光电比浊法测定硼酸中硫酸根

研究在酸性介质中,利用BaSO4胶体悬浮液的稳定性,通过光电浊度仪测定硼酸中微量硫酸根的方法。稳定剂选用丙三醇-乙醇(1∶4,V/V)混合试剂,沉淀剂为酸性BaCl2溶液。通过采用手动振荡,并对待测液加热,使试剂的加入顺序对结果无影响。讨论了稳定剂的选择及用量、酸性BaCl2溶液用量、预热温度、测量时间对测量浊度的影响,从而确定了测试的最优条件。方法的检出限为0.10 mg/L,相对标准偏差(RSD)小于0.03%,回收率在95.0%~110.3%之间。硫酸根浓度在0.33~0.83 mg/L范围内与浊度     

Q235钢固体粉末渗硼及渗层生长动力学行为

各类材料渗硼工艺不同,硼的扩散也不同,其中有许多现象往往不能定量分析.采用固体粉末法对Q235钢进行了渗硼,得到的渗硼层为锯齿状,垂直于钢表面楔入基体.用sigma Plot 10.0软件对试验数据进行了分析和拟合,得出了渗硼层等厚度图,为制定渗硼工艺提供了依据:利用此图,既可以对设定的渗硼时间和温度预测渗硼层厚度,又可以用一定的固体渗硼厚度值确定渗硼时间和温度.通过动力学研究得到了渗层相组成为单一的Fe2B相硼,在不同温度下的扩散速率常数:K800℃=1.074×10-13m2/s,K850℃=1.622×10-13m2/s,K900℃=3.921×10-13m2/s,平均扩散激活能为134.473 kJ/mol.     

超导化合物YBa_2 Cu_3 O_x定向反应合成过程的动力学初探

借助测量Y_2Cu_2O_5-BaCuO_2混合物样品电阻的变化,研究了定向反应合成YBa_2Cu_3O_x超导化合物固相反应的动力学。反应遵循 其中α_t——t时刻的反应分数; k——反应速度常数。 研究确定反应过程是化学反应控制,反应激活能为893 kJ/(mol·K)_0Y_2Cu_2O_5-BaCuO_2二元系反应完成时间可表示如下: 1nt_1=-89.25+108781/T 对定向反应合成过程和由Y_2O_3-BaCO_3-CuO三元系混合物的合成过程的反应完成时间进行了比较。     

三元系冶金渣导热系数的研究

以高炉渣的主要成分CaO-Al2O3-SiO2三元渣系为研究对象,用瞬态热丝法,研究此体系下温度及组成对导热系数的影响.研究结果表明,在低温区,导热系数随温度的升高而呈直线形式略有增加;在高温区,导热系数随温度的升高而迅速降低,且导热系数随组分中非桥氧NBO/T数的降低而增大.     

x变化对Nd1＋xBa2—xCu3Oy结构与性能的影响

用X-ray衍射方法研究了不同x值对烧结Nd1 xBa2-xCu3Oy样品衍射图谱的影响规律，对不同Nd422相加，入量的烧结及区域熔炼Nd1 xBa2-xCu3Oy超导体进行了X－ray粉末衍射并测量了各样品的Jc值，对比结果表明，Nd422相的加入会使Nd1 xBa2-xCu3Oy中的x值增大并影响Jc。对取代与Nd1 xBa2-xCu3Oy超导体性能的关系做了初步的探讨，认为，取代的作用是双重的，Nd123之所以具有很好的Jc-B特征，正是Nd-Ba取代的作用使然；适量的取代对改善样品的性能是有好处的，因此研究的目标应是寻找最佳的取代量。     

化学法在Ni-W基带上制备Ag缓冲层研究

在双轴织构的Ni-W基带上,采用化学镀银法为YBa2Cu3O7-δ（YBCO）涂层导体制备Ag缓冲层薄膜,并通过XRD和φ扫描研究烧结温度和镀银次数对Ag薄膜取向的影响。结果表明,在Ar-H2混合气氛下,于870℃镀银5次所制备的薄膜具有（200）晶面单一取向;采用化学法制备的Ag薄膜有较好的外延性,且适用于涂层导体中的单一导电型缓冲层。     

镁合金在金属置换镍膜上的化学镀镍

在镁合金表面上通过置换反应制备了一层均匀的镍金属膜,它可以使镁合金基体免于被化学镀液过度腐蚀,同时为化学镀提供了具有反应活性的表面,然后在其上进行化学镀镍.镍金属膜的制备工艺对环境无害,减少了化学镀过程对镁合金基体的浸蚀损耗,提高了其镀膜精度,可延长化学镀液寿命,并简化了工艺过程.通过扫描电镜、辉光放电光谱仪、电化学动电位极化测试,表明所得到的镍金属膜和化学镀层性能良好,化学镀层耐蚀性有明显提高.     

磁场影响下的电沉积

综述了近年来国内外磁场下电沉积研究的些进展情况,如磁场对镀液性能及镀层表面状态、微观结构、合金组成等的影响;指出磁场能控制电结晶生长方向,可以获得特定功能的镀膜.展望了该领域的发展前景及在未来研究中应解决的问题.     

化学法在Ni-5%W基底上制备Gd掺杂CeO_2膜

用化学法在Ni-5%W基底上制备Gd掺杂Ce O2膜。以乙酸铈((CH3CO2)3Ce(III))、硝酸钆(Gd N3O9)为起始原料,按照阳离子Ce3+:Gd3+为4:1的比例溶解于丙酸(C2H5COOH)中制成前驱液。将前驱液旋涂在Ni-5%W基底上,在4%H2/Ar气氛下进行1100℃热处理,形成立方织构的Gd掺杂Ce O2膜。采用XRD和SEM对不同旋涂转速工艺制备的Ce O2膜进行晶体结构和微观形貌的检测和分析。以总阳离子浓度为1.2 mol/L前驱液经过3000 r/min,60 s的涂覆工艺,经过二次涂覆和1100℃热处理的Ce O2膜结晶程度高,无裂纹,有立方织构。Ce3+在4%H2/Ar还原性气氛里可以转变为Ce4+。