F等离子体处理 AlGaN/GaN HEMT击穿电压和电流崩塌研究

F等离子体处理工艺被广泛的应用于 AlGaN/GaN HEMT增强型器件的研制和栅前处理工艺。本文研究了低功率F处理 AlGaN/GaN HEMT的击穿特性和电流崩塌特性。随着F处理时间的增加,饱和电流下降,阈值电压正向移动。对不同F处理时间的器件肖特基特性分析后发现,120s的F处理后器件栅泄漏电流明显减小,器件击穿电压提高,当F处理时间大于120s后,由于长时间F处理带来的损伤器件栅泄漏电流没有继续减小。采用不同偏置下的双脉冲测试对不同F处理时间的电流崩塌特性进行了研究,低功率F处理后没有发现明显的电流崩塌现象。     

一个基于65 nm CMOS工艺具有17.3 dB增益的47-67 GHz宽带低噪声放大器

报道了一个基于65 nm CMOS工艺具有17.3 dB增益的47-67 GHz宽带低噪声放大器（LNA）。文中首先阐述了毫米波电路的特征,并讨论了其设计方法。LNA的宽带输入匹配通过源极电感退化获得,这种结构在低GHz频段为窄带匹配,但由于栅漏电容Cgd的存在,在毫米波频段其进化为宽带匹配。为了使噪声系数（NF）最小化,LNA在第一级使用了共源（CS）结构而不是cascode结构,同时文中也探讨了噪声匹配的原理。LNA的后两级使用cascode结构以提高功率增益。对共栅（CG）晶体管中栅极电感的增益提升效应进行了分析。级间T形匹配网络用来提升电路带宽。所有片上电感和传输线都在3维电磁仿真工具中建模和仿真以确保成功的设计。测试结果显示LNA在60 GHz处取得最高的 17.3 dB增益,同时3-dB带宽为20 GHz（47-67 GHz）,涵盖所需要的59-64 GHz频段,并在62 GHz取得最低的4.9 dB噪声系数。整个LNA从1.2 V电源处吸收19 mA电流,芯片包括焊盘占用面积为900×550 μm2。     

AlN阻挡层对AlGaN/GaN HEMT器件的影响

利用低压MOCVD技术在蓝宝石衬底上生长了AlGaN/GaN异质结和AlGaN/AlN/GaN异质结二维电子气材料,采用相同器件工艺制造出了AlGaN/GaN HEMT器件和AlGaN/AlN/GaN HEMT器件.通过对两种不同器件的比较和讨论,研究了AlN阻挡层的增加对AlGaN/GaN HEMT器件性能的影响.     

Effects of the fluorine plasma treatment on low-density drain AlGaN/GaN HEMT

Low-density drain high-electron mobility transistors (LDD-HEMTs) with different F^- plasma treatment were investigated by simulations and experiments. The LDD region was performed by introducing negatively charged fluorine ions, which modified the surface field distribution on the drain side of the HEMT, and the enhancement of breakdown voltage were achieved. With the increased fluorine plasma treatment power and LDD region length, the breakdown voltage can be maximumly improved by 70%, and no severe reductions on output current and transconductance were observed. To confirm the temperature stability of the devices, annealing experiments were carried out at 400℃ for 2 min in ambient N₂. Moreover, the gate leakage current and breakdown voltage before and after annealing were compared and analyzed, respectively.     

Ni-Au/AlN/Si器件的深能级瞬态谱研究

对GaN器件制备过程中AlN缓冲层相关的电活性缺陷进行了C-V和深能级瞬态谱(DLTS)研究。C-V研究结果表明,制备态Ni-Au/AlN/Si MIS器件中,靠近AlN/Si界面处的掺杂浓度为4.4×10¹⁷cm-3,明显高于Si衬底的1.4×10¹⁶cm-3,意味着制备态样品中Al原子已经向衬底硅中扩散。采用退火工艺研究了GaN器件制备过程中的热影响以及热处理前后电活性缺陷在硅衬底中的演变情况,发现退火处理后,Al原子进一步向衬底硅中更深处扩散,扩散深度由制备态的500nm左右深入到1μm附近。DLTS研究结果发现,在Si衬底中与Al原子扩散相关的缺陷为Al-O配合物点缺陷。DLTS脉冲时间扫描表明,相比于制备态样品,退火态样品中出现了部分空穴俘获时间常数更大的缺陷,退火处理造成了点缺陷聚集,缺陷类型由点缺陷逐渐向扩展态缺陷发展。     

通信工程监理中存在的问题及其策略

随着社会的不断发展与进步,通信工程行业的发展引发了社会各界的广泛关注。为提升通信工程的管理水平,相关单位需要实施具体有效的管理方法,主要包括对项目目标的控制以及协调参建单位等多个方面的管理内容。在通信工程建设过程中,应该充分发挥监理的作用,全力打造优质工程。由于通信工程涉及多方面内容,不同的问题会对最终的工程监理效果产生不同的影响,因此,强化通信工程建设,提升通信工程监理质量以及监理效果十分必要。基于此,论文对通信工程监理工作进行简单论述,以期对通信工程监理工作的开展提供有益参考。     

基于单片机的温室调温系统的设计与实现

文章提出了一种有效的检测并控制温室大棚温度的设计方案.采用DS18B20检测温室内部环境温度,将检测结果送到单片机内部处理.将处理结果反馈出来,控制继电器,带动制冷器和加热器实现对温室内温度的调节,以达到植物生长最有利的温度环境.本设计采用了多点温度检测的方式,即单片机通过一根总线与多个DS18B20通信,增强了该系统...     

AlGaN/GaN HEMT高场应力退化及紫外光辐照的研究

采用不同的应力偏压发现器件特性的下降程度随应力偏置电压的增大而增大.经过3×104s 40V高场应力后,蓝宝石衬底 AlGaN/GaN HEMT饱和漏电流下降5.2%,跨导下降7.6%.从器件直流参数的下降分析了应力后的特性退化现象并与连续直流扫描电流崩塌现象进行了对比,同时观察了紫外光照对应力后器件特性退化的恢复作用.直流扫描电流崩塌现象在紫外光照下迅速消除,但是紫外光照不能恢复高场应力造成的特性退化.     

一种基于分组和注册的配置管理系统

一个软件系统往往由多个应用组成,每个应用有不同的配置,每个应用可能部署在多台服务器,每台服务器也可能部署多个应用,同样的应用在不同的服务器上也可能使用不同的配置.本文提出的基于分组与注册的配置管理系统,能够非常灵活的管理多个应用的配置,通过分组配置,可以让1个应用有多组配置,不同的服务器用不同的配置.通过注册,可以让1个服务器运行多个应用并使用不同的配置.     

基于PLC的钻杆输送装置电控绞车系统设计

针对现有的石油钻杆输送装置提升绞车主要为液压驱动,其系统易受气温和环境的影响,系统稳定性较差,反应不灵敏,需要单独的液压站,不便于拆装和搬运等问题,设计了一套基于可编程逻辑控制器(Programmable Logic Controller, PLC)的双变频电控绞车系统作为钻杆输送装置的主驱动。使用三维软件建立电控绞车滚筒结构模型,并对其进行强度校核计算,基于ANSYS Workbench软件进行有限元仿真分析,其强度符合要求。该系统采用PLC作为控制器,利用模拟量信号控制变频器,从而同步控制双变频电机,以实现对电控绞车滚筒的控制。该系统自动化程度高、操控方便且安全稳定,避免了液压驱动系统的诸多不便,提高了钻杆输送及钻井的整体效率。