定性地讨论了辐照能量、剂量及剂量率的影响.根据辐射效应,我们认为Al_2O_3-SiO_2及Al_2O_3-Si结构中Al_2O_3膜内靠近界面处存在有受主型界面态,表现出负电荷性质,辐射的电离效应进一步增强了界面的负电荷效应.同时实验结果还表明电子轰击引起了硅中杂质在界面附近的再分布.     

γ射线辐照及其后退火MgAl2O4透明陶瓷中缺陷运动行为的研究

用不同剂量的γ射线辐照镁铝尖晶石透明陶瓷，并对辐照后的样品进行等时退火，UV－VIS和FT－IR，PAT测试表明，辐照前3360cm^-1处有吸收峰，它是由VOH^-心吸收引起的，通过γ射线辐照，样品在370nm处产生吸收带，它是由辐照产生的V型色心吸收引起的，通过退火可以使V型色心吸收带消除。结果表明：对陶瓷γ射线辐照及退火，将使样品中的空位团发生分裂和空位聚集。较低剂量的γ射线辐照能降低陶瓷紫外到红外透过率，大剂量的γ射线辐照能在陶瓷中产生局域退火效应，它能阻止可见和紫外透过率随剂量增加而下降并能增加陶瓷红外透过率。     

装饰建材放射性无损检测及评价方法研究

根据γ衰变纲图，研究将γ射线强度的测量问题转化为表面α射线的强度测量问题，从而实现建材的快速无损检测。进行了各类建材表面α、β辐射水平和其天然放射性核素γ比活度关系的研究和不同饰材表面β辐射水平的饱和厚度研究。结果发现：由于天然放射系中最大能量β粒子的射程大于单块饰材，不能用表面β辐射水平进行无损检测判断；花岗石的表面α辐射水平与外照射指数的拟合关系为：Iγ=0．38 49．84α 288．24α^2，拟合曲线和实测值的符合率为95％；抛光砖的表面α辐射水平与外照射指数的拟合关系为：Iγ=0．42 343．55α-32999．66α^2，拟合曲线和实测值的符合率为90％。积累更多的数据将进一步提高拟合曲线和实测值的符合率。     

高能质子辐照在制造和修复高速晶闸管中的应用研究

用高能质子辐照代替１２ＭｅＶ电子辐照,制造出ＫＫ２００Ａ晶闸和,对辐照前后以及退火后的宏观电学参数测量发现,３．９ＭｅＶ的质子辐不仅能有效缩短晶闸管的关断时间,提高工作频率,还能有效修复制造过程中电压穿通的晶闸管,并提高为快速晶闸管。     

掺Er3＋离子Mg-Al尖晶石晶体光谱性质分析

实验给出了掺Er3 ∶Mg Al尖晶石晶体的吸收谱、荧光谱和激发谱 ,确定了Er3 离子在Mg Al尖晶石晶体中的能级位置。用Judd Ofelt理论计算得到了掺Er3 ∶Mg Al尖晶石晶体的光谱特性参数。最后对该掺杂晶体出光的可能性进行了分析。     

钛合金氧化膜的AES和XPS研究

用X射线衍射仪（XRD）,X射线电子谱仪（XPS）和原位俄歇电子谱（AES）法研究了Ti-Al-V合金在300℃ pH9的水中氧化13000h所形成的氧化膜的结构,成分和价态以及其随深度的变化,发现氧化膜是由TiO2,Al2TiO5,Ti3O5,Ti2O3和TiO所组成,并且,氧化膜由表面到基体基本是按以上顺序交迭构成,通过XPS和原位AES分析发现钛合金表面形成稳定的厚约500nm的Ti^4 (TiO2)层,随深度的增加出现了Ti^3 (Ti3O5,Ti2O3) 和Ti2＋（TiO),直至基体,氧化膜总厚度约3000nm。     

MgAl2O4透明陶瓷的正电子湮没寿命谱研究

采用正电子湮没寿命谱的方法研究了Mg-Al尖晶石透明陶瓷被电子,质子辐照后的缺陷情况,以及在γ射线辐照下,缺陷情况随γ射线剂量的变化规律,并研究了其退火特性。     

辐射变色薄膜紫外剂量计研究

以聚乙烯醇缩丁醛(PVB)为基质,以高敏性类丁二炔化合物为主要有机染色材料,添加适当比例光引发剂,成功研制了一种高感度新型辐射变色膜.用CL-1000型紫外线交联仪进行紫外线辐照后,薄膜颜色由粉红渐变为蓝色,且随着辐照剂量的增加颜色深度递增.经分光光度计测试其吸收光谱,发现主吸收峰值出现在650nm附近,且在相同的紫外线能量密度下,吸收峰处的响应吸光度与辐照时间成线性响应关系.在相同的辐照时间内,吸收峰处的响应吸光度与紫外线能量密度亦成线性关系.染色材料中添加适当比例的光引发剂,可以提高薄膜的响应吸光度,进而提高其响应灵敏度.对于变色层厚度为30～60μm的辐射变色膜,敏感层厚度与吸光度响应成正相关性.室温下避光贮存60天内,此新型辐射变色膜具有较好的稳定性与可重复性.     

金红石TiO2晶体中F和F+心电子结构及其吸收光谱研究

本文运用嵌入原子簇的电荷自治离散变分方法（SCC－DVM－Xα方法）分别对TIO₂晶体中F和F+心的能级结构进行了计算,得到了F和F⁺心的光学吸收跃迁模式,其跃迁能量分别是0.98、1.78eV.我们认为,经还原后的TiO2晶体,在光吸收实验中测到的1．2μm（1.02eV）、760um（1.75eV）两个峰分别是由于还原过程中形成的F和F⁺心的吸收峰,并存在着F→F⁺的转型过程．     

质子辐照对GaAs/AlGaAs多量子阱材料光学性质的影响

用固定能量为２０ｋｅＶ,剂量为１e１１～１e１３／ｃｍ２的质子和固定剂量为１e１１／ｃｍ２,能量为３０～１００ｋｅＶ的质子,对ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ多量子阱材料进行辐照,得到了材料的光致发光特性随质子能量和剂量的变化关系,并进行了讨论．结果表明,质子辐照对材料的光学性质有破坏性的影响,这种影响是通过两种机制引起的．相同能量的质子辐照,随着辐照剂量的增大,对量子阱光致发光峰的破坏增大．相同剂量的质子辐照,当辐照质子的射程刚好覆盖整个量子阱结构区域时,对量子阱光致发光峰的破坏最严重,当辐照质子的射程超过量