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氮化铝相在SiC-AIN-Y2O3复相陶瓷中起着至关重要的作用。在2050℃高温时,AIN颗粒表面发生固相蒸发现象,并聚集到SiC颗粒周围最终形成固溶体,改善了SiC颗粒周围最终形成固溶体,改善了SiC陶瓷的晶界结构,使该复相材料具有良好的机械性能,其室温抗折强度为610MPa,这一强度可持续至1400℃高温,断裂韧性达到8.1MPa.m^1/2。 相似文献
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经研究致密的Sic-AIN-Y2O3复相陶瓷的氧化行为后发现,陶瓷材料的表面在空气中氧化的反应物随着温度的高低而变化。800℃、20h氧化试验后,试样表面无任何变化;1100℃氧化20h,表面形成了极少量的SiO2,但两者均无增重,1250℃和1320℃氧化30h后,试样的重量和表面发生较明显的变化,形成了SiO2与a-Al2O3;1370℃氧化试验30h后,陶瓷表面的氧化产物SIO2与a-Al2 相似文献
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Ce:SrHfO3陶瓷因具有高密度和高有效原子序数, 对高能射线具有很强的阻止能力。同时, Ce:SrHfO3陶瓷还具有快衰减和高能量分辨率等优异的闪烁性能, 引起了研究人员的广泛关注。由于传统的烧结方法难以实现非立方结构Ce:SrHfO3陶瓷的透明化, 本研究采用真空长时烧结和短时真空预烧结合热等静压烧结(Hot Isostatic Pressing, HIP)方法制备Ce,Y:SrHfO3陶瓷。以金属氧化物和碳酸盐为原料, 1200 ℃下煅烧8 h可以获得平均粒径为152 nm的纯相Ce,Y:SrHfO3粉体。1800 ℃真空烧结20 h获得平均晶粒尺寸为28.6 μm的不透明的Ce,Y:SrHfO3陶瓷, 而两步烧结法可以制备光学透过率良好的Ce,Y:SrHfO3陶瓷。本研究详细分析了陶瓷致密化过程中微结构的演变, 探究了预烧结温度对Ce,Y:SrHfO3陶瓷密度、显微结构和光学透过率的影响。真空预烧(1500 ℃×2 h)结合HIP后处理(1800 ℃×3 h, 200 MPa Ar)所获得的Ce,Y:SrHfO3陶瓷在800 nm处的最高直线透过率为21.6%, 平均晶粒尺寸仅为3.4 μm。在X射线激发下, Ce,Y:SrHfO3陶瓷在400 nm处产生Ce3+ 5d-4f发射峰, 其XEL积分强度比商用锗酸铋(BGO)晶体高3.3倍, Ce,Y:SrHfO3陶瓷在1 μs门宽下的光产额约为3700 ph/MeV。良好的光学和闪烁性能可以拓宽Ce,Y:SrHfO3陶瓷在闪烁探测领域的应用。 相似文献
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采用均匀沉淀法,以硫酸铝铵为原料,研究了不同沉淀剂(尿素和碳酸铵)制备的氧化铝粉。采用透射电镜、X射线衍射仪、热分析仪等,对采用不同沉淀剂制得的前驱体和氧化铝粉末的结构和形貌进行了表征。结果表明,以尿素为沉淀剂制得的前驱体氢氧化铝和氧化铝粉末在分散性以及颗粒大小和形状方面都优于以碳酸铵为沉淀剂的产品。此外,以尿素为沉淀剂制得的前驱体氢氧化铝在1 200 ℃煅烧2 h得到了结晶度较好的纯相α-氧化铝,而以碳酸铵为沉淀剂制得的前驱体碳酸铝铵在1 200 ℃煅烧2 h得到θ-氧化铝和α-氧化铝的混合相。 相似文献
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