金硅面垒探测器中超薄氧化膜的研究

采用激光椭圆偏振仪、俄歇电子能谱仪和电学方法等手段对面垒探测器中的Au-Si界面进行了研究。实验结果表明,在Au-Si之间存在一层数纳米厚的薄氧化层,它的成分和结构与制作工艺有关,通常是不完全氧化膜,它的存在对探测器性能有重大作用。     

铍/聚乙烯/铁组合球中的反应率测量

用HPGe探测器和活化箔法测量了DT中子照射下^27Al(n，α)。^24Na、^197Au(n，2n)^196Au、^197Au(n，γ)^198Au反应在铍／聚乙烯／铁组合球中的活化率。运用MCNP／4B程序和ENDF／B-Ⅵ数据库对实验进行模拟计算。对于^27Al(n，α)。^24Na、^197Au(n，2n)^196Au反应，计算值与实验结果基本一致；^197Au(n，γ)^198Au反应计算结果与实验结果有相当大的差异。一个可能的原因是金箔对低能中子的自屏蔽效应。     

γ射线辐照引起的VO_2薄膜结构和相变光学特性变化

利用剂量为 35kGy - 35 0 0kGy的Co60 源辐照VO2 薄膜 ,对辐照后薄膜进行XRD和激光Raman光谱测试。结果表明 ,较低剂量 辐照后VO2 薄膜出现较显著的晶态变差现象 ,而高剂量 辐照则在薄膜中产生退火效应 ,使薄膜晶态变好。由此引起VO2 薄膜的热致相变的光学特性、特征Raman峰的强度和位置随 辐照剂量的增加而出现变化。根据 射线与物质相互作用原理对 辐照引起的以上效应进行了讨论     

1.3μmInGaAsP半导体激光器的电子辐照效应

1 3μmInGaAsP半导体激光器广泛用于光纤通信系统。为了扩大其应用至核环境和外层空间 ,对InGaAsP半导体激光器的电子辐照进行了研究。在电子能量为 0 4～ 1 80MeV范围内 ,注量为 1× 10 12 ～ 2× 10 16cm-2 条件下进行辐照。在注量小于 1× 10 15cm-2 时对InGaAsP半导体激光器的输出性能影响是非致命的。当辐照注量超过 1× 10 15cm-2 时激光器的输出功率则呈数量级下降 ,如镀以Y2 O3 ZrO2 膜能使半导体激光器的抗辐照性能得到提高。     

1.7MeV电子束在VO2热致相变薄膜中引起的结构和光电性能的变化

利用能量为1.7MeV,注量分别为10^13-10^15/cm^2的电子辐照VO2薄膜,采用XPS,XRD等测试手段对电子辐射前后的样品进行分析,并采用光透射性能和电光性能测试研究了电子辐照对样品相变过程中光电性能的影响,结果表明电子辐照在VO2薄膜中出现变价效应,产生新的X射线衍射峰,带来薄膜化学成分的变化,电子辐照在样品中产生的这些变化对VO2的热致相变特性有明显影响。     

电子辐照影响TiNi形状记忆合金R相变的研究

用能量为1.7MeV不同注量的电子辐射了TiNi形状记忆合金,通过温度控制使辐照在合金的R相状态进行,发现辐照使合金和奥氏体逆转变开始温度As和结束温度Af升高,随着辐量的增加有增大的趋势,且奥氏体转变滞后也有所增大,R相转变开始点Rs和转变结束点Rt略有增加。XRD结果表明电子辐射成了R相点阵畸变,随辐照注量的增加有增大的趋势。这一变化被认为是辐照引入的点缺陷导致了R相稳定化,并且部分缺陷打打扎了R相界面造成的。这一结果为记忆合金相变点的调节提供了新方法。     

基于动态法的热释电系数自动测试系统的研究

设计并建立了一种基于动态法的热释电数据采集与控制系统,实现了热释电系数测量的自动化.本文讨论了该系统的组成、原理、控制过程和特点.     

用旋涂法制备的热释电聚合物薄膜研究

PVDF聚合物热释电薄膜是一种新的激光与红外辐射探测器材料,它比无机薄膜更易于与硅微加工工艺为基础的硅读出电路兼容.本文用旋涂法制备了一种聚合物热释电薄膜,对其进行了红外光谱和X射线衍射分析,并研究了其热释电响应特性,结果表明与其他方法(流延法和压膜法)相比,旋涂法制备的聚合物薄膜样品对热响应具有更高的灵敏度,更适合用作激光与红外辐射探测器材料.(PH2)     

相变光透射特性具有窗口结构的VO2薄膜

利用无机溶胶凝胶法制备出具有优良热致相变光学特性的VO2薄膜,通过改变制备过程中的条件,发现在一定的制备参数下,可得到光透射性具有窗口形状的热致相变薄膜,该类薄膜相变前后在600～850nm范围出现显著透光度窗口状态化现象。利用XRD、XPS对相变光学特性具有窗口结构的薄膜和具有典型相变特性的薄膜进行对比分析,结果显示利用无机溶胶-凝胶法得到的薄膜表面没有衬底离子出现,衬底扩散离子主要存在于薄膜和衬底界面之间。通过对引起相变过程中光透射窗口状变化的原因进行讨论,得到薄膜在相变过程中出现透射光谱窗口状的变化是来源于V^3 和衬底扩散离子Na^ 的共同作用。     

波分复用系统中色散管理孤子相互作用诱导时问移动的分析

研究了波分复用(WDM)弱色散管理系统中，孤子碰撞诱导的孤子到达时间的移动；以及波分复用强色散管理系统中，利用变分原理分析了孤子相互作用引起的时移、啁啾、时间位置和孤子频率等的演化。研究表明，弱和强色散管理中，在光纤的路径平均色散接近于零时，孤子碰撞引起的时间移动很小。