用高反射率型半导体可饱和吸收镜实现半导体端面泵浦Yb:YAB激光器被动锁模(英文)

利用金属有机气相淀积方法生长了一种新型吸收体 :高反射率半导体可饱和吸收镜 .用这种吸收体兼作端镜 ,实现了 1 0 4 4 μm半导体端面泵浦Yb∶YAB激光器被动锁模 ,脉冲宽度为 3 0 5 ps ,重复率为 375MHz ,输出功率为 4 5mW .     

广西贺州地区高边坡危石分析与整治

我国西南地区多喀斯特地貌,其中广西贺州地区较为典型,易形成孤峰陡崖,在地质营力及风化的作用下易形成危岩落石。孤峰地区进行工程建设时,危岩落石是危及人民生命财产、运营安全的最主要风险源之一。以广西贺州地区某铁路高边坡危石整治为背景,分析了危岩体的基本特征及失稳模式、危岩体稳定计算方法、零星落石弹跳轨迹,讨论了支顶、拦石墙、主被动网的防护方案,分析了计算结果。根据计算结果,对该高边坡危石提出建议了整治方案的建议。     

300MW纯凝机组抽汽改造后的控制逻辑分析

国电双辽发电有限公司1号机组通流部分改造过程中,在中低压缸连通管上加装三通管路,实现中排抽汽至首站供热,抽汽管路后加装逆止门、液动快关阀,在分散控制系统(DCS)内进行操作及联锁保护控制,抽汽管后至低压缸连通管加装抽汽蝶阀,在1号机组DCS内控制抽汽蝶阀开度控制抽汽压力,实现了300MW纯凝机组向供热机组的转型。     

靖安油田盘古梁-周家湾地区三叠系延长组长6储层特征及影响因素分析

通过对大量的铸体薄片、扫描电镜、孔渗测定、压汞资料和测井数据分析,认为鄂尔多斯盆地盘古梁-周家湾地区长6储层具有以下特征：研究区主要为长石砂岩,局部发育岩屑长石砂岩;粒度以细砂为主,中砂次之;沉积微相主要发育水下分流河道和河口砂坝微相。孔隙类型主要以残余原生粒间孔为主,溶蚀孔次之,含少量的晶间孔和微裂缝。储层的物性较差,主要受成岩作用和沉积相带的影响。     

基于多任务的嵌入式SNMP Agent在Cable Modem中的实现

文中给出了一套网管代理的设计原则，结合线缆调制解调器的实际要求，实现了基于pSOSystem操作系统的多任务式的嵌入式SNMP Agent，并从实用角度出发，对Agent的安全性加以改进和完善，实际运转情况良好。     

半导体可饱和吸收镜连续被动锁模端面抽运Nd∶YVO_4激光器

报道了利用国产半导体可饱和吸收镜(SESAM)实现端面抽运Nd∶YVO4激光器连续锁模(CWML)运转的实验结果。在V型腔结构的实验中观察到调Q锁模(QML)波形不稳并有较强的直流成份,通过选择小透过率输出镜和增加腔长,解决了这两个问题。在腔长从0.66m增至1.27m和1.86m过程中,直流分量从52%降到13.6%,0.3%,最终获得了重复频率约80MHz的稳定连续锁模脉冲输出,光谱宽度为0.15nm。在考虑晶体热效应基础上,利用ABCD矩阵方法设计了四镜Z型腔,获得了1W左右的连续锁模输出,重复频率约150MHz。分析和比较了V型腔和Z型腔的优缺点。     

用离子注入GaAs晶片实现闪光灯泵浦Nd:YAG激光器中的被动调Q(英文)

对半绝缘Ga As晶片进行As+ 注入,注入能量为4 0 0 ke V ,剂量为10 1 6 cm- 2 .用这种注入条件下的Ga As晶片作为吸收体和输出镜,在被动调Q闪光灯泵浦的Nd∶YAG激光器上获得了6 2 ns的单脉冲宽度.这是迄今为止国内最好的报道结果.     

一种编丝装置

讨论了将丝状材料编织成麻花形状的编织装置的设计制造,该装置包括拉杆和旋转2部分,拉杆部分包括拉手和拉杆,旋转部分包括连接螺母、套筒、连接杆、夹丝头和压紧帽,拉杆部分通过联接螺母与旋转部分连接。采用机械旋转结构,设计了一种快速编织麻花形状保险丝的编丝装置,解决了现有技术中因为金属丝的硬度和使用力度不同,导致穿好的金属保险丝松紧不一致的问题,具有编织松紧度完全相同、省力和编织速度快的特点。     

基于氧化石墨烯可饱和吸收体的低阈值被动调Q锁模Tm,Ho…LiLuF_4激光器

利用垂直生长法制备的氧化石墨烯(GO)作为可饱和吸收体,结合特殊设计的低阈值谐振腔,在Tm,Ho…LiLuF_4全固态激光器中实现了低阈值被动调Q锁模运转。出光阈值功率低至73mW,稳定锁模阈值功率为663mW,对应GO可饱和吸收体上功率密度为76.4μJ·cm~(-2)。典型的调Q脉冲包络重复频率为104.2kHz,脉宽约为30μs,包络下锁模脉冲序列的重复频率为178.6 MHz,调制深度接近100%。     

用高反射率型半导体可饱和吸收镜实现半导体端面泵浦Yb∶YAB激光器被动锁模

利用金属有机气相淀积方法生长了一种新型吸收体:高反射率半导体可饱和吸收镜.用这种吸收体兼作端镜,实现了1.044μm半导体端面泵浦Yb∶YAB激光器被动锁模,脉冲宽度为3.05ps,重复率为375MHz,输出功率为45mW.