基于Pro/E装配工装自动生成工程图功能的开发

利用Pro／E的Toolkit二次开发功能生成用户参数,刷新定制模板的重复区域,生成明细表,同时利用模板来生成相似零件工程图,自动生成工程图中的特殊符号。     

（001）SrTi03衬底上的Ba0．7 Sr0．3 Ti03／YBa2Cu3O7—δ外延生长薄膜的界面结构研究

本文利用透射电子显微学和高分辨电子显微学研究了SrTiO3衬底上的Ba0.7 Sr0.3 TiO3／YBa2 Cu3 O7-δ(BST／YBCO)外延薄膜的界面结构，结果表明在BSt/YBCO界面形成了阶梯(step-terrace)结构，同时BST外延膜生长良好。在YBCO薄膜表面形成梯形结构后，也可能按照台阶生长(step-flow)模式生长出完好的BST薄膜。     

深基坑锚杆支护施工

岩土深坑锚喷网支扩,是近年来国内外应用较广泛的一项实用新技术,它是将锚杆锚喷网与基坑滑裂面以外的土体连成的一个整体,承受主动土压力、水压力,利用岩土的锚固力,以维持边坡土不能滑移,保证被锚固体的稳定的一种最为可靠实用新工艺。本工法总结了我们在工程支护中利用钢筋作为锚杆主体的施工操作方法。     

暗场电子全息技术及其在应变分析中的应用

暗场电子全息是近年来出现的实验技术,是测量半导体器件中应变分布的有力手段。它将莫尔技术与离轴电子全息结合起来,具有空间分辨率高、视场范围大、精确度高、结果直观等优点。本文简要介绍了该技术的原理、实验方法和应用。     

GaAs（100）衬底上自组织生长InAs量子点的研究

本文利用在ＧａＡｓ（１００）衬底上自组织生长超薄层ＩｎＡｓ的方法得到了ＩｎＡｓ量子点结构．当ＩｎＡｓ的覆盖度小于１．７ＭＬ（Ｍｏｎｏ－Ｌａｙｅｒ）时，ＩｎＡｓ层仍保持二维生长模式，而当ＩｎＡｓ的覆盖度大于１．７ＭＬ时，ＩｎＡｓ层将会成岛生长，得到的量子点的尺寸和分布相当均匀．我们还研究了不同覆盖度的ＩｎＡｓ层的光致发光（ＰＬ）特性，结果发现在成岛前后，它们的ＰＬ特性有明显差异．     

利用能量过滤成像技术对注氮SOI的研究

本文报道了利用能量过滤成像技术对注氮SOI结构的研究。能量选择狭缝分别置于△E=16eV和△E=25eV,对应于Si和Si_3N_4的等离子能量损失的非弹性散射,电子显微照片可以给出更多的结构信息。顶层单晶硅和上氮化硅层之间的过渡层可以明显地划分成两个亚层:氮化硅亚层和硅亚层。从衬底的〈111〉衍射束成的暗场像看出硅亚层的晶粒取向与顶层单晶硅的取向是不同的,这说明硅亚层中的硅晶粒的形成与长大与顶层单晶硅的形成无关。     

石墨的EXELFS分析

电子能量损失谱广延精细结构(Extended Electron Energy Loss Fine Structure。简称 EXELFS)分析方法是七十年代后期建立起来的一种新的结构分析方法,可以用来测定晶态和非晶态物质中原子的径向分布函数。     

电子能量损失谱研究GaN的极性

ＧａＮ材料可以发蓝光 ,具有非常重要的实际应用价值。ＧａＮ的结构分析中 ,确定各种畴的极性是非常重要的。在过去的研究中 ,对于ＧａＮ这类非中心对称极性晶体 ,主要利用会聚束电子衍射的方法来测定极性[1] 。最近 ,Ｎ .Ｊｉａｎｇ等人利用通道效应对Ｘ 射线能量色散谱 (ＥＤＳ)强度的影响测定ＧａＮ的极性[2 ] 。但利用电子能量损失谱的方法研究晶体的极性目前尚不多见。入射电子在ＧａＮ晶体中传播时 ,由于布洛赫波的相干效应 ,使得Ｎ原子对入射电子的非弹性散射强度在ｇ =0 0 0 2双束条件和ｇ =0 0 0 2双束条件下并不相同。通过比较这…     

夏季高温天气尿素装置经济运行探讨

针对2009年夏季高温天气尿素装置运行中存在的主要问题进行分析,制定相应对策措施并实施,确保装置经济运行。     

利用自制可加磁场样品台对链状位移型磁畴壁的原位洛伦兹电子显微术研究

利用自制的可加磁场样品台,结合离焦洛仑兹电子显微术,原位研究了坡莫合金中的一种链状位移型磁畴壁在磁化和反磁化过程中的变化,并据此提出了相应的样品薄膜面内的磁力线分布模型.