铁氧体-微晶玻璃纳米复合材料的结构与性能

采用溶胶-凝胶工艺首先合成了NICuZn铁氧体纳米粉末和MgO－Al₂O₃-SiO₂(MAS)凝胶玻璃粉末,将两种粉末按一定比例均匀混合,烧结后得到了由NiCuZn铁氧体和堇青石微晶体两相共存的铁氧体一微晶玻璃纳米复合材料。该材料具有可调控的电磁性能,其起始磁导率高于3、介电常数低于6、截止频率高于2GHz,可望用作持高频多层片式电感介质材料．     

国内压电陶瓷声马达的研究现状

综述了国内部分压电陶瓷声马达的研究发展情况,指出其产品开发所面临的困难,并提出今后需要进步解决的一些关键问题。     

人工神经网络在优化BaTiO3陶瓷配方研究中的应用

首次将人工神经网络技术用于介电陶瓷的配方性能分析.以BaTiO3为研究对象选取了几种掺杂剂,在均匀实验设计的基础上,用BP人工神经网络对所得实验结果进行了分析,建立了相应配方的数学模型并将其与多重非线形回归模型的结果进行了比较.通过对人工神经网络配方数学模型的二次分析,得到了比多重非线形回归模型更加丰富的配方信息和内在规律,并且用图形化方式直观地表达了出来.在进一步对配方结果的优化和验证的基础上发现实验结果能够较好地符合理论预测,说明人工神经网络对于获得多性能指标要求介电陶瓷的最优化配方具有较好的指导作用.     

甚高频片式电感用材料的研究进展

为适应表面安装技术的发展,片式电感器不断向微型化、复合化、多功能化方向发展。介绍了甚高频片式电感器件及其所用材料的研究现状和发展前景。用氧化物固相反应法及软化学方法(柠檬酸络合法)制备的Co2Z型平面六角晶系铁氧体,在实现低烧后,具备优异的电磁性能,满足高性能的甚高频片式电感材料的要求,填补了甚高频段片式电感材料的空白。     

CaF2掺杂对ZnNb2O6陶瓷烧结行为及介电性能的影响

用传统固相法合成了CaF2掺杂ZnNb2O6微波介质陶瓷,通过XRD、SEM以及HP4291阻抗分析仪等测试手段对其烧结行为、晶体结构及微波介电性能进行了系统研究。结果表明,CaF2掺杂能有效地降低ZnNb2O6陶瓷的烧结温度,提高介电常数,但品质因数Q值有所下降。1100°C烧结w(CaF2)=0.5%(质量比)掺杂的ZnNb2O6陶瓷具有较好的介电性能:εr=31.6,Q×f=68THz,τf=-47×10-6°C-1。     

低温烧结Mn掺杂Mg-Cu-Zn铁氧体研究

利用溶胶-凝胶自燃烧法合成了-系列低温烧结Mn掺杂Mg—Cu—Zn铁氧体(Mg0.2Cu0.2Zn0.6O)(Fe2-x，MnxO3)0.97(x=0,0．01，0．03，0．05，0．07)。该文对低温烧结Mn掺杂Mg—Cu—Zn铁氧体的成相，致密化过程及锰含量对其磁性能和显微结构的影响进行了研究。研究发现，具有较低磁致伸缩系数的Mg—Cu—Zn铁氧体呈现出比Ni—Cu—Zn铁氧体更好的磁性能。因此，低温烧结的Mg—Cu—Zn铁氧体有望替代Ni—Cu—Zn铁氧体而用作多层片式电感材料。在一定Mn掺杂范围内,Mn掺杂对Mg—Cu—Zn铁氧体磁性能的改进，主要是通过其对材料内部磁致伸缩系数和内应力的调控来实现的,而不是通过对微观结构的影响而获得的。     

铁电/铁磁复合材料的磁性能和介电性能研究

铁电/铁磁复合材料是一类在材料内部同时共存铁电相和铁磁相的重要功能材料。在外加磁场和电场的作用下,其磁化和极化状态易于调控。笔者以铁电性的钛酸钡和铁磁性镍铜锌铁氧体纳米粉为原料,采用固相反应法,合成了一系列铁电/铁磁复合材料。研究表明:在一定温度下烧结所得的铁电/铁磁复合材料,由铁电相和铁磁相两相所组成,对外表现出铁电性和铁磁性。该复合材料同时具有电感和电容两种特性,而且频率稳定性好,有望替代现有的分立式无源滤波器,做到真正的集成而广泛应用在集成电路中。     

烧成温度对Pb（Mg_（1／3）Nb_（2／3））O_3－pb（Zn_（1／3

研究了一种满足Ｙ５Ｕ指标要求的ＰＭ计ＰＺＮ－ＰＴ介电陶瓷的恒温老化行为与烧成温度的关系，发现在低温烧结要求的温度范围内（９００∽９５０℃），该材料的老化性能满足有关标准，而过高或过低的烧结温度均导致１０倍时间老化率的增大；利用显微结构结构观察分析了上述结果。     

片式化高压电容器的内电极结构及优化

耐高压片式化多层陶瓷电容器(MLCC)要求其内电极具有特殊的结构以保证产品的可靠性。本文对比了普通MLCC和高压MLCC的内电极结构，用有限元方法对两种ML—CC中若干典型位置的电场分布进行了分析，从电学角度对高压MLCC中内电极结构尺寸进行了优化，建立了高压MLCC内电极结构尺寸和所选用陶瓷介质材料的电学性能、MLCC的额定工作电压等参数之间的关系，这对中、高压MLCC的设计和制造具有指导意义。     

BaTiO_3基PTCR陶瓷中B_2O_3蒸汽掺杂的异常行为

钛酸钡基半导化陶瓷中的ＰＴＣＲ效应通常与材料中的施受主掺杂密切相关．在高温下Ｂ２Ｏ３具有较高的蒸汽压,通过Ｂ２Ｏ３蒸汽掺杂的研究表明,含主族元素Ｂ的氧化物蒸汽掺杂,钛酸钡基半导化陶瓷样品的升阻比同样得到了大幅度提高,同时室温电阻率也有所增加．Ｂ２Ｏ３蒸汽掺杂ＢａＴｉＯ３基材料的ＰＴＣＲ效应的提升可能得益于硼填隙和钡缺位相关的复合缺陷在晶界上的形成．