用Cr/Au/Ni/Au制备n-GaN欧姆接触

为了获得n-GaN的低接触电阻的欧姆接触,采用Cr/Au/Ni/Au金属化系统与n—GaN形成欧姆接触,并对其不同温度下的接触电阻率进行了测试分析.室温下Cr/Au/Ni/Au的接触电阻率为0.32mΩ·m2。随着温度的升高,接触电阻率略有增加,在300℃时接触电阻率为0.65mΩ·cm2,因此此欧姆接触适合在高温下使用.     

集成电路设计实践教学平台建设的研究

通过对北京工业大学集成电路设计实践教学定位的分析和研究,得出集成电路设计实践教学平台应兼具系统全面性、工程实践性和工具先进性等特点。并在此基础上,初步构思了一套围绕着SOC产品的集成电路设计平台。该平台定位于使学生掌握较为全面的数模混合电路设计技术,充分培养学生的工程意识,并和企业界、工业界的最新需求、最新技术实现对接。     

厚煤层综放工作面煤壁片帮机理及防片帮技术研究与应用

为解决15109工作面回采过程中煤壁易片帮的问题,通过对厚煤层煤壁片帮机理的具体分析,提出采用优化采煤工艺+煤壁注浆的防片帮技术,结合工作面的具体情况对防片帮技术的各项参数进行具体设计,并进行效果监测。结果表明:15109工作面采用煤壁防片帮技术后,工作面煤壁的片帮深度减小60%,煤壁片帮的长度减小了50%,有效的保障了工作面煤壁的稳定。     

静态破碎剂力学性能研究及在端头悬顶中的应用

针对石港煤业公司15203综采工作面回采巷道端头后方顶板不易垮落的问题,采用静态破碎的方法来缩短悬顶距离,通过实验,确定了静态破碎的各项参数,在石港煤业公司15203综采工作面回采巷道端头顶板应用后,取得了良好效果。     

季申矿床使用充填法分层开采的经验

季申矿床为露天一地下联合开采，露天坑底下部保安隔离矿往被露天矿采除，矿区构造破坏现象普遍，矿山地质条件极其复杂。为保持矿山设计生产能力，将地下矿上部5个阶段矿体分为两个矿层同时开采；中间的一个阶段留作层间矿柱，最后开采。文章详述了两个矿层和层间矿柱的回来工艺；并详细阐述了为开采下部矿体设计的串联式连续分段矿房回来工艺。     

串联埋管疏排采空区积水技术在李家塔煤矿的应用

随着采空区面积的增大,采空区积水越来越多,为了疏排李家塔煤矿采空区积水,利用地层分析法和导水裂缝带预计方法,分析了矿井涌水的主要水源构成,查清了采空区积水的来源。采用工作面串联埋管的方式疏排采空区积水,解决了矿井的主要水害问题,保证了矿井的安全生产。     

CCD纵向抗晕结构设计与优化

为了抑制CCD图像传感器在强光照射时出现光晕和弥散现象,建立了CCD纵向抗晕结构模型,运用半导体器件数值模拟软件MEDICI,对建立的纵向抗晕CCD器件结构进行数值计算。结果表明：1PW层杂质浓度越低,电势越高,则电子势垒越低,则导入衬底的过量载流子越多,对应的抗晕能力越强。得到了CCD纵向抗晕结构的一种优化结构。     

二氧化氯对水中锰离子去除的试验研究

通过氧化/混凝工艺静态模拟试验,考察了二氧化氯对水中锰离子去除的情况及其影响因素。试验表明,二氧化氯投加量、原水pH值、水中锰离子的初始浓度、预氧化时间和混凝剂投加量对除锰都有很大的影响。当原水锰离子质量浓度为5 mg/L时,氧化剂预氧最佳pH值为7~9,二氧化氯最佳投加量分别为10 mg/L,二氧化氯最佳预氧化时间分别为40 min,最佳混凝剂的投加量分别为2mg/L。二氧化氯对锰离子的去除率分别为90.8%     

CCD制造的关键工艺

CCD(电荷藕合器件)是一种在硅集成电路工艺线上制作的图像传感器．介绍了CCD的基本工作原理和制造的单项工艺,并详细介绍了其关键工艺：氧化、光刻、离子注入,还对各工艺所遇到的问题、相应的解决方法及发展状况进行了阐述。     

CCD制造的关键工艺

CCD(电荷藕合器件)是一种在硅集成电路工艺线上制作的图像传感器.本文介绍了CCD的基本工作原理和制造的单项工艺,并详细介绍了其关键工艺:氧化、光刻、离子注入,还对各工艺所遇到的问题、相应的解决方法及发展状况进行了阐述.