低温烧结Li铁氧体及其频率特性

报道了通过Ｂｉ２Ｏ３的掺杂而获得的较低温度（８８０℃左右）下烧成的Ｌｉ铁氧体的烧结工艺、结构特征及其磁导率的频率特性。发现材料实现低烧的同时也有效地克服了烧结过程中的Ｌｉ挥发，用Ｚｎ和Ｃｏ部分地替代Ｌｉ可有效地提高材料的起始磁导纺和截止频率。     

La掺杂Sr0.4Pb0.6TiO3陶瓷热敏机理研究

液相掺杂施主元素La，在1100－1200℃烧结制备出了Sr0.4Pb0.6TiO3基陶瓷。该陶瓷具有显著的NTCR－PTCR复合效应，其室温电阻率随烧结温度提高而增大；而添加少量PbO用于补偿铅损失，则明显降低了陶瓷的室温电阻率及减弱了居里点下的NTCR效应。同时利用XRD，SEM和TEM分别对陶瓷的相结构，形貌和畴结构进行了研究。根据实验结果，探讨了La掺杂Sr0.4Pb0.6TiO3陶瓷的半导化机理及其热敏特性。     

Bi掺杂对Ni-Zn-Cu铁氧体的烧结与磁性能的影响

低温烧结软磁铁氧体是表面组装元件（ＳＭＤ）中的一类关键材料。本文对Ｂｉ掺杂的低温烧结Ｎｉ－Ｚｎ－Ｃｕ铁氧体从烧结性质、结构与相组成、显微形貌、磁结构和磁性质（磁导率、品质因数及频谱）方面进行了研究，在此基础上分析了Ｂｉ掺杂对材料形成过程和磁化机制的影响，发现Ｂｉ对材料磁性能的改进所起的作用主要产生于它对材料显微结构（晶粒、晶界和气孔）的调制。     

Sr0.4Pb0.6TiO3基陶瓷晶界组成对热敏特性的影响

采用固相烧结工艺制备出了Sr0.4Pb0.6TiO3半导体陶瓷元件，其阻温特性具有独特的NTCR和PTCR复合效应，陶瓷室温电阻率及居里点以下的NTCR效应随着烧结温度的升高而提高，适当过量PbO则能降低陶瓷室温电阻率及其NTCR效应。利用XRD，SEM和EDS分别对样品的相结构，形貌及成份分布等进行分析。结果显示晶界中的Sr,Ti含量相对较高，而Pb含量相对较低，材料的阻温特性明显受其影响，铅挥发造成的阳离子空位是该类半导体陶瓷在居里点下出现NTCR效应的主要原因之一，同时探讨Y^3 离子掺杂（Sr,Pb)TiO3陶瓷的半导体机理和热敏特性。     

PNN—PT弛豫铁电陶瓷钙钛矿结构的形成及其介电性能

研究了０．７５ＰＮＮ－０．２５ＰＴ弛豫铁电陶瓷钙钛矿结构的形成及其介电性能，结果表明，通过添加过量镍可以有效抑制焦绿石相的生成，获得单相钙钛矿结构，从而获得优异的介电性能。     

高密度高压电性能陶瓷的研究

研究了以WO_3,CdO,Mn_2置换添加改性的Pb(Ni_(1/3)Nb_(2/3)_xTi_yZr_zO_3三元系压电陶瓷,这种陶瓷可以在1060℃—1160℃下烧成高密度高压电性能陶瓷。这种瓷料烧成温度宽,便于工艺控制是用于超声换能、高压发生、压电点火、引燃引爆等方面的理想陶瓷材料。借助XRD,SEM,STEM分析了材料的显微结构,并对材料的烧结机理进行了初步探讨。     

低电阻率的(Sr,Pb)TiO_3基PTCR陶瓷

低电阻率的（Ｓｒ，Ｐｂ）ＴｉＯ３基ＰＴＣＲ陶瓷（Ｓｒ，Ｐｂ）ＴｉＯ３ＰＴＣＲＣｅｒａｍｉｃｓｗｉｔｈＬｏｗＲｅｓｉｓｔｉｖｉｔｙ王德君郭淳桂治轮李龙土（清华大学，北京，１０００８４）ＷａｎｇＤｅｊｕｎＧｕｏＹｕｃｈｕｎＧｕｉＺｈｉｌｕｎＬｉＬｏｎ...     

B2O3蒸汽掺杂的中低温烧结Y-BaTiO3及其PTCR特性研究

通过B2O3蒸汽掺杂,Y-BaTiO3陶瓷的烧结温度大幅度降低．B2O3蒸汽掺杂后的样品,室温电阻率下降,升阻比提高．通过对氧化硼蒸汽掺杂样品的XRD分析研究表明,硼间隙可以在钛酸钡晶格中存在,硼间隙和／或相关缺陷络合物可以形成电子捕获中心,从而提高PTCR效应．     

直流偏压对PMZNT弛豫铁电陶瓷介电性能的影响

对PMN－PZN－PT系弛豫铁电陶瓷的直流偏压特性进行了研究,直流偏压使介电常数的最大值εmax下降,介电常数最大值对应的温度Tmax升高,频率色散受到压抑．同时使介温曲线变得平坦．应用冻结偶极子、慢偶极子的概念,对实验结果进行了分析．