大功率In(Ga)As/GaAs量子点激光器

利用分子束外延技术和 S- K生长模式 ,系统研究了 In As/Ga As材料体系应变自组装量子点的形成和演化 .研制出激射波长λ≈ 960 nm,条宽 1 0 0μm,腔长 80 0μm的 In( Ga) As/Ga As量子点激光器 :室温连续输出功率大于 3.5W,室温阈值电流密度 2 1 8A/cm2 ,0 .61 W室温连续工作寿命超过 3760小时     

“一”字型保偏光纤热应力致双折射分析

采用实验观测与理论模拟相结合的方法对“一”字型保偏光纤进行了研究。对保偏光纤的应力区与芯区的形状进行了观测,获得了它们的实际几何形状。在此基础上运用有限元方法分析了“一”字型保偏光纤内的热应力分布,解释了光纤芯区形变的原因,得到了由于热应力引起的光纤横截面的双折射的分布,并与相同应力区厚度的熊猫型保偏光纤进行了对比。实验结果表明,“一”字型保偏光纤采用熊猫型保偏光纤1/5的应力区面积便能获得较高的应力双折射。同时,通过研究径向压应力与温度变化对“一”字型保偏光纤应力双折射的影响,得到了光纤能稳定工作的压应力与温度环境。     

面向工程应用型人才的专业课程建设实践

随着高等教育越来越重视工程实际急需的应用型人才的培养.本文以我校电机与电器专业为例,从专业定位、培养目标及课程体系建设等方面介绍了面向工程应用型人才的专业课程建设实践,新课程体建设旨在以学生为本,面向工程实际需求,注重学生自主学习能力、实践能力与创新能力的培养.     

智能系统中场干扰分析与抗干扰措施

各种智能系统越来越普遍地应用于工业过程控制,但其抗干扰措施却是一个不容忽视的问题.本文从理论上分析了影响电场、磁场干扰强弱的各种因素,并对常见的两种抗干扰措施进行了阐述.     

基于多模型的联合目标跟踪与分类算法

针对现有的联合目标跟踪与分类算法不具备封闭解析形式、计算量大且缺乏模块化结构等特点,将预知的各类目标的多种模型联合起来,组成一个多模型集合,并在运动学传感器和属性传感器观测过程相互独立的前提下,对目标状态概率密度函数和目标类别概率质量函数同时进行贝叶斯推理,得出一种基于多模型的联合目标跟踪与分类算法。该算法由卡尔曼联合多模型滤波器和贝叶斯分类器组成,实现了跟踪器与分类器的模块化,提高了跟踪和分类性能,具有封闭解析形式,计算量较小,适合工程实时应用。通过仿真,证实了该算法的有效性。     

微杯电子纸及其后加工制程

SiPix利用独特的微杯(Microcup)结构和顶部灌注封装技术，通过连续整卷高速涂布的制程成功地制造出高性能的双稳性、装填电泳微粒的电子纸。SiPix可提供下列两种规格形式任意的EPD卷式成品：(A)用于有源矩阵EPD和直接驱动产品的可剥离保护膜／已灌装及密封的Microcup／无图案导体膜夹层卷；及（P）用于无源矩阵的行导体膜／已灌装及密封的Microcup／列导体膜夹层卷。已经开发出将EPD卷制成不同的显示模块或产品的简单的后续加工制程。     

光纤表面等离子体波共振温度传感器的研究

根据液体折射率随温度变化而改变的特性，提出了一种基于表面等离子体波共振(SPR)效应的新型光纤温度传感器，分析了表面等离子体波共振光纤探头感应环境温度变化的原理。对表面等离子体波共振探头结构进行了优化设计，并进行了相关实验，为实现高折射率液体介质的感温测试和扩大测温范围提供依据。通过自行设计的一套光纤温度传感测试系统，得到系统输出的表面等离子体波共振光谱信号随温度变化的特性曲线，并提出对共振波长和最小光强反射率进行实时双参数测量的方法。实验结果表明，该测试系统具有结构简单、全光纤化、易远程测量等优点。     

龙血竭胶囊治疗下肢静脉曲张性溃疡的疗效观察

1　材料与方法　　自 2 0 0 0年 3月至 2 0 0 3年 7月我科共收治 5 4例下肢静脉曲张性溃疡患者 ,依据来诊的时间次序随机分为两组。两组患者治疗前均进行肝功、肾功、血脂、血糖及血常规检查 ,排除其他疾病因素所致溃疡。观察组 2 7例 ,男 16例 ,女 1l例 ,年龄 3 5 -71岁 ,平均 5 3岁 :病程最短 6个月 ,最长 2年。对照组 2 7例 ,男 14例 ,女 13例 ,年龄 42 -69岁 ,平均 45 .5岁 ,病程最短 6月 ,最长 3年。两组相对应的各种情况比较无显著性差异 (P >O .0 5 )　　两组用药前均用强力碘消毒溃疡周围皮肤 ,用生理盐水清洗溃疡面 ,观察组清洗溃…     

双积分A/D转换器的量程自动转换

介绍了一种双积分式A/D转换器在宽范围量程测量中的自动量程转换技术.在测量仪表的输入通道中,用计数器对双积分型A/D转换器本身所固有的过量程/欠量程信号计数,计数器的输出作为量程编码去控制量程的选择,同时又是送到CPU的量程指示信号.该技术扩大了A/D转换量程,提高了精度,设计简单,工作可靠.     

分子束外延低温生长GaAs缓冲层及性能研究

用国产分子束外延设备(Ⅳ型),在低温(200—300℃)下生长了GaAs,AlGaAs和GaAs-AlGAs超晶格。本文着重提出对在低温生长GaAs缓冲层上生长优质GaAs有源层,尤其对缺陷和杂质很敏感的高电子迁移率晶体管结构材料进行研究。