掺OH^—稳定的F^＋2型心的激光振荡

利用我所研制的掺质均匀、色心稳定性好的ＮａＣｌ（ＯＨ＾－）：（Ｆ＾＋２）Ｈ和ＫＣｌ（Ｎａ＾＋，ＯＨ＾－）：（Ｆ＾＋２）ＡＨ色心晶体，我们实现了＞２５０ｍＷ的１．５７μｍ和＞４０ｍＷ的１．８８μｍ色心激光输出。本文报道其实验结果。     

含钴羟基锆柱撑MoS_2复合材料的制备及催化性能

采用单分子层剥离-重堆积技术,将聚合羟基锆离子([Zr4(OH)16-n(H2O)8+n]n+)和Co2+加到MoS2单分子层悬浮液中,制得了羟基锆和含钴羟基锆柱撑MoS2复合材料Zr-MoS2和Co/Zr-MoS2(简称柱撑材料),考察了Co2+对柱撑材料的形成及其催化活性的影响。研究结果表明,Zr-MoS2中[Zr4(OH)16-n(H2O)8+n]n+以双层错开方式排列于MoS2层间域中;Co2+的引入使柱撑材料的层间客体离子种类及取向趋于多样化,X射线衍射峰逐渐呈弥散状,层间距由Zr-MoS2的1.612nm减小至1.101nm,平均晶粒粒径减小,比表面积增大。硝基苯催化加氢结果表明,柱撑材料的催化活性是MoS2的2～4倍,其中Co/Zr-MoS2的催化活性高于Zr-MoS2,这与经柱撑后具有活性的MoS2板层的表层边沿比例提高有关。     

纵向泵浦准三能级激光系统的再讨论

考虑了激光上、下能级不同的能级寿命以及上能级自发辐射给下能级布居数所造成的影响,本文修正了Fan等提出的纵向泵浦准三能级系统的理论模型。尽管推导出的结果数学形式上与Fan等结果相似,但其物理意义更明确和丰富。理论计算得到了实验的验证.     

氮掺杂氧缺陷TiO2光催化剂的制备和性能

采用NH3-H2气氛两步热处理法制备氮掺杂氧缺陷TiO2,用X射线粉末衍射、N2吸附BET法、X射线光电子能谱、元素分析、电子自旋共振谱、紫外可见漫反射光谱和荧光光谱等技术对样品的晶相结构、表面化学状态、氮含量、氧缺陷位种类及含量、光吸收性能和光生载流子的分离效率等性质进行了表征,研究了H2气氛中不同热处理时间对催化剂性能的影响和催化剂样品在可见光(λ>400 nm)条件下的光催化氧化能力。结果表明,掺氮TiO2催化剂经H2热处理1 h后具有较好的可见光催化活性,对苯的转化率和矿化率分别为66.8%和47.5%,其降解效率高于单掺杂催化剂活性的总和,双掺杂光催化剂活性的提高与氮杂质氧缺陷双光活性中心的协同增强作用有关。     

具有高活性(001)晶面的TiO2纳米方块的制备及光催化性能

采用水热法制备了尺寸为70~100 nm, 具有高活性(001)晶面的锐钛矿相TiO₂纳米方块, 利用FE-SEM、TEM、XRD和UV-Vis DRS等手段对催化剂结构和光吸收性能进行分析, 同时考察了水热反应温度和溶液pH对TiO₂形貌和(001)晶面暴露率的影响。以酸性红染料为目标污染物, 对催化剂的光催化活性进行研究。实验结果表明, 合成TiO₂纳米方块的最佳条件为水热温度180℃、溶液pH=4~5。(001)晶面的光催化活性优于(101)晶面, 具有33%(001)晶面暴露率的TiO₂纳米方块的光催化活性是普通TiO₂的1.6倍。     

磷烯光催化分解水研究进展

半导体光催化分解水被认为是解决全球能源短缺和环境污染问题的潜在途径之一。近年来,磷烯(BP)由于具有带隙可调、空穴迁移率高、吸收光谱宽等特性而在光催化分解水方面得到了广泛关注。本文综述了国内外近年来在磷烯光催化分解水领域所取得的重要研究进展,总结了磷烯基光催化剂的合成方法、表面修饰和异质结构构建等改性策略,阐述了磷烯基光催化剂的构–效关系和电荷转移机制,并展望了磷烯基光催化剂所面临的机遇和挑战,揭示了磷烯基材料在太阳能利用和转化方面的重要应用潜力。     

铝簇柱撑MoS2复合材料及其对硫化物催化氧化作用

本文采用单分子层技术制备铝簇柱撑二硫化钼复合材料,并用XRD对其进行表征.通过该方法制备的铝簇柱撑二硫化钼复合材料获得了0.883nm的开孔距离,并研究了其对Na2S氧化反应的催化作用.实验表明,铝簇柱撑二硫化钼复合材料较MoS2对Na2S的催化氧化活性提高近5倍.     

掺OH~－稳定的F_2~＋型心的激光振荡

利用我研制的掺质均匀、色心稳定性好的ＮａＣｌ（ＯＨ~－）：（Ｆ）＿Ｈ和ＫＣｌ（Ｎａ~＋，ＯＨ~－）：（Ｆ）＿（ＡＨ）色心晶体，我们实现了＞２５０ｍＷ的１．５７μｍ和＞４０ｍＷ的１．８８μｍ色心激光输出。本文报道其实验结果。     

Cu插层H_2Ti_3O_7复合材料的制备与表征

文章采用剥离–重堆积法制备Cu-Ti3O7插层材料。该材料为多级介孔结构,表面积为182 m2·g–1。可见光下(300 W氙灯,加滤光片,λ≥420 nm),插层材料对MB的降解率为59.1%。插层材料的高光催化活性主要来自于层间的Cu2+有效地调节了半导体的能带结构,减小了带隙宽度,拓展了材料的光响应范围。