超高分子量聚乙烯的滑动磨损性能与机理研究

用ＭＭ２００型磨损试验机测试了超高分子量聚乙烯的滑动磨损性能，考察了滑动速度与载荷对其磨损的影响，通过扫描电子显微镜对ＵＨＭＷＰＥ磨损表面形貌的观察，指出：在跑合期阶段，ＵＨＭＷＰＥ表面形成了一系列的脊；在严重磨损阶段，表面层发生了大范围的撕裂与断裂。     

高聚物磨损研究的近况

随着高分子材料的应用日益广泛，其磨损现象越来越受到重视。本文综述了近年来国内外学者在高分子材料磨损方面的研究工作，着重阐述了滑动磨损、磨粒磨损、冲蚀磨损的研究进展。     

(111)Si上外延生长六方GaN的TEM观察

利用衍衬、ＳＡＥＤ、ＨＲＴＥＭ对在 (111)Ｓｉ上外延生长的六方ＧａＮ进行了观察分析。ＧａＮ外延层与缓冲层和基底的取向关系为 (0 0 0 1) ＧａＮ (0 0 0 1) ＡｌＮ (111) Ｓｉ,[112 0 ]ＧａＮ [112 0 ]ＡｌＮ [110 ]Ｓｉ。ＧａＮ外延层中存在倒反畴。ＧａＮ中位错以刃型位错为主。Ｉｎ0 1Ｇａ0 9Ｎ ＧａＮ的多重量子阱结构 (ＭＱＷ )具有阻挡穿透位错 ,降低位错密度的作用。由于在室温下具有 3 4ｅＶ的直接带隙 ,ＧａＮ已经成为制备一些光电子器件如蓝色、紫色、紫外发光二极管及激光二极管等的最佳候选材料[1,2 ] 。通常是在各种…     

二氧化硅基质包埋硅纳米晶的微观结构和发光性能

利用离子注入和后续高温退火的方法制备了包埋在二氧化硅(Si02)基质中的硅纳米晶,研究了不同离子注入浓度试样的微观结构和发光性能,以及硅纳米晶的生长机理和发光机制.结果表明:较小的硅纳米晶(<5 nm)其生长机理符合Ostwald熟化机理,较大的纳米晶(>10 nm)则是由多个小纳米晶粒通过孪晶组合或融合而成的;离子注入浓度为8×1016cm-2的样品其发光强度是离子注入浓度为3×1017cm-2样品发光强度的5倍;硅纳米晶内部的微观结构缺陷(如孪晶和层错)对其荧光强度有很大的影响.     

超高分子量聚乙烯的剖蚀磨损

用气流喷砂型冲蚀试验装置测试了超高分子量聚乙烯（ＵｌｔｒａＨｉｇｈＭｏｌｅｃｕｌａｒＷｅｉｇｈｔＰｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ）的冲蚀磨损性能，考察了冲蚀粒子的入射角，速度，粒子的硬度对冲蚀磨损的影响，用扫描电子显微镜观察冲蚀磨损表面形貌，指出：在高角冲蚀时，磨损机理主要为塑性变形和显微裂纹；在低角冲蚀时，磨损机理主要为显微镜切削和显微犁耕冲蚀磨损机理与冲蚀粒子有关。     

镶嵌于基质中硅纳米晶的微观结构及其发光机制研究进展

硅纳米晶材料显示出许多集成器件所需的性能,已倍受人们的关注,成为国内外研究的热点。本文对利用不同方法制备的硅纳米晶的微观结构进行了综述,并对两种不同的发光机制进行了概述。人们在硅纳米晶的制备和表征方面取得了较大的进展,但对硅纳米晶的发光机制还未完全了解,有待进一步的研究。     

超高分子量聚乙烯与钢的冲蚀磨损研究

用气流喷砂型冲蚀试验装置对超高分子量聚乙烯（Ｕｌｔｒａ Ｈｉｇｈ Ｍｏｌｅｕｌａｒ Ｗｅｉｇｈｔ Ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ,ＵＨＭＷＰＥ）和４５＃钢的冲蚀磨损性能进行进行了比较,考察了冲蚀粒子（煤粉,二氧化硅）的入射角,冲蚀时间等对超高分子量聚乙烯和４５＃钢冲蚀磨损的影响,通过扫描电子显微镜对超高分子量聚乙烯和４５＃钢冲蚀磨损表面形貌的观察,并对超高分子量聚乙烯和４５＃钢冲蚀磨损机理进行了初步探讨。