应变硅PMOSFET中应变的LACBED研究

本文报道了应变硅p型金属氧化物半导体场效应晶体管(PMOSFET)沟道中的局部应变的大角度会聚束电子衍射表征.由于源和漏极区预非晶化锗离子注入工艺在源漏区引入了大量的缺陷,导致在截面电镜样品中存在切应变.利用大角度会聚束电子衍射(LACBED)测量了沟道区的压应变和切应变,并讨论了沟道区产生巨大压应变(2%以上)的原因.     

面向云制造的制造资源模型研究

通过分析云制造系统的运作模式和体系结构,得出了制造资源在云制造系统中的地位和作用,然后在此基础上提出了面向云制造系统的制造资源数据模型。结合云制造的特点,通过对资源数据模型的分类信息、对象信息和属性信息3个层次的信息描述,建立了制造资源数据的三维模型,该模型支持云制造系统中的制造资源构建、制造资源封装、制造资源能力模型构建以及资源评价等。     

CexSi1—x／Si应变层超晶格的横截面电镜样品中的弹性驰豫

迭加有样品阴影像的大角度会聚束电子衍射花样可以用来研究样品中局部应变。在本文中作者利用大角度会聚束电子衍射技术测量并模拟计算了ＧｅＳｉ／Ｓｉ应变层超晶格的横截面电镜样品中的弹性弛豫和样品厚度的关系。     

AAF规范下特技定义扩展实践

随着科技的进步,计算机软硬件及网络技术水平不断提高,影视节目生产的各个环节越来越依赖计算机信息技术。以非线性视频编辑系统为代表的计算机信息系统已经广泛运用在影视节目制作中。非线性视频编辑系统中最重要的一个元素是故事板工程,故事板工程是节目资源、编辑结果和特技效果的集合。在不同的非线性视频编辑系统中,故事板工程的组织和存储方式都不同,互不兼容,为节目工程的共享设置了障碍。为解决此问题,AAF规范应运而生。AAF规范着力解决统一节目故事板工程,实现节目工程的共享。特技定义是AAF规范中的一部分,本文探讨在AAF规范下特技定义的扩展实践。     

一种新型的CMOS电流反馈运算放大器

电流反馈运算放大器在高速高频电子领域有广泛的应用，但目前市场上流行的基于互补双极性结构的电流反馈运算放大器的电源电压和功耗都较高。文章主要在文献[1～3]基础上设计了一种新型的CMOS电流反馈运算放大器，使用0．51μmCMOS工艺参数（阈值电压为0．7V），模拟结果获得了与增益无关的带宽、极大的转换速率。电路参数为：81db的开环增益、87度的相位裕度、123db共模抑制比，以及在1．5V电源电压下产生了约6．2mW的功耗。     

混凝土搅拌运输半挂车前后台的优化设计

本文介绍了混凝土搅拌运输半挂车前后台的设计.通过运用有限元对前后台结构刚强度分析和轻量化优化设计,整车设计更为合理.     

FMS用成组夹具CAD——QB—FMS用CAGFD系统

本文简述了FMS用夹具的特点及其对FMS有效运行的重要意义;介绍了一种遵循成组技术(GT)原理,将夹具结构合理化与设计手段现代化溶为一体的最优化的夹具设计方法——计算机辅助FMS用成组夹具设计,并列举了成组夹具CAD的图例。     

0.5umCMOS工艺参数电流反馈运算放大器

电流反馈运算放大器在高速高频电子领域得到广泛的发展,但目前市场上流行的基于互补双极性结构的电流反馈运算放大器电源电压和功耗都较高。本篇论文主要在文献1、2、3基础上设计了一种新型的CMOS电流反馈运算放大器,使用0.5umCMOS工艺参数(阈值电压为0.7v),模拟获得了与增益无关的带宽、极大的转换速率以及在1.5V电源电压下产生了约6.2mW的功耗。     

航天CCD相机辐照测量技术

CCD探测器是一类高灵敏度光电器件,其作为关键元器件在航天CCD相机上有着广泛的应用,但是它易受空间辐射的影响而造成性能退化和工作异常.分析CCD探测器的辐射效应机理并制定相应的防护对策,既是当前可靠性提高的基础,也是今后高性能航天CCD相机发展的必然要求.文章分析了空间辐射效应机理对CCD探测器产生的影响,更进一步对...     

基于双吸收结构的谐振腔增强型光探测器

为了实现对传统谐振腔增强型（RCE）光探测器的优化,提出了一种具有双吸收结构的RCE光探测器。首先从理论上分析了它的量子效率和高速响应特性,然后将其与传统的RCE光探测器进行了比较。结果表明,双吸收结构RCE光探测器在保持高速响应特性的基础上,其量子效率较传统RCE光探测器得到了进一步提高。实验上成功制备了双吸收结构的...