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采用静电纺丝法制备出了高长径比的立方相In2O3纳米线。将In2O3纳米线置于NH3气流中进行原位氮化反应,合成得到了高质量的InN纳米线,转化率高达100%。通过调节氮化反应的温度及时间,系统研究了制备InN纳米线的最佳合成工艺参数。利用这种方法得到的氮化铟纳米线具有长径比高、直径分布单一、纯度高以及产量大的特点,为今后InN纳米器件的大规模制备和应用提供了一个有效的途径。 相似文献
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采用静电纺丝法制备了Cr掺杂ZnO纳米纤维,通过DSC-TG、Raman和SEM等表征了纳米纤维的热学性质、物相和微观形貌,并测量了所制备纳米纤维的低温氧敏性能。研究了煅烧温度和Cr掺杂含量对纳米纤维低温氧敏性能的影响。结果表明:所制备的纳米纤维直径均匀,表面光滑;在600℃煅烧的1%Cr掺杂含量的ZnO纳米纤维具有最佳的低温氧敏性能,并分析了各因素的影响及其可能的机理。 相似文献
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采用Pechini法制备Ca(Mg1/3Nb2/3)O3(CMN)及CaTiO3(CT)前驱体溶液,用液相旋涂技术按照一定的排布方式制备了总厚度相同而异质界面数不同的CMN/CT异质结构介电薄膜。研究表明:无论是CMN还是CT,其同质层间均会由于前一层的籽晶作用而产生粗糙度的累积,从而对其相结构、微观形貌和介电性能产生不利影响。异质层间的晶格失配可以消除这种粗糙度累积效应,改善薄膜的相结构和微观形貌。随着薄膜中异质界面数的增加,获得了结晶较好的单一钙钛矿结构异质薄膜,薄膜表面粗糙度降低,介电性能得到提高。 相似文献
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