二硅化钼材料低温氧化的研究进展

介绍了二硅化钼低温氧化的研究进展,对当今几种二硅化钼材料低温氧化发生“Pesting”现象的机理模型及改善低温抗氧化的方法进行了评述,在此基础上提出了今后的二硅化钼低温氧化研究的重点和方向。     

p型Cu/Q(Q=S,Se,Te)透明导体的设计、制备及性能研究

利用结构功能区思想的导电功能区和透光功能区,提出了层状p型Cu/Q透明导体的设计模型. LaCuOTe和Sr₃Cu₂Sc₂O₅S₂因结构层［Cu₂Te₂］和［Cu₂S₂］对应导电功能区、［La₂O₂］和［Sr₃Sc₂O₅］对应透光功能区,符合模型设计思想,是兼具高导电性和高透光性的透明导体,光谱和电导等验证了模型设计p型透明导体的可行性和正确性. 从功能区角度,改变LaCuOS中导电功能层(［Cu₂S₂］→［Cu₂Te₂］)可显著提高材料导电性(10^-3S/cm→10⁰S/cm）;替换LaCuOTe中透光功能层(［La₂O₂］→［Sr₃Sc₂O₅］)能可控改善材料透光性（2.3eV→3.1eV）.     

MSP试验法评价Mo/PSZ系复合材料的强度特性(Ⅰ)

利用 MSP试验在全组成范围和不同的实验温度下对 Mo/PSZ系两相复合材料进行了高温力学性能的测试,详细讨论了各组成复合材料在不同温度下的破坏模式和强度与温度的依存性.实验结果证明,利用简便的MSP实验法不仅可以精确地表征Mo/PSZ系复合材料的破坏行为,而且MSP强度与抗弯强度有很好的对应关系,利用这种关系可以从测得的MSP强度来预测抗弯强度.     

离子液体辅助微波法水相合成Cu-In-Zn-S/ZnS量子点及其在白光LED中的应用

Cu-In-Zn-S(CIZS)量子点具有毒性低、发射谱覆盖范围广、Stokes位移大等特点,在照明领域具有广阔的应用前景。通过离子液体辅助微波法水相合成CIZS量子点,系统研究了反应时间、配体添加量和前驱体溶液pH对样品的物相组成、显微形貌以及荧光性能的影响。结果表明,与未添加离子液体制备的样品相比,离子液体的引入提高了反应速率,可有效地将反应时间由180min缩短至30min;随着反应时间的延长,量子点的粒径增大,其发射峰位由609.2nm红移至634.6nm。随着nGSH(谷胱甘肽)/n(CuInZn)的增大,量子点的粒径逐渐增大,导致其发射峰位由622.6 nm红移至631.6 nm,同时量子点的发光强度逐渐增强;当该比值为15时,量子点的荧光强度最高。此外,随着pH的增大,去质子化的–SH和–NH2与量子点的作用逐渐增强,有效地钝化了量子点的表面态,使其荧光强度逐渐上升,当pH为8.5时,样品的荧光性能最佳,同时量子点的平均水合粒径由99nm增大至241nm;量子点溶液的Zeta电位为–27.7～–41.1mV,说明量子点溶液具有优异的稳定性。通过ZnS表面修饰可有效提高量子...     

多场耦合MSP测试系统的建立及应用

通过建立一套能够实现在力场、电场、温场等多场耦合条件下测试的小样品力学性能测试系统,使得小样品在近真实的多场耦合条件下得到评价:在小样品力学性能测试系统的基础上,通过设计模具和引入电场,实现了力电耦合下的小样品的动态力学性能的测试;通过设计模具和高温炉引入温场,可以对热障涂层、陶瓷等材料进行高温条件下的力学性能测试。通过引入声发射仪和模具设计,在测试材料力学性能的同时,可以实时监控材料内部结构发生的变化。多场耦合MSP测试系统的建立,为新型无机材料在多场耦合下的力学性能研究提供了系统的测试平台,为材料使用的可靠性和稳定性研究奠定了基础。     

Te掺杂对TiCoSb基Half-Heusler化合物高温热电性能的影响

采用固相反应法制备了Te掺杂的TiCoSb基half-Hcuslcr化合物。X射线衍射分析表明，Te掺杂的TiCoSb化合物是单相。在300～850K的温度范围内测量了材料的电阻率、赛贝克系数和热导率。结果表明：未经掺杂的TiCoSb化合物是n型半导体，在高温下有很高的赛贝克系数。在Sb位掺杂Te后，材料的电阻率和赛贝克系数的绝对值随着掺杂量的增加明显降低。材料的热导率随着掺杂量的增加而呈小幅度减小。Te掺杂后材料ZT值提高，最高的ZT值比基体提高了5倍多。     

放电等离子烧结原位制备TiC/Ti_2AlC复合材料及室温力学性能评价

以Al_4C_3、Ti和石墨粉为原料(Ti、Al、C的摩尔比为6:1:3),利用放电等离子烧结(SPS)技术通过原位反应制备出TiC/Ti_2AlC的复合材料.结果表明,基体相TiC的晶粒尺寸在2～5 μm左右,反应生成的Ti_2AlC颗粒尺度纵向长度为4～10 mm,横向宽度为1～2 mm,且弥散均匀分布在基体中.三元层状相Ti_2AlC的引入大大提高了复合材料的力学性能,复合材料的维氏硬度HV为11 GPa,断裂韧性K_(IC)为5.3 MPa·m~(1/2),抗弯强度sf为(470±50) MPa,弹性模量E为(228±30) GPa.通过压痕法观察了裂纹扩展路径,讨论了材料的断裂机制和增韧机制.材料以沿晶断裂为主,伴随少量穿晶断裂.     

机械剥离法制备石墨烯及其在石墨烯/陶瓷复合材料制备中的应用

扼要介绍了石墨烯特殊的二维结构及因这种结构导致石墨烯所具有的极其优异的电学、光学和力学性质.回顾了石墨烯的研究历史以及微机械剥离法在其中所起到的重要作用,并对主要制备方法进行了简要的介绍.然后,阐述了以机械磨为剥离工具的新型机械剥离法的发展和已取得的成果.最后,对利用机械剥离法制备石墨烯/陶瓷复合材料粉体的探索进行了总结和概括.同时,展望了机械剥离法在制备石墨烯及其复合材料中的应用前景.     

机械合金化制备PLZT(5/54/46)陶瓷

研究了机械合金化制备PLZT陶瓷.实验结果表明,采用纳米TiO₂原料,球磨5h就能得到PLZT粉体,而采用微米TiO₂原料,球磨30h也只有少量的PLZT出现.可见纳米粉体在机械合金化制备PLZT粉体过程中起了重要的作用.机械合金化制备的PLZT粉体具有很好的烧结性能,在1000℃的烧结条件下可以得到致密度达97％的PLZT陶瓷,并且所得PLZT陶瓷的压电性能和铁电性能与其它文献报道的相当.这为实现铁电陶瓷与电极低温共烧打下了基础.     

原位反应制备具有高电磁屏蔽性能的MXene/CaF2复相陶瓷材料

二维过渡金属碳化物（MXene）因其良好的导电性具有优异的电磁屏蔽性能﹐然而其高温不稳定性阻碍了其作为结构型电磁屏蔽材料在航空航天领域的应用。本文利用原位反应法制备出一种新型三明治结构的MXene/CaF2材料,利用管式炉在H2的条件下对MXene/CaF2粉体进行热还原,提高复合材料的高温稳定性,通过700°℃的放电等离子体烧结成功地制备出屏蔽性能强﹐强度高的 MXene/CaF2复合陶瓷材料。其中由CaF2与MXene 物质的量为5:1制备的MXene/CaF2在700℃下烧结的复合陶瓷材料表现出最优异的性能﹐电磁屏蔽性能在整个X波段中达到37dB,同时MSP法测得的抗弯强度达到142 MPa,维氏硬度硬度达到1.66 GPa。因此,MXene/CaF2复相陶瓷可望作为一种具有良好机械性能的耐高温电磁屏蔽材料获得应用。