4A统一安全平台设计方案

介绍了4A安全平台的必要性,给出了安全平台的整体架构,并对关键业务流程给予了说明。     

一种闭环自激式驱动的硅微机械电场传感器

该文提出了一种闭环自激式驱动的微型电场传感器方案。利用自动增益控制的原理实现闭环自激驱动,使得微传感器能够始终工作在谐振状态,且振动幅度保持稳定。用matlab-simulink工具对系统进行了仿真,结果表明,当传感器的谐振频率发生0.5%的漂移时,系统可以重新捕捉并锁定到新的谐振频率,和开环驱动方案相比,传感器振幅的衰减度从30%降低到0.1%之内,灵敏度从缩减50%改进到缩减0.1%之内。     

GaN紫外探测器的Ti/Al接触的电学特性

在非故意掺杂的和掺Si的GaN薄膜上蒸镀Ti(24nm)/Al(nm)薄膜,氮气环境下400～800℃范围内进行退火。实验结果表明,在非故意掺杂的样品上,随退火温度的升高,肖特基势垒高度下降,理想因子升高,表面状况逐渐变差,600℃退火形成较低接触电阻的欧姆接触,比接触电阻率为3.03×10-4Ωcm2,而载流子浓度为5.88×1018cm-3的掺Si的样品未退火就形成欧姆接触,比接触电阻可达到4.03×10-4Ωcm2。     

背脊波导双环铁氧体移相器

本文导出双环背脊波导锁式铁氧体移相器的传播常数公式。在典型参数下,计算了该器件的差相移和插入损耗。结果表明,该移相器的优值和差相移比同一条件下的矩形波导的同类移相器的大。为了验证文中所给方程的正确性,对差相移作了实验,其结果与计算值基本相符。     

180元长波碲镉汞线列光导探测器研制

本文报道了长波180元碲镉汞线列光导探测器的初步研制结果,较为详细地介绍了各步探测器制造工艺以及探测器性能的测试结果。最终得到的拼接和单片180元线列器件,其平均峰值探测率D_(xp)~*达2.0×10~(10)cmHz~(1/2)W~(-1),电串音小于5％,功耗小于150mW。     

战场侦察雷达的信号选择与处理

本文讨论了战场侦察雷达的目标特性、环境特性和雷达本身的特点，在此基础上对雷达波形的选择进行了分析，最后对雷达信号的处理从时域、空域和频域进行了讨论，从而给出一些有益的结论。     

长波大面积HgCdTe光导红外探测器的研究

研制的长波大面积HgCdTe光导红外探测器的面积为2.1×2.1mm~2,在80K时探测率D_p~*=1.86×10~(10)cmHz~(1/2)W~(-1),响应率R_p=386VW~(-1),长波限λ_(co)(50%)>18μm.还研制了带有低温聚光器组合件结构的新型探测器,D_p~*=7.3×10~(10)cmHz~(1/2)W~(-1),λ_(co)(50%)>16μm.     

选择性外延隔离P^＋多晶硅栅PMOSFET

在离子注入埋层的硅片上,以SiO_2层为掩膜和隔离,生长了选择性外延(SEG)单晶硅层,并在此外延层上制作了P~+掺杂的多晶硅栅PMOSFET。浅源漏结的P~+多晶硅栅PMOSFET是使用一次离子注入同时完成栅与源漏的掺杂注入,并由低温退火与快速热退火完成杂质的再分布推进。测试结果表明PMOSFET的短沟道效应明显减小。