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42.
硼酸的生产应用现状及市场前景 总被引:1,自引:0,他引:1
介绍了当前硼酸的生产概况和应用现状,并结合实际提出了今后的发展前景。各国硼矿资源各有特点,其生产硼酸的方法也不尽相同,但以酸法为主。硼酸在玻璃工业、陶瓷、机械、电子、医药、农业、国防及现代科学技术领域有着广泛应用。未来世界硼工业将向集约化、规模化、精细化方向发展。高附加值的硼精细化工产品、新型含硼材料,专用(医药、试剂、照相、反应堆)级别的高纯或无水硼酸将有更为广阔的发展。 相似文献
43.
以Ni合金为基底的YBCO涂层导体具有三明治结构,从下至上分别是:Ni合金、缓冲层、YBCO涂层与稳定层.在实用超导薄膜内部,局域超导电流由于晶粒弱连接、缺陷或裂纹等原因突然消失的情况下,一旦能量耗散超过临界值将会导致超导薄膜失超.在典型的YBCO涂层导体结构中,由于缓冲层是绝缘的氧化物,只能通过顶层的Ag或Cu稳定层的分流来实现电流传输方向的调整.如果在YBCO与正常金属基底之间存在连续的导体连接,即缓冲层导电,就可以不需稳定层,减少涂层导体的整体厚度,提高工程临界电流密度JE.如果钙钛矿导电缓冲层均匀无裂纹且足够厚,就可以起到隔离、外延、电流传输三重功效,同时提高JE.采用全化学溶液法制备了具有(00l)择优取向的BaPbO3,La0.5Sr0.5TiO3钙钛矿导电缓冲层与YBCO涂层,对于探索低成本的实用化工艺路线具有重要的实际应用价值. 相似文献
44.
采用硫酸酸化中和硼砂反应制备硼酸,并结合重结晶法与离子交换树脂法,可提高硼酸产品的质量.中和反应后的溶液主要为H3BO3-Na2SO4-H2O体系,通过对体系结晶动力学的实验研究,得出了体系中硼酸结晶的最优实验条件,为高纯硼酸的制备提供实验依据.通过对体系中硼酸结晶过程影响因素的研究发现,硼酸的结晶主要受溶液过饱和度、结晶温度、结晶时间、搅拌速度及溶液中所含杂质等因素影响.实验证明,对于H3BO3-Na2SO4-H2O体系,在其它反应条件不变的情况下,浓度增大,结晶时间延长,选取适当的结晶温度和搅拌速度有利于硼酸析晶.相对于H3BO3-H2O体系,H3BO3-Na2SO4-H2O体系中所含的Na2SO4抑制了硼酸的析晶.由实验数据得到H3BO3-Na2SO4-H2O体系中硼酸的结晶动力学曲线,并建立结晶动力学方程. 相似文献
45.
目的 采用稀土氧化物(Re2O3)进行弥散强化,探讨稀土氧化物种类及掺量对复合材料的性能影响,提高Ag基复合材料的熔化温度和力学性能.方法 通过化学共沉积制取了Re2O3/Ag复合粉体,并在35 MPa下压制成型,进而在氩气保护下850℃高温烧结.制备出稀土氧化物弥散分布的银基复合材料样品,并对其熔化温度、力学性能等指标进行测试.结果 Y2O3掺量为4%时可获得最大的溶化温度为975℃,掺量为1%时可获得最大的抗拉强度.延伸率随Re2O3质量分数的增加而下降.结论 Re2O3弥散强化Ag基复合材料的熔化温度、力学 性能较纯Ag有所提高,可作为OPIT工艺的包套材料. 相似文献
46.
采用金属有机沉积(MOD)法制备了SrTiO3(STO)外延薄膜作为YBa2Cu3O7-δ涂层导体的缓冲层.以乙酸锶、钛酸丁酯为前驱物配制了Sr离子浓度为0.125 mol.L-1的SrTiO3前驱溶液.研究了950℃下不同烧结时间(90、120、150 min)对在双轴织构的Ni-W(200)金属基带上沉积STO外延薄膜晶体取向和微观形貌的影响.结果表明,在950℃氩氢混合气氛(Ar-4%H2)下适宜于STO薄膜外延生长的最佳烧结时间为120 min;STO缓冲层薄膜表面平整致密,无裂纹和孔洞,具有良好取向,可作为YBa2Cu3O7-δ涂层导体的缓冲层. 相似文献
47.
在恒定温度下对区域熔炼的YBaCuO晶体在空气及纯氧气氛下的吸氧过程进行了研究,表明该过程可以分为两个阶段,即化学反应控制阶段和扩散控制阶段。其动力学方程分别为 用阿累尼乌斯公式计算了激活能,同时讨论了高取向YBaCuO晶体吸氧热处理工艺。 相似文献
48.
49.
采用粉末装管法(PIT)制备了YBaCuO/Ag包套复合带材。通过低氧分压熔融织构工艺降低YBaCuO/Ag带材的热处理温度至940℃,低于Ag的熔点961℃。YBaCuO/Ag带材中氧化物芯在(001)方向稍有取向。在相同的热处理条件下,相对于溶胶凝胶法(sol-gel)YBaCuO粉末和固相反应法制备的150目YBaCuO粉末,固相反应法制备的250目(<40μm)YBaCuO粉末填充的带材样品临界点流密度厶值较大。超导带越薄,样品的临界电流密度越大,250目粉末装管的YBaCuO/Ag带材吸氧100h后Jc值达2392.3A/cm^2。 相似文献
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