高沉积率低动能气流溅射系统

<正>在薄膜溅射沉积中,用具有能量的离子或中性粒子轰击薄膜对薄膜结构有重大影响,这些影响由于沉积条件的不同变化非常大,特别是质点轰击能量,沉积技术如离子团束(ICB)沉积、偏置溅射及离子束沉积已被用于控制粒子的流量和能量。一般说来,从100 eV到几千eV的质点能量用于离子加速技术易于控制,而低能量质点很难严格控制。     

我国太阳能辐射资源

＠王炳忠＠邹怀松＠殷志强太阳能对人类是用之不竭，取之不尽的广泛存在、平等给予和可自由利用的能源。太阳能利用将是２１世纪的重大课题。我国太阳辐射资源比较丰富，而太阳辐射资源受气候、地理等环境条件的影响，因此其分布具有明显的地域性。根据过去测量太阳能年辐射总量...     

溅射光谱选择性吸收表面的进一步改善

采用直流圆柱形磁控反应溅射研制了α-C:H(丁烷),Al-O、Si-O与Al-C-F等薄膜。在波长为0.5微米时,这些薄膜的折射率n分别为1.85、1.70、1.50与1.40,消光系数k都很低。Al-C-F薄膜是比较理想的减反射膜,不仅折射率低,而且沉积速率高,约为SiO_x的四倍,AlO_x的十五倍。 Al-O膜(60nm)、Si-O膜(70nm)或Al-C-F膜(70nm)溅射沉积在以铜为基底的渐变不锈钢-碳涂层上,构成新的选择性吸收涂层,其太阳吸收率α_s(AM2)均达0.96(真空500℃烘烤1小时),室温发射率ε分别约为0.04、0.04与0.05,α_s/ε约19—24。 研制了具有Al-C-F/α-C:H/SS-C/Cu吸收涂层的全玻璃真空集热管。在100℃时这种吸收涂层的发射率约为0.055。     

二览北欧四国太阳能热利用产品与市场

表1北欧四国典型太阳能系统成本分析对比表成本不含税(EU/m2)附加税率(%)总成本(EU/m2)典型面积(m2)安装完毕价(EU)安装费用(%)国家补贴实际花费(EU)家用49025612.56450025～4004500工程用4002550010025～40家用67012.5753.54～64～5000204000～5000家用4002550053000200.25EU/kWha工程2002525050005500EU/a家用410225005～833～410015～203300～4100工程3102237820015～2040%一太阳能市场发展回眸北欧四国地处北纬55°～70°之间,年平均环境温度低偏,对太阳能集热器的要求较高,所以传统的太阳热水器发展比较缓慢,加上政府支持力度小,…     

Al-C-F/渐变SS-C/Al选择性吸收表面

建立了铝与不锈钢两个平面磁控靶溅射系统。反应溅射沉积了一组SS-C复合材料、α-C:H与Al-C-F均匀薄膜。运用椭偏仪-分光光度计法确定了上述薄膜在太阳光谱范围(0.35—2.5μm)内的光学常数谱值(?)(λ)=n(λ)-ik(λ)。 对多层膜系的模型用计算机进行优化设计与计算。实验表明,溅射沉积Al-C-F/变渐SS-C/Al选择性吸收表面,其反射率谱值与计算出的最佳谱值基本一致,太阳吸收率α≈0.96,法向发射率ε_n≈0.06(80℃)。经真空中450℃烘烤1小时,该表面的光学性能基本没有变化。这种优质表面用于玻璃真空集热管有良好的前景。     

全玻璃同轴型真空管太阳集热器的热性能

全玻璃同轴型真空管太阳集热器的热性能殷志强Ｇ．Ｌ．Ｈａｒｄｉｎｇ（澳）Ｒ．Ｅ．Ｃｏｌｉｎｓ（澳）一引言集热器的光学效率ηＯＰＴ取决于真空集热管的光学参数：选择性吸收涂层的太阳吸收比、玻璃罩管的太阳透射比、集热管之间距离、集热管与其背后的反射器距离和反...     

我国太阳能热利用的现状及发展

一 前言 经过20多年的快速发展,中国已经成为世界太阳能热利用生产与应用第一大国,2010年太阳能集热器运行保有量占世界份额的64％（如图1）,但人均拥有太阳能集热器面积排在第10名左右。为了使太阳能热利用为我国节能减排做出更大贡献,无论技术与市场都具有巨大潜力与良好前景。     

活性环境空心阴极溅射特性与沉积Al_2O_3、ZnO掺杂和In_2O_3:Mo薄膜的应用(中)

<正>2实验结果和讨论2.1阴极和沉积特性典型空心阴极I-V特性如图2所示,HC中有铜靶块并用氩气作为工作气体。在气流量和放电电流一定时,压强越低需放电电压越高。在给定真空室压强情况下,两个不同气流量的I-V特性很接近,在一定电流下,较高的气流量电压略低一点(注:从图2看,原文"略高一点"——译者注),这是因为流量提高了HC内部的压强。影响峰值局部沉积率的主要因素是放电功率、工作气体的流量和阴极源到基材的距离。图3给出了Cu的沉积率与功率的关系,测试条件:氩固定流量为5000 sccm、压强约为38.0 Pa,用石英晶体监测器,距离3.5 cm测量沉积率。发现     

脉冲磁控溅射制备氧化铝涂层的结构和性能控制（下）

为了方便,Taguchi阵列涂层标识为1／x,x是阵列的实验数,同样,第2阵列（次实验）为2／x。     

真空太阳集热管在应用不同吸气剂时的残气分析

自行设计了可直接测量成品集热管夹层真空状况的装置,对集热管夹层内真空度进行测量,并验证了该装置的可靠性.利用该真空开管装置分析了使用不同吸气剂的集热管内残余气体的情况.