光电比浊法测定硼酸中硫酸根

研究在酸性介质中,利用BaSO4胶体悬浮液的稳定性,通过光电浊度仪测定硼酸中微量硫酸根的方法。稳定剂选用丙三醇-乙醇(1∶4,V/V)混合试剂,沉淀剂为酸性BaCl2溶液。通过采用手动振荡,并对待测液加热,使试剂的加入顺序对结果无影响。讨论了稳定剂的选择及用量、酸性BaCl2溶液用量、预热温度、测量时间对测量浊度的影响,从而确定了测试的最优条件。方法的检出限为0.10 mg/L,相对标准偏差(RSD)小于0.03%,回收率在95.0%~110.3%之间。硫酸根浓度在0.33~0.83 mg/L范围内与浊度     

籽晶诱导法制备YBaCuO超导圆环

用熔融织构生长法制备了YBaCuO圆环,其尺寸为：外径58mm,内径42mm,高12mm。圆环外形规则无裂纹。X射线衍射分析和扫描电镜（SEM）观察表明YBaCuO超导圆环具有良好取向。圆环通过30A电流时仍然处于超导态。     

Corrosion Process and Surface Protection for YBCO Superconductor

１ＩｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎＴｈｅＹＢＣＯｓｕｐｅｒｃｏｎｄｕｃｔｏｒｒｅａｃｔｓｖｅｒｙｅａｓｉｌｙｗｉｔｈｍｏｉｓｔｕｒｅａｎｄｃａｒｂｏｎｄｉｏｘｉｄｅｉｎｔｈｅａｉｒｔｏｆｏｒｍａｌｋａｌｉ．Ｔｈｉｓｒｅｄｕｃｅｓｔｈｅｓｕｐｅｒｃｏｎｄｕ...     

用于涂层导体的Ag/立方织构Cu复合基带的制备

通过二次冷轧铜棒并850℃恒温热处理,制备出具有较强立方织构的Cu基带。以硝酸银、亚硫酸钠和硫代硫酸钠为主要原料配制镀银液,在立方织构Cu基带上制备出具有较强Ag(200)择优取向的银镀层。在600℃恒温热处理30min后Ag膜仍具有(200)择优取向,而830℃热处理后,Ag会扩散到Cu基底中,重复镀银、热处理5次后,Ag膜具有(200)的择优取向并少量面内织构,所得Ag/立方织构Cu复合带材可作为第二代高温超导带材YBCO涂层导体的金属基底。     

MOD法在La0．47Sr0．53TiO3／LaAlO3沉积YBa2Cu3O7-σ超导层的研究

实验通过无氟的金属有机物液相沉积法在单晶LaAlO3（LA0）基底上生长La1-xSrxTiO3缓冲层,之后在其上生长YBa2Cu3O7-σ（YBCO）超导层,这种制备方法与真空沉积法和三氟乙酸金属有机物沉积法相比,具有成本低、效率高和环境友好等优点,对YBCO涂层导体的实际应用更具有研究价值。X射线衍射（xRD）结果表明,在LAo基底上生成了纯净的La1-xSrxTiO3膜,在La1-xSrxTiO3／LAO结构上生成了单相的YBCO膜,构成两种膜的晶粒均具有沿垂直于基底表面的C轴方向择优生长;通过半定量的能谱分析（EDS）确定缓冲层La1-xSrxTiO3为La0.47Sr0．53TiO3相,表明部分La元素挥发;扫描电子显微镜（SEM）结果表明在LAO基底上生成的La0.47Sr0．53TiO3膜平整光滑;在La0.47Sr0.53TiO3／LAO结构上生长的YBCO成膜颗粒聚集成片状,相互叠加生长,形成平行于基底表面的超导层。     

热处理对立方织构Ni-5%(体积分数)W基带上Ag薄膜择优取向的影响

采用磁控溅射法在立方织构Ni-5%(原子分数,下同)W基底上沉积了Ag薄膜作为第二代高温超导带材--YBaCuO涂层导体的导电缓冲层,并通过后期在Ar气氛下热处理使Ag膜具有(200)择优取向.磁控溅射后Ag膜的择优取向为(111),随着热处理温度的升高,(200)择优取向强度增加.采用慢降温工艺即在900℃下恒温30min,然后以较慢的速率10℃/h降至800℃后样品随炉冷却,有利于Ag薄膜由(111)向(200)的择优生长转变.     

金属有机沉积法制备SrTiO3薄膜

采用金属有机沉积( MOD)法制备了SrTiO3 (STO)外延薄膜作为YBa2Cu3O7-δ涂层导体的缓冲层.以乙酸锶、钛酸丁酯为前驱物配制了Sr离子浓度为0.125 mol ·L-1的SrTiO3前驱溶液.研究了950℃下不同烧结时间(90、120、150 min)对在双轴织构的Ni -W(200)金属基带上沉积S...     

电沉积制备CuCo颗粒膜微观结构和巨磁电阻效应研究

采用电化学的方法在半导体Si表面沉积了CuCo颗粒膜.研究了膜层电沉积过程中颗粒膜生长的显微结构及热处理过程颗粒膜元素的分布情况.经过450℃退火处理1h后Cu80Co20薄膜GMR达到最大值,随着温度的升高膜层的电阻率也随之下降.面扫描元素分析和XRD分析表明经过退火处理膜层中出现Co粒子的析出,出现了局部富钴的区域.磁阻测量表明此时有利于提高膜层的GMR值.更高温度的退火处理使GMR值降低.磁性能测量发现随着退火温度的提高膜层的饱和磁化强度Ms、矫顽力Hc和剩余磁化强度Mr也随着变大.