重庆市既有大中型商场建筑集中空调能耗调研与分析

通过对重庆市既有大中型商场建筑空调能耗数据的调查研究分析，发现既有商场建筑空调系统中各个部分存在的问题如设计不合理，设备选型过大，输送设备配置不合理，运行管理方式落后等。在此基础上指出目前重庆市既有商场建筑空调系统能耗较高产生的原因，并针对问题进行其节能潜力分析，提出适宜重庆市既有商场建筑的节能改造的合理化建议。     

最新专利信息

陶瓷增强铜合金及其制取方法公开号 :ＣＮ12 5 0 10 8Ａ ;公开日 :2 0 0 0 .4.12 ;申请人 :张日林本发明公开了一种陶瓷增强铜合金及其制备方法 ,该铜合金包括铜基体材料和作为增强相的硼化物陶瓷 ;作为增强相的硼化物陶瓷占铜合金重量的 2 %～ 8% ;硼化物增强相是二硼化锆 (ＺｒＢ2 )或二硼化钛 (ＴｉＢ2 ) ;该方法包括冶炼法和粉末冶金两种方法 ;本发明所提供的陶瓷增强铜合金可以用于微电子工业中大规模集成电路的引线框架材料、接插件材料、电阻焊电极材料 ,以及一些要求高导电性、高强度、高软化温度的应用领域。低钴镧镨铈 镍系贮氢合…     

GP328／GP338对讲机充电器的电路解剖及保护性改造

文章主要对GP328／GP338对讲机充电器的电路进行了解剖、进行了原理分析，并结合石油领域的实际工作环境和充电方式对其进行保护性改造。     

靶场测量数据检择纠错方法

在靶场实际测量数据处理工作中，常用的测量数据检择纠错方法有多种，如何灵活运用这些方法来提高测量数据检择纠错的效果，一直是数据处理人员关注的问题。文章给出了常用的测量数据检择纠错方法，并就使用过程中需要注意的问题进行了论述。     

掺Si对AlGaInP/GaInP多量子阱发光性能的影响

研究了Si掺杂对MOCVD生长的(Al0.3Ga0.7)In0.5P/Ga0.5In0.5P多量子阱发光性能的影响.样品分为两类:一类只生长了(Al0.3Ga0.7)In0.5P/Ga0.5In0.5P多量子阱结构;另一类为完整的多量子阱LED结构.对于只生长了(Al0.3Ga0.7)In0.5P/Ga0.5In0.5P多量子阱结构的样品,掺Si没有改变量子阱发光波长,但使得量子阱发光强度略有下降,发光峰半高宽明显增大.这应是掺Si使量子阱界面质量变差导致的.而在完整LED结构的情况下,掺Si却大大提高了量子阱的发光强度.相对于未掺杂多量子阱LED结构,垒层掺Si使多量子阱的发光强度提高了13倍,阱层和垒层均掺Si使多量子阱的发光强度提高了28倍,并对这一现象进行了讨论.     

大豆脂肪氧化酶酶活性变化研究

采用分光光度法对大豆中三种脂肪氧化酶（同工酶）进行检测并测定脂肪氧化酶活性,研究表明：大豆粉碎后随着贮存时间的延长,脂肪氧化酶活性逐渐降低,大豆发芽后脂肪氧化酶活性降低了43%.     

GPS外测弹道参数的精度估算方法

结合发射坐标系下GPS外测弹道参数的解算过程和方法，给出了使用GPS测量数据解算弹道参数的精度估算方法。