静电纺丝制备Te纳米线/PEDOT:PSS热电薄膜及性能研究

近年来,用于健康、 环境监测的可穿戴传感器和电子设备发展迅速,由此对可持续能源收集与供应技术提出了新的要求.有机柔性热电材料和装置能够将热量直接转换成电能,且凭借其固有的柔韧性、 低毒性和简单易得等优点,受到越来越多的关注.静电纺丝技术是制备纳米纤维膜的常用方法,具有简单、 通用、 易于控制等优点,在柔性电子器件领域具...     

CoSb3/MoCu热电接头的一步SPS法制备及性能评价

Mo-Cu合金电极被成功应用于CoSb₃基热电发电元件. 通过调节合金中铜的含量,Mo₅₀Cu₅₀合金取得了与CoSb₃良好的热匹配. 借助于放电等离子烧结(SPS), Mo-Cu合金通过钛层成功实现了与CoSb3热电材料的连接. 在CoSb₃/Ti/Mo-Cu界面区域,没有发现微裂纹,扫描电镜（SEM）显示在CoSb₃/Ti界面处生成了TiSb相. 500℃的热时效实验表明,CoSb₃/Ti界面区域的TiSb相厚度略有增加,显示了良好的热稳定性. 随着热时效时间的延长,接头的剪切强度降低. 四点探针测试表明,界面区域界面电阻很小,界面接触电阻率在20～30μΩ·cm²,显示了热电接头良好的电接触.     

Na2O的含量对MoSi2/Oxide系发热元件材料力学性能的影响

对比了脱Na处理工艺前后Na2O含量变化对MoSi2/Oxide系发热元件材料力学性能的影响。研究结果表明，虽然Na2O含量的高低对发热体材料常温力学性能影响不大，但是对发热元件材料高温力学性能有重要影响。主要表现在：经1573K热处理100h后脱Na材料仍拥有很高的强度和韦伯分布；而且经过真空脱Na后材料的高温蠕变特性也有了明显改善，在1243和1303K的条件下脱Na材料的蠕变速率分别是未脱Na材料的2／5和1／3以下，另外，Na2O含量对材料延性脆性转变温度（BDTT）也有重要影响，脱Na材料的BDTT较未脱Na材料升高约100K。     

Se掺杂量对n型Bi2Te3-xSex微结构及热电性能的影响

通过水热法合成不同Se掺杂量的Bi₂Te_3-xSe_x (0 ≤x ≤0.45)纳米粉体, 采用放电等离子烧结技术, 制备出致密度较高的块体材料。通过X射线衍射、扫描电镜、透射电镜等测试手段对材料的微结构进行了表征, 并重点研究了含有不同Se掺杂量块体材料的显微结构和热电性能。结果表明: Se元素的掺杂使得粉体XRD特征衍射峰向高角度偏移, 并且衍射峰出现宽化, 晶粒尺寸变小。随着Se掺杂量的增加, 块体材料的电导率先增大后减小; Se元素的掺杂有效地降低了材料的热导率, 并提高了材料的Seebeck系数。研究结果表明: 在整个测试温度区间, 所有经过Se掺杂的样品ZT值都高于未掺杂样品。当Se掺杂量为0.3时, 样品具有最大的ZT值, 平均约为0.51, 并在475 K时达到最大值0.57, 相比未经Se掺杂的Bi₂Te₃提高了159%。     

锆钛酸铅陶瓷在力电耦合场下疲劳性能的评价

小样品力学性能试验方法(Modified Small Punch Tests, 简称MSP)是评价陶瓷材料力学性能的一种有效方法. 采用改进型多场耦合小冲压(MSP)试验法评价了Pb(Zr,Ti)O₃陶瓷(PZT)在力电耦合和纯力场下的疲劳性能. 通过对比在纯力场和力电耦合下的力学性能可以看出: 与纯力场下相比, PZT陶瓷在力电耦合下的断裂强度会降低. 在力场和电场的同时作用下, 疲劳寿命显著缩短, 压电陶瓷材料内部易出现沿晶断裂.     

二硅化钼材料低温氧化的研究进展

介绍了二硅化钼低温氧化的研究进展,对当今几种二硅化钼材料低温氧化发生“Pesting”现象的机理模型及改善低温抗氧化的方法进行了评述,在此基础上提出了今后的二硅化钼低温氧化研究的重点和方向。     

锗相的存在对Sr_8Ga_(16)Ge_(30)clathrates结构热电材料性能的影响

无机clathrate结构化合物是非常有前景的热电材料.在镓取代的锗基clathrate结构热电材料的合成中,普遍存在锗的第二相.本研究合成了多晶Sr_8Ga_(16)Ge_(30) clathrates 结构热电材料.用X射线衍射结合样品抛光表面的背散射电子像对样品中锗相的含量进行表征.测试可知,材料表现为n型半导体,随着Ge相含量的增大,Seebeck系数绝对值增大,电导和热导率减小.功率因子最大为12.8 μW·K~(-2)cm~(-1).Sr_8Ga_(16)Ge_(30)样品在650 K的最大ZT值达到0.65.     

p型Cu/Q(Q=S,Se,Te)透明导体的设计、制备及性能研究

利用结构功能区思想的导电功能区和透光功能区,提出了层状p型Cu/Q透明导体的设计模型. LaCuOTe和Sr₃Cu₂Sc₂O₅S₂因结构层［Cu₂Te₂］和［Cu₂S₂］对应导电功能区、［La₂O₂］和［Sr₃Sc₂O₅］对应透光功能区,符合模型设计思想,是兼具高导电性和高透光性的透明导体,光谱和电导等验证了模型设计p型透明导体的可行性和正确性. 从功能区角度,改变LaCuOS中导电功能层(［Cu₂S₂］→［Cu₂Te₂］)可显著提高材料导电性(10^-3S/cm→10⁰S/cm）;替换LaCuOTe中透光功能层(［La₂O₂］→［Sr₃Sc₂O₅］)能可控改善材料透光性（2.3eV→3.1eV）.     

MSP试验法评价Mo/PSZ系复合材料的强度特性(Ⅰ)

利用 MSP试验在全组成范围和不同的实验温度下对 Mo/PSZ系两相复合材料进行了高温力学性能的测试,详细讨论了各组成复合材料在不同温度下的破坏模式和强度与温度的依存性.实验结果证明,利用简便的MSP实验法不仅可以精确地表征Mo/PSZ系复合材料的破坏行为,而且MSP强度与抗弯强度有很好的对应关系,利用这种关系可以从测得的MSP强度来预测抗弯强度.     

Mo(Si,Al)2系材料的制备及性能

采用自蔓延合成方法结合热压烧结制备了Mo-Si-Al系材料,并考察了其力学性能和抗低温氧化性能,结果表明自蔓延合成Mo(Si,Al)2系材料的机理与单相MoSi2相同,都是固液机制;通常Al的添加对Mo(Si,Al)2材料的力学性能不利,但当Mo(Si,Al)2系材料为复相结构时,材料具有比单相MoSi2好的力学性能,且抗低温氧化性能也有所提高.这为设计综合性能较好的MoSi2材料进行了有益的探索.