气相合金化制备镁锌二元合金的研究

通过对粗镁、粗锌同时蒸发产生的高温金属蒸气流,经高温下的气态混合和300~350℃冷凝后得到较纯净的镁锌二元合金,并对不同时间段的冷凝产物进行显微组织和能谱分析,其结果表明:冷凝产物的组织不同于传统凝固态组织,冷凝初期形成了细长的柱状晶;且随着时间的延长,发生了元素间的扩散,柱状晶局部熔断,出现低熔点的固溶体,在随后的冷却过程中,形成了圆整度较好的α-Mg固溶体以及细小的Mg_7Zn_3化合物与α-Mg的共晶体组织。     

新型半连续电内热法竖式炼镁炉的研制

针对原镁生产过程中存在的技术水平低、能源消耗大、环境污染严重等共性技术难题,研究并设计了新型半连续电内热法竖式炼镁炉。该炉型具有竖式大容积炉体、多热源发热体内部加热、自动控制实现机械化作业和电能加热等特点。试验结果表明,其具有高能效、高效率、低污染等优点。     

新型煤气化炉内温度场影响因素研究

采用电热还原的方法将固体煤转化为可燃气体（煤气），为煤的气化提供了一条新思路．通过研究煤新型气化炉内温度场的成因以及各因素对温度场的影响，获取了不同高度空间温度场的主控因素．实验结果表明，气化功率、煤的种类、集气罩材料和排气速率等对气化炉内温度场均有较大影响；气化炉内的炉表近区域温度场主要由辐射场控制，集气罩近区域温度场受对流场控制．研究成果为煤新型气化温度场控制和气化炉经济密封高度的选择提供了依据．     

模板法SiC中空球制备及其净化再生性能

以聚乙烯球为模板,用反应烧结法制备了SiC中空球,用SEM、XRD、煮沸法、伏安法等表征了其物相组成、显微结构、气孔率和电阻率,讨论了中空球及其微孔形成机理,研究了其在电加热时对柴油机尾气中的颗粒的净化效果和再生性能.结果表明,SiC中空球由中空的内核和外壳构成,壳层约厚300 μm,壳层上布满微气孔,孔径约80～120 nm,其物相组成α-SiC、β-Sic、C、SiO2和Si组成,其外壳微孔和内壳中空孔结构对尾气中的颗粒具有良好净化效果,利用优异的电加热性能,使过滤器能处于持续的净化再生状态,180 min时净化效率可达96％以上.     

SiC产业多联产关键技术及其应用与Matrix区域的变化

针对我国SiC产业的技术现状和面临的形势,提出用多热源生产SiC新技术生产高性能SiC新材料,回收并利用其副产品CO为主的气体生产多种化工产品或发电,走资源综合利用的煤-SiC新材料-CO气-化工产品(电)多联产之路,彻底改变行业落后现状,实现可持续发展.     

对苯二甲酸二甲酯成孔剂对β-SiC超精油石性能影响研究

以β-SiC微粉为原料,陶瓷结合剂为粘结剂,对苯二甲酸二甲酯(DMT)为成孔剂,采用无压烧结工艺制备出性能优异的新型超精油石,研究了DMT含量对β-SiC超精油石气孔率、孔隙结构、力学性能及微观组织结构的影响.结果表明:当DMT添加量为4wt％时,油石气孔率为53.4％,气孔尺寸主要为2～4μm,占比孔隙体积78％,抗弯强度为21.5 MPa,洛氏硬度为55.9 HRH,冲击韧性为1.21 kJ/m2,气孔孔径细小且呈弥散均匀分布.该油石在金属表面尤其是轴承沟道磨抛加工过程中,可高效率的获得光洁度高、拉丝纹路均匀的产品表面.     

热还原法炼镁的技术现状及进展

综述了热还原法炼镁工艺的特点,分析了硅热法存在的问题,介绍了我国皮江法炼镁工艺技术的发展状况,提出了一种内热法炼镁的新思路。     

皮江法炼镁工艺还原罐内温度场研究

通过对皮江法炼镁工艺还原罐内传热介质的物性参数分析、物料传热分析、温度场的计算机模拟,研究了还原罐内热量传递规律和温度场分布规律,得出了皮江法还原罐内热量传递速率决定还原时间和生产效率的结论,并提出了改进我国皮江法炼镁工艺技术的思路。     

钙镁复合氯盐对β-SiC整形的影响

碳化硅材料用途十分广泛,为了制备高性能碳化硅材料,粉体的质量是关键,其中机械整形法是最常用的一种方法,但整形效果较差.采用化学整形法研究了熔盐体系钙镁复盐对碳化硅粉体晶体形貌、粒度分布、D50、D90等特性的影响.结果表明:MgCl2-CaCl2熔盐体系对β-SiC粉体晶体有长大作用,随保温温度的升高,晶粒形貌由层状结构向柱状结构过渡,D50表现为增大,D90也表现为增大;随保温时间的延长,晶粒形貌由细小颗粒向大颗粒过渡,D50和D90均逐渐变大.     

SiC／Al基电子封装复合材料的无压浸渗法制备与热性能研究

用网格堆积法制备SiC多孔陶瓷,以此作为增强体,用无压浸渗工艺制备45%～65%体积分数的SiC/Al基电子封装复合材料,测定25～300 ℃热导率和热膨胀系数.实验结果表明,增强体经高温氧化处理后能显著的改善SiC/Al的浸润性能;提高浸渗温度和延长浸渗时间可以改善浸渍效果,浸渗温度在1 050 ℃,浸渗时间5 h浸渗效果最好;Mg是促进浸渗的有利因素,可有效改善铝在增强体内的渗透深度.该工艺制备的SiC/Al复合材料,热膨胀系数较经典模型计值低,热导率达189 W(m·K),可以较好的满足电子封袋材料的要求.