BaTiO3基PTCR陶瓷中Bi2O3蒸汽掺杂和Mn的协同作用

BaTiO3基陶瓷材料的PTCR效应与施受主掺杂密切相关。通过BaTiO3、Sb2O3等蒸汽掺杂，材料的PTCR效应可以得到提高。然而，蒸汽掺杂之后，PTCR效应提高的幅度在含受主Mn的材料中比纯施主掺杂的材料中要大得多。这与BaTiO3蒸汽掺杂和Mn协同作用密切相关。这种协同作用可能进一步形成三阶Mn或中性钡缺位相关的更为稳定的复合缺陷，从而增大了电子捕获中心的浓度，使材料PTCR效应大幅提高。     

晶界杂质和缺陷行为与BaTiO_3基陶瓷的PTCR效应

钛酸钡陶瓷中，高温下晶格失氧使晶粒内部氧匮乏。在氧化气氛中烧成，晶界则是富氧环境。缺陷或杂 质在晶界上进一步氧化，产生晶粒中并不存在的缺陷种类。杂质和缺陷在晶界上与晶粒内部有不同的行为。某些在 晶界上被氧化成高价态的缺陷和杂质，在晶粒中不能存在，而在晶界上以亚稳态形式存在。它们在铁电相变点跃迁 回低价稳态，产生电子陷阱，使材料电阻率迅速增大，形成ＰＴＣＲ效应。     

银迁移对PMZNT基独石电容器电性能的作用机理

研究了内电极中银的迁移对ＰＭＮ－ＰＺＮ－ＰＴ（ＰＭＺＮＴ）基的多层陶瓷电容器电的作用机理。通过微量的银掺杂来探讨在共烧过程银元素由内电极渗透到陶瓷介质中对多层器件造成的影响。借助扫描电显微镜来观察烧成后电极和陶瓷界面处的显微结构。结果表明：银迁移到陶瓷介质中导致介电性能的变化，具体表现为居里点的移动，介电峰值的下降，但并不是简单的单调上升或下降的关系。此外，陶瓷介质的绝缘性能下降，利用缺陷化学方法