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71.
SiC粉体化学镀铜工艺研究 总被引:3,自引:0,他引:3
介绍了SiC粉体的敏化、活化及其碱性化学镀铜的工艺配方。分别对镀液稳定性的影响因素和各工艺条件对镀速的影响进行了研究。结果表明,SiC粉体颗粒越细、镀液pH增大、温度升高,都容易导致镀液分解;增加甲醛含量,可以提高镀速,但是镀液稳定性下降;适宜的络合剂,可以提高镀层质量,保持镀液稳定,但络合剂含量增加,镀速降低。得出了最佳的工艺条件:φ(甲醛)10~20mL/L,ρ(络合剂)50~70g/L,温度15~35℃,pH12.5~13。碱性化学镀铜后的SiC-Cu复合粉体及其于1050℃热处理后的X-射线衍射分析表明,镀层中含Cu、SiC和Cu2O,且Cu呈结晶态;铜镀层在高温下与SiC粉体能够较好共存,无脱落现象。扫描电镜照片显示,SiC-Cu复合粉体分散性良好,镀层表面平滑、均匀,并有细小的金属胞状颗粒随机堆积而成。 相似文献
72.
73.
使用X射线衍射仪(XRD)、透射电子显微镜(TEM)研究了Ti50C50元素混合粉在机械合金化过程中的结构演变以及热处理对粉体结构的影响,讨论了TiC机械合金化合成机制。研究结果表明,机械合金化合成TiC遵循逐渐扩散反应机制,反应首先形成纳米晶Ti(C)粉体,球磨10h析出TiC,随着球磨过程的进行,TiC的量逐渐增多,品格常数增加,晶粒尺寸降低。球磨80h后,粉体主要由纳米晶TiC构成,晶粒尺寸6nm,但仍有少量的Ti(C)剩余。热处理促进残余的Ti(C)转变成TiC,同时导致TiC粉体晶粒生长,晶粒尺寸增大,晶格畸变程度降低,有序度提高。 相似文献
74.
纳米(Ti,Ni,Fe)-Al金属间化合物及其复合材料研究进展 总被引:4,自引:0,他引:4
(Ti,Ni,Fe)-Al金属间化合物具有优良的性能,在航空材料和中高温结构材料等领域内具有重要的应用价值。采用机械合金化制备、合成纳米金属间化合物及其复合材料有望克服金属间化合物固有的室温脆性及高温蠕变强度低的缺陷。本文综合评述了国内外在纳米(Ti,Ni,Fe)-Al金属间化合物及其复合材料的机械合金化合成及其烧结固化与力学性能等方面所取得的主要研究成果,并就该研究领域的不足之处及其今后的发展方向提出了一些看法。 相似文献
75.
针对650℃直到3000 h时效的HR3C钢,研究其显微组织的变化及对其高温拉伸力学性能的影响,探讨650℃时效HR3C钢的高温拉伸断裂机制。结果表明:高温时效过程中,晶界强化、晶内弥散强化和奥氏体基体脱溶弱化等效应导致时效HR3C钢的高温拉伸力学性能发生明显变化。时效初期(500 h)HR3C钢高温强度变化不大;时效中期(500~1000 h)HR3C钢高温强度大幅提高,但塑性持续降低;时效后期(1000 h),HR3C钢组织结构渐趋稳定,其强度和塑性变化不大。随时效时间延长,HR3C钢高温拉伸断裂机制由正断向剪切断转变。 相似文献
76.
77.
Ce3+掺杂SiO2材料低温处理条件下两光致发光带的比较 总被引:1,自引:1,他引:0
采用溶胶-凝胶技术通过添加Ce(NO3)3制备了掺杂Ce3+离子的纳米SiO2材料,利用红外光谱、紫外-可见吸收光谱以及电子能谱等研究样品成分,并对不同热处理条件下样品的光致发光性能进行研究.结果表明,低温处理条件下样品中存在一定量的OH羟基,并且样品中的Ce离子主要以Ce^3+的形式存在.在100-500℃较低温度下热处理的样品中存在两个峰值相近的光致发光带,最大值为344nm和357nm,其对应的最大激发峰分别为226nm和252nm.其中,344nm光致发光带起源于基体SiO2的缺陷中心,而357nm光致发光带起源于Ce^3+的一种类液发光. 相似文献
78.
79.
研究了机加工后外形尺寸合格与不合格两种TC4板材样品的显微组织及性能的差异,以及TC4板材机加工变形产生的原因。在此基础上,设计6种热处理工艺,研究了不同热处理工艺下TC4合金显微组织及性能,寻找不合格TC4板材样品组织结构矫正的最佳方案。结果表明:不合格TC4样品中各向异性的条状组织是其加工后变形大的主要原因;综合不同热处理条件下TC4合金的显微组织、力学性能与热导率以及断口形貌等因素,确定了在900~930℃内退火处理后的不合格TC4合金经与合格TC4合金最为接近,是其组织结构矫正合理的热处理工艺。 相似文献
80.
SiC/TiAl界面固相反应研究 总被引:1,自引:0,他引:1
使用扫描电子显微镜、电子能谱仪、X射线衍射仪对经950~1100℃热处理的SiC/TiAl平面界面偶界面固相反应层的成分分布、微结构及相组成等进行了分析研究,讨论了SiC/TiAl界面固相反应机制,并对热处理过程中反应层成长的动力学过程进行了探讨,获得相应的动力学方程.结果表明,SiC/TiAl界面固相反应层主要由TiC、Ti5Si3Cx及Ti(Al,Si)2构成.其中,TiC和Ti5Si3Cx主要富集于邻近SiC的反应区,而Ti(Al,Si)2富集于邻近TiAl侧的反应区.SiC/TiAl界面固相反应的发生归因于TiC和Ti5Si3Cx数值大的负吉布斯自由能变化.SiC/TiAl界面固相反应层遵循抛物线生长规律,为扩散控制的反应过程,反应速率常数为:K=8.47×10-3exp(-322×103/RT)(m2/s). 相似文献