超短光脉冲在有源三芯非线性光纤耦合器中开关和传输特性的数值分析

基于耦合非线性薛定谔方程(CNLSEs),利用分裂步长傅里叶方法(SSFM),研究了超短光脉冲在有源三芯非线性光纤耦合器中的传输和开关特性.重点分析了在一阶色散耦合系数和二阶色散耦合系数的影响下,线性增益系数和有限增益带宽对脉冲传输和开关特性的影响.研究表明,线性增益系数能增大开关陡峭性、降低开关临界能量、提高开关效率;虽然有限增益带宽使耦合器开关特性变差,但是它不仅能显著抑制由线性增益系数引起的脉冲压缩和放大,而且还能有效抑制由一阶色散耦合系数引起的脉冲展宽和分离以及由二阶色散耦合系数引起脉冲高频振荡,使光脉冲在三纤芯间呈现出类似无源光纤耦合器那样的周期性耦合传输特性.     

贫化铀及组合球中的反应率测量

用HPGe探测器测量了DT中子照射下^27Al(n，α)^24Na、^197Au(n，2n)^196Au、^93Nb(n，2n)^92Nbm和^197Au(n，γ)^198Au几个反应在贫化铀、贫化铀／聚乙烯／铁组合球中的活化率。运用MCNP／4B程序和ENDF／B-Ⅵ数据库对实验进行了模拟计算^27Al(n，α)^24Na、^197Au(n，2n)^196Au反应的计算与实验结果基本一致，而^197Au(n，γ)^198Au反应的计算结果与实验结果有相当大的差异。     

波分复用系统中色散管理孤子相互作用诱导时间移动的分析

研究了波分复用 (WDM)弱色散管理系统中 ,孤子碰撞诱导的孤子到达时间的移动 ;以及波分复用强色散管理系统中 ,利用变分原理分析了孤子相互作用引起的时移、啁啾、时间位置和孤子频率等的演化。研究表明 ,弱和强色散管理中 ,在光纤的路径平均色散接近于零时 ,孤子碰撞引起的时间移动很小     

VO2薄膜γ辐照过程的变价和退火现象

对VO2薄膜进行不同剂量的γ辐照处理，利用SEM和XPS对辐照前后的薄膜进行分析，发现γ辐照诱导V离子出现不同价态之间的转变现象，并且价态变化的程度和方向与辐照剂量有关；较低剂量γ辐照在薄膜表面造成显著损伤，当辐照剂理增大时，γ辐照在VO2薄膜中产生退火效应，使薄膜表面质量得到改善。辐照后的VO2薄膜光透射特性测试结果与上述结论相合，对辐照诱导的价态变化和退火效应的机理进行了讨论。     

强激光辐照损伤判别方法

本文简要评述了现行的判别光学元件激光损伤的几种不同方法和国际标准中规定的判别标准，并讨论了今后的发展趋向。     

基于动态法的热释电系数自动测试系统的研究

设计并建立了一种基于动态法的热释电数据采集与控制系统,实现了热释电系数测量的自动化.本文讨论了该系统的组成、原理、控制过程和特点.     

1.3μmInGaAsP半导体激光器的电子辐照效应

1 3μmInGaAsP半导体激光器广泛用于光纤通信系统。为了扩大其应用至核环境和外层空间 ,对InGaAsP半导体激光器的电子辐照进行了研究。在电子能量为 0 4～ 1 80MeV范围内 ,注量为 1× 10 12 ～ 2× 10 16cm-2 条件下进行辐照。在注量小于 1× 10 15cm-2 时对InGaAsP半导体激光器的输出性能影响是非致命的。当辐照注量超过 1× 10 15cm-2 时激光器的输出功率则呈数量级下降 ,如镀以Y2 O3 ZrO2 膜能使半导体激光器的抗辐照性能得到提高。     

用旋涂法制备的热释电聚合物薄膜研究

PVDF聚合物热释电薄膜是一种新的激光与红外辐射探测器材料,它比无机薄膜更易于与硅微加工工艺为基础的硅读出电路兼容.本文用旋涂法制备了一种聚合物热释电薄膜,对其进行了红外光谱和X射线衍射分析,并研究了其热释电响应特性,结果表明与其他方法(流延法和压膜法)相比,旋涂法制备的聚合物薄膜样品对热响应具有更高的灵敏度,更适合用作激光与红外辐射探测器材料.(PH2)     

铍中的反应率测量和分析

用４种不同阈能的活化箔测量和比较了两种铍系统中的绝对活化反应率。铍厚分别为５．３和８．４ｃｍ,,活化箔为Ｉｎ,Ｚｎ,Ａｌ和Ｃｕ,实验总２为５％－７％,分析和比较了实验结果与用１－ＤＡＮＩＳＮ程序和ＥＮＤＦ－Ｂ／Ⅵ库数据的计算结果,两者间的偏差均小于７％。     

电子辐照影响TiNi形状记忆合金R相变的研究

用能量为1.7MeV不同注量的电子辐射了TiNi形状记忆合金,通过温度控制使辐照在合金的R相状态进行,发现辐照使合金和奥氏体逆转变开始温度As和结束温度Af升高,随着辐量的增加有增大的趋势,且奥氏体转变滞后也有所增大,R相转变开始点Rs和转变结束点Rt略有增加。XRD结果表明电子辐射成了R相点阵畸变,随辐照注量的增加有增大的趋势。这一变化被认为是辐照引入的点缺陷导致了R相稳定化,并且部分缺陷打打扎了R相界面造成的。这一结果为记忆合金相变点的调节提供了新方法。