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41.
深入分析了三坐标雷达测高性能影响因素,提出测高精细化处理的定义及技术框架,从"精细化测高技术状态调整""精细化测高算法应用及点航迹处理""精细化测高误差修正""精细化高度情报使用"四个方面研究了测高精细化处理的关键技术.基于实际数据验证了精细化处理对提升三坐标雷达测高性能的必要性及有效性,对三坐标雷达设计研制及性能改进... 相似文献
42.
43.
44.
该文结合掌纹图像的纹理特点,对原始韦伯局部描述子(WLD)中的差分激励和梯度方向进行改进,提出双Gabor方向韦伯局部描述子(DGWLD),以提高掌纹识别率。在构建新的差分激励图时,通过加入邻域像素点与中心像素点间灰度差分的方向信息,扩大异类掌纹间的差异。同时,采用双Gabor方向代替原始的梯度方向,减小平移和旋转对识别的影响。此外,为了更好地衡量特征间的相似度,使用交叉匹配算法,进一步提升识别率。在PolyU, MSpalmprint和CASIA掌纹库上进行实验,识别率均达到100%。实验的结果表明,与其它局部描述子和已有改进的WLD方法相比,该文方法具有更高的识别率和更低的等错误率。 相似文献
45.
自蔓处视温合成氮化硅的生长机理 总被引:7,自引:0,他引:7
通过放气法观察到短棒状β-SiN4以气-液-固(VLS)机制生长的中间形太,以气-液-固机制生长的β-SiN4所需的液相依赖于反应物中的含氧杂质,而非反应物中的金属杂质,或氮气中的杂质氧气和水蒸汽等,在生长过程中,液相不断析出β-SiN4,氧需在液-固中重新分配,使得液相中的氧逐渐减少,并得不到补偿,所以β-SiN4长成短棒状,增加反应中的氧含量,可以得到高长径比的β-SiN4,氮气中适量的杂质氧气和水蒸汽有利于提高产物中β-SiN4的α相与β相的比例。 相似文献
46.
自蔓延高温合成氮化硅的生长机理 总被引:1,自引:0,他引:1
通过放气法观察到了短棒状β-Si3N4以气-液-固(VLS)机制生长的中间形态.以气-液-固机制生长的β-Si3N4所需的液相依赖于反应物中的含氧杂质,而非反应物中的金属杂质,或氮气中的杂质氧气和水蒸汽等.在生长过程中,液相不断析出β-Si3N4,氧需在液-固中重新分配,使得液相中的氧逐渐减少,并得不到补偿,所以β-Si3N4长成短棒状.增加反应物中的氧含量,可以得到高长径比的β-Si3N4.氮气中适量的杂质氧气和水蒸汽有利于提高产物中Si3N4的α相与β相的比例. 相似文献
47.
48.
49.
氮气压对自蔓延高温合成A1N后烧的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了氮气压力对自蔓延高温合成A1N的影响和后烧机理,结果表明,自蔓延高温合成A1N的生长机制为气相-晶体(Vapor-Crystal,VC)机制,气相沉积的台阶平面为A1N的基面(0001面)为了降低表面能,生长台阶必须以六棱柱形态形核,在后烧阶段,A1N颗粒中心的小台阶被重新“蒸发”,井沉积到远离中心的大台阶上,使A1N颗粒棱角分明,形状规则,随着氮气压力的增加,燃烧温度逐渐提高,后烧的时间缩短。 相似文献
50.
为了提高人民生活水平,我国城乡建筑社会主义现代化问题,提到日程上来了。在八十年代里,我们建筑工作者要高瞻远瞩、展望未来,把主要精力集中于环境建设、城市规划和建筑创作这三个方面,在探索实现现代化的道路上迈出切实的步伐。现在,谈谈我的设想。 相似文献