BT-PMN共烧陶瓷的新的介温特性

具有不同居里点的两种铁电体粉末在共烧时会产生过渡相.这种过渡相的特性与原始物相的性质密切相关.BaTiO     

铁电陶瓷相和内电极的层间互作用及界面类型

借助于透射、扫描电子显微镜和能谱Ｘ射线（ＥＤＡＸ）,对弛豫铁电陶瓷和银钯电极组成的多层共烧体系中的界面互作用进行了研究。观察到明显的互扩散现象存在于异相层间界面。阶电极中的银离子外,陶瓷中部分金属阳离子向电极中也有一定的扩散。Ｘ射线衍射的分析表明共烧过程中界面发生了化学反应,有新相生成。此外,实验结果还揭示了界面的物理化学作用对多层样品的微结构产生了一定的影响。铁电相和共烧界面的类型为扩攻型化合物     

复合X7R多层陶瓷电容器

介电常数Ｋ高于 ７２００的、具有满足 Ｘ７Ｒ（－５５～１２５℃,±１５％）规范要求的低烧复合多层陶瓷电容器（ＣＭＬＣＣｓ）已经研制成功．该电容器是由四种具有不同介温特性的ＰＭＮ－ＰＮＮ－ＰＴ和ＰＭＮ－ＰＴ体系的瓷介质膜片按一定布局复合构成．其内部显微结构良好．本研究表明,采用不同材料共烧以得到具有优良性能的片式元件是可行的．     

Sr0.4Pb0.6TiO3基陶瓷晶界组成对热敏特性的影响

采用固相烧结工艺制备出了Ｓｒ_０．４Ｐｂ_０．６ＴｉＯ_３半导体陶瓷元件,其阻温特性具有独特的ＮＴＣＲ和ＰＴＣＲ复合效应,陶瓷室温电阻率及居里点以下的ＮＴＣＲ效应随着烧结温度的升高而提高,适当过量ＰｂＯ则能降低陶瓷室温电阻率及其ＮＴＣＲ效应．利用ＸＲＤ、ＳＥＭ和ＥＤＳ分别对样品的相结构、形貌及成份分布等进行分析,结果显示晶界中的Ｓｒ,Ｔｉ含量相对较高,而Ｐｂ含量相对较低,材料的阻温特性明显受其影响．铅挥发造成的阳离子空位是该类半导体陶瓷在居里点下出现ＮＴＣＲ效应的主要原因之一,同时探讨了Ｙ^３＋离子掺杂（Ｓｒ,Ｐｂ）ＴｉＯ_３陶瓷的半导化机理和热敏特性．     

压电-电流变平面二维步进式驱动器

首次提出了一种利用压电效应和电为效应相结合的新型平面步进式驱动器,研制的驱动器包括４个提供驱动力和产生位移的以压电致动器,以及４个用来箝位器,根据仿生运动模式,箝位器与压电致动器采用不同的运动组合,可分别实现沿ｘ和或ｙ向的蠕动式步式运动,实验结果显示,平面步进驱动器机在ｘ向和ｙ向都能灵活运动,并具有大行程和低于０．１μｍ的高的分辨率特性,驱动器的最高步进速度为６ｍｍ／ｍｉｎ最大承载能力为１．７０Ｎ     

中低温烧结的温度稳定型Ba1-xCdxTiO3介电材料

温度稳定型钛酸钡基介电材料具有良好的性能，然而做为MLCs瓷料时，烧结温度偏高。用固溶体Ba1-xCdxTiO3替代BaTiO3做为基料，可以有效地降低烧结温度，制备符合X7R标准的MLCs瓷料，获得较高的室温介电常数。     

BaTiO3基PTCR陶瓷中Bi2O3蒸汽掺杂和Mn的协同作用

BaTiO3基陶瓷材料的PTCR效应与施受主掺杂密切相关。通过BaTiO3、Sb2O3等蒸汽掺杂，材料的PTCR效应可以得到提高。然而，蒸汽掺杂之后，PTCR效应提高的幅度在含受主Mn的材料中比纯施主掺杂的材料中要大得多。这与BaTiO3蒸汽掺杂和Mn协同作用密切相关。这种协同作用可能进一步形成三阶Mn或中性钡缺位相关的更为稳定的复合缺陷，从而增大了电子捕获中心的浓度，使材料PTCR效应大幅提高。     

BNT-BZT压电陶瓷准同相界处材料性能的研究

研究(1-x)(Bi0.5Na0.5)TiO3-xBa(Ti0.95Zr0.05)O3(BNT-BZT)体系陶瓷的准同型相界,以及陶瓷材料的微观结构和性能之间的关系.BNT-BZT陶瓷体系在富BNT和Zr含量低的区域存在准同型相界,在相界附近可能得到性能优良的无铅压电陶瓷,相界点在x≈0.1这个区域内.将BNT陶瓷和BZT陶瓷固溶后能够得到d33大于150 pC/N,居里温度在240℃左右,介电常数在900左右的性能良好的无铅压电陶瓷.     

Bi3+离子取代对Ba6-3xLn8+2xTi18O54陶瓷结构与微波介电性能的影响

研究了Bi3+取代Ln3+对Ba6-3xLn8+2XTi18O54(LnSm,Nd)固溶体陶瓷的结构与微波介电性能的影响规律.对于Ba4[(Sm1-yNdy)1-zBiz]9 33Ti18O54,Bi3+取代对晶粒生长有促进作用,且使介电常数提高,但使Q·f值降低.xRD分析表明,对于y=0.2,当Bi3+的取代量z≤0.06时,材料保持类钙钛矿钨青铜单相结构,而当取代量较多时,类钙钛矿结构失稳,转变为(BiSm)2TiO7第二相,而对于y=0.7,则在Bi取代量达0.20时仍能保持单相钨青铜结构.且当z=0.10时,可获得优化的介电性能为ε=90.2,Q·f=9090GHz,τf=8.7×10-6/℃.