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101.
PCB的结构特征对于回流温度曲线及其关键指标具有显著的影响,对PCB的吸热过程和回流焊炉的热传递过程进行了理论分析,并用大量的实验样本进行了实验研究。确定了PCB的厚度是对回流温度曲线影响最大的结构特征因素。  相似文献   
102.
本文论述了帧中继交换的概念、标准,结构、特点网络式样及在互连网中的应用。  相似文献   
103.
GF(2^8)上快速乘法器及求逆器的设计   总被引:5,自引:2,他引:5  
王进祥  毛志刚 《微电子学》1998,28(5):321-324
基于多项式乘法理论,采用高层次设计方法,设计并采用FPGA实现了GF(2^8)上8位快速乘法器,并利用该乘法器设计了一个计算GF(2^8)上任一元素的例数的求逆器,该乘法器与求逆器可以应用于RS(255.223)码编/译码器。  相似文献   
104.
基于模块化结构的N位加法器的测试生成   总被引:2,自引:0,他引:2  
曾平英  毛志刚 《微电子学》1998,28(6):396-400,411
针对单个stuck-at故障,研究了N位加法器的测试矢量生成问题,对于行波进位加法器,只需8个测试矢量就可得到100%的故障覆盖率;对于N位先行进位加法器,只需N^2+2N+3个测试矢量即可得到100%的故障覆盖率。  相似文献   
105.
汤全安  张斌 《压电与声光》1998,20(3):159-161
在微型光学陀螺仪中,声表面波声光移频器是实现系统闭环控制的核心执行器件。本文在理论分析与设计的基础上,以K8玻璃为基片,采用相应工艺成功地研制出声表面波声光移频器样片。经测试,其主要技术指标已初步满足微型光学陀螺仪的设计要求  相似文献   
106.
谐振式光纤陀螺中环形谐振腔的实验研究   总被引:3,自引:0,他引:3  
文中报道了谐振式光纤陀螺中光纤谐振腔的研究工作,首先简述了谐振式光纤陀螺的基本原理,然后对光纤环形腔的谐振性进行了分析,给出谐振条件,并且根据系统的性能要求,对陀螺的谐振腔光路系统进行了设计。  相似文献   
107.
SZS型燃气锅炉鼓风机突然停运造成炉膛爆燃,使风道软连接破裂、炉膛变形、防爆门冲开打断铰链.本文介绍寻找爆燃原因的检测方法,提出要启动应急预案,定期检修电磁阀、过滤器来防止事故再次发生。  相似文献   
108.
用椭圆函数对宽频带90°移相网络相移特性进行等波纹通近的方法,分析了用θ函数计算宽频带90°移相网络传递函数的零、极点过程中的误差,提出了提高计算精度的措施,给出了在较宽的频带上相移偏差φ_m≥1°准确地确定极零点的算法。  相似文献   
109.
本文介绍了基于PCI总线的音频分析仪的设计.该分析仪采用前端信号调理电路和高精度ADC+FPGA电路,通过PCI接口电路实现和主机的通信,能根据用户设定的波形类型、幅度、频率等信息产生相应的音频信号,能对采集到的音频数据进行特定的算法分析得到信号交直流电压、频率、谐波失真等参数.结果表明,本文设计的音频分析的音频信号分析频率精度高、总谐波失真(THD)低.  相似文献   
110.
Zinc oxide (ZnO) thin films were grown on n-GaN/sapphire substrates by radio-frequency (RF) magnetron sputtering. The films were grown at substrate temperatures ranging from 400 to 700 ℃ for 1 h at a RF power of 80 W in pure Ar gas ambient. The effect of the substrate temperature on the structural and optical properties of these films was investigated by X-ray diffraction (XRD), atomic force microscopy (AFM) and photoluminescence (PL) spectra. XRD results indicated that ZnO films exhibited wurtzite symmetry and c-axis orientation when grown epitaxially on n-GaN/sapphire. The best crystalline quality of the ZnO film is obtained at a growth temperature of 600 ℃. AFM results indicate that the growth mode and degree of epitaxy strongly depend on the substrate temperature. In PL measurement, the intensity of ultraviolet emission increased initially with the rise of the substrate temperature, and then decreased with the temperature. The highest UV intensity is obtained for the film grown at 600 ℃ with best crystallization. oindent  相似文献   
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