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Nd3+离子掺杂YAG激光透明陶瓷的光谱性质及Judd-Ofelt理论分析 总被引:1,自引:0,他引:1
采用固相反应和真空烧结技术制备了掺杂浓度为1.0at%的Nd:YAG透明陶瓷样品,并测试了样品的吸收光谱和荧光光谱.样品在主吸收峰808nm处的吸收截面为3.10×10-20cm2,主荧光发射峰位于1064nm处,实测荧光寿命为257μS.应用Judd-Ofelt理论计算了Nd3 在YAG中的强度参数Ωλ(λ=2,4,6),跃迁的振子强度、自发辐射跃迁几率、辐射寿命、荧光分支比等光谱参数.最后计算得到Nd:YAG透明陶瓷中Nd3 :4F3/2→I11/2跃迁对应的受激发射截面大小为3.81×10-19cm2.结果表明: Nd:YAG透明陶瓷具有较大的受激发射截面和高的荧光量子效率(接近100%),是一种性能优良的激光材料. 相似文献
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To prepare ytterbium doped lanthania yttria nanopowder a method of laser evaporation of mixed oxides was used. After calcinations of the powder at 1200 °C a pure single-phase solid solution Yb3+:(LaxY1–x)2O3 was formed in the nanoparticles. Influence of lanthanum oxide as an isovalent additive on the yttria structure was investigated. The lanthanium ions were proved to be a good aid to sinter yttria ceramics doped with Yb3+ at moderate temperatures about 1650 °С. The ceramics with relative density higher than 99.99% and grain size about 40 μm were fabricated. Full transmittance of 1.8 mm thick Yb0.11La0.23Y1.66O3 ceramics reached 82.5% at 800 nm. This material could be a good gain medium for ytterbium high power pulse lasers. 相似文献
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以商品氧化钇和氧化铝粉体为原料,采用水基流延成型技术结合真空烧结工艺制备了复合结构YAG透明陶瓷。使用流变曲线表征了料浆的性能,用扫描电镜观察流延膜和坯体的微观形貌,用电子探针分析陶瓷的表面特征,用分光光度计测试陶瓷的光透过率曲线。实验结果表明,最佳的分散剂是聚丙烯酸,其最佳用量是1.0%(质量分数,下同),粘结剂聚乙烯醇-124的合理用量是10%,塑化剂聚乙二醇-400的合理用量是10%~12%。流延膜和坯体结构致密,YAG复合结构陶瓷在可见光和近红外光波段的直线光透过率达到80%。 相似文献
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采用固相反应法、真空烧结制备了高光学质量的Ce:YAG(Ce:Y3Al5O12)透明陶瓷,在可见光区的透射率大于80%。分别研究了不同Ce3+掺杂浓度(原子数分数分别为0.1%、0.3%、0.5%、1.0%)和不同厚度(0.5、1.0、2.0 mm)的Ce:YAG陶瓷的流明效率,显色指数和色温等白光发光二极管(LED)性能,采用Ce:YAG陶瓷和商业树脂进行LED器件封装,获得了130 lm/W的光效。结果表明,Ce:YAG透明荧光陶瓷有望成为适合大功率LED器件的荧光材料。 相似文献
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侧面抽运国产Nd:YAG陶瓷棒的激光特性 总被引:2,自引:0,他引:2
实验研究了激光二极管阵列(LDA)侧向抽运国产Nd:YAG陶瓷棒的准连续及被动词Q激光输出特性.该陶瓷激光器采用LDA侧面紧密环绕均匀排布的抽运结构,陶瓷棒抽运区域长度为20 mm,其总尺寸为φ3 mm×35 mm,掺杂原子数分数为~1%.在千赫兹准连续运转条件下,当平一平谐振腔的输出耦合镜透过率为47.3%时,获得最大平均功率23 W的1064 nm激光输出,光束发散角为4.5 mrad,斜率效率达12%.在谐振腔内插入Cr4 :YAG晶体作为被动调Q开关,成功地实现了陶瓷激光器千赫兹重复频率调Q激光脉冲输出,当Cr4 :YAG晶体初始透过率为60%时,输出激光脉冲宽度(半峰全宽)可窄至14.5 ns,调Q动静比约为40%. 相似文献
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通过热压烧结技术,SiC、AlN和Y2O3粉末混合体在1920 ̄2050℃、Ar气氛下形成了致密的复相陶瓷。在室温下SiC-AlN-Y2O3复相材料的抗弯强度和断裂韧性分别达到600MPa和7MPa·m^1/2以上。运用XRD、SEM和TEM分析致密样品的断裂裂纹、形貌和组成。SiC-AlN-Y2O3复相陶瓷在1370℃氧化试验30h,其氧化产物为莫来石。 相似文献
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研究了碳化硅(SiC)陶瓷表面铬金属化机理及SiC-SiC和SiC-Cu的封接技术。SiC在1000—1250℃真空环境中表面铬金属化,然后利用铜基合金钎焊封接.8iC—SiC封接体的室温四点抗弯强度平均值为103MPa,最大值140MPa。 对接合界面结构的研究发现Cr扩散入SiC基体并在界面处存在着反应层Cr_3C_2,同时si逸失。在SiC与金属Cr之间形成Cr_3C_2,表明SiC的封接是可行的。 相似文献
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本文简要的介绍了碳化硅原料制备技术的进展,着重描述八十年代后期运用Laser,Plasma,CVD等技术高温裂解有机物和Sol-Gel等方法制备超细,超纯,复相碳化硅陶瓷粉末的方法与性能,以期获得高性能的碳化硅结构陶瓷。 相似文献