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71.
极化分集技术的应用,对移动通信基站双极化天线提出了交叉极化比的要求。借助Friis传输公式、Jones矢量和极化匹配因子,分析了天线的交叉极化比,给出了计算任意线极化天线交叉极化比的通用公式。计算表明,±45°双极化天线在两个主平面中偏离法线方向60°处,交叉极化比的理论值仅9.542 dB,无法满足"不小于10 dB"的要求。  相似文献   
72.
给出了民用电话保密产品需求量分析和对民用电话加密装置的六点要求及其市场效益评估。  相似文献   
73.
铁电存储场效应晶体管I-V特性的物理机制模拟   总被引:1,自引:0,他引:1  
文章讨论的模型主要描述了铁电存储场效应晶体管(FEMFET)的I-V特性。从理论结果可反映出几何尺寸效应和材料参数对晶体管电特性的影响。传统的阈值电压的概念巳不再适用,由于铁电层反偏偶极子的开关作用,自发极化的增加对存储器的工作状态产生很小的影响。该模型可用于设计和工艺参数的优化,并由直观原型的方法得到了验证。  相似文献   
74.
机载激光测深后向散射光雷达方程   总被引:2,自引:0,他引:2  
根据《海水中光束传播唯象模型》和水下辐射度反射率定律,将海水中任一深度的激光束,分为准直光部分和非准直光(散射)部分,并分别计算机载光学接收系统接收到的准直部分和非准直部分的后向散射功率,建立了机载激光测深系统后向散射光雷达方程。通过对该雷达方程的分析,得到了当海水深度以衰减长度的个数表示时,机载激光测深系统接收到的海水后向散射光功率最大值点对应的水深与海水的单粒子反照率有关,而与海水的衰减系数无关的结论,以此可测定海水散射系数、吸收系数。文中也分析了系统视场角对后向散射包络的影响,阐述了后向散射包络以有效衰减系数指数衰减,而不是以光束衰减系数指数衰减。  相似文献   
75.
由于历史原因,在原扬州市至邗江区各乡镇的有线电视网络中,北部乡镇采用1550nm光信号联网,杭集、太安两乡镇采用一级1310nm光信号联网,沿江片、洲片各乡镇采用二级DFB1310nm光信号联网.由于乡镇站本身采用的是一级光链路,沿江片、洲片各乡镇采用三级光链路传输,因此信号指标略低.随着邗江区乡镇的合并,该区乡镇广电站减少到14个,为取消乡镇联网中的DFB1310nm中断站、解决停电及指标问题提供了条件.这次改造,除杭集、太安两乡镇外,其余12个乡镇全部采用1550nm光传输平台实现联网.  相似文献   
76.
王华 《舰船电子对抗》2010,33(1):94-96,100
分析了基于直接数字合成(DDS)的带可编程相参多普勒频率的非线性调频中频信号源设计原理及方法,讨论了多普勒频率控制字和相位控制字的实时计算方法,并对信号源产生的多普勒信号的频率误差和相位误差进行了阐述。  相似文献   
77.
针对现有表面横波谐振器设计软件仿真精度不够的问题,通过引入中间栅P矩阵模拟其对声波的反射和声速的调制作用,计算不同占空比栅阵的耦合模参数,在仿真中加入了中间栅周期、分布和换能器占空比等变量,实现了对中间栅、占空比的优化设计.利用寄生电路计算模块,分析了封装寄生参数的影响,进一步提高了仿真精度.利用该法设计了中心频率315 MHz、插入损耗12 dB、品质因数7 000的谐振器.经实验证实,仿真误差小于0.5%,仿真精度满足设计需要.  相似文献   
78.
本刊讯 为了总结在广州亚运会中取得的成功经验,弘扬广州亚运会培育的崇高精神,2010年12月28日上午,广东省经济和信息化委员会、广州军区司令部通信部、广州市科技和信息化局在广州市亚洲大酒店隆重召开广州亚运会无线电安全保障总结大会。  相似文献   
79.
王华  曲臻 《移动通信》2014,(3):70-75
随着WCDMA用户的不断增多,用户对WCDMA网络覆盖以及室内深度覆盖提出了更高的要求。针对这种情况,就UMTS应用于900MHz频谱技术进行分析,并结合UMTS900与UMTS2100网络在单室外基站和室内覆盖两种不同场景下的比较实验,明确展现了UMTS900网络应用的优势和布设的必然性。同时结合对UMTS900网络规划中GU共存的三个关键问题的分析,提出了现网改造方案。  相似文献   
80.
具有凹凸界面结构的有机发光器件的性能研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
通过采用毫米尺度的凹凸界面结构实现了有机发光器件(Organic Light Emitting Device,OLED)发光效率的提高。在制备OLED器件过程中使用双狭缝模板,在发光层的界面处构建了高度为10nm的凸起,获得最大功率效率为23.9lm/W,最大电流效率为45.6cd/A,与传统的平直界面的OLED相比,分别提高了70%和36%。经过实验数据分析与理论模拟得出初步结论:OLED发光效率提高主要归因于金属界面处局域表面等离子体共振激发,提高了金属阴极界面的远场散射,从而提高OLED的出光效率;另外适当凹凸深度也改善了器件的电学性能。  相似文献   
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