面向IC芯片结构高速数字传输线特性三维电磁场时域模拟器

本文介绍一种采用对称凝缩节点传输线阵方法研制成面向集成电路芯片结构的高速数字传输线特性三维电磁场时域模拟器。模拟器能模拟高脉冲在ＩＣ芯片上由任意矩阵结构组成的共同传输线中的时域全波传输过程。     

根据合理切削厚度确定采煤机的牵引速度

牵引速度和滚筒转速是采煤机的重要参数之一。讨论它们的合理值是个复杂问题,因为影响因素很多,如工作机构的设计参数(螺旋头数、升角、螺距、直径、截齿形状等);截齿排列、数目、质量和磨损程度;电机功率;煤的物理力学性质;工作面的地质条件;以及采煤机配套设备的综合生产能     

金属-半导体-金属光电探测器的瞬态特性分析

给出了金属—半导体—金属光电探测器(MSM—PD)高频特性的等效电路模型，在此模型基础上编写模拟分析程序，分析了探测器相关器件参数对器件截止频率的影响，为探测器与前置放大器的优化匹配提供了理论依据。     

三维紧凑型半球凹坑阵列玻璃基在非晶硅薄膜电池中的应用

研究了一种紧密型半球凹坑阵列光子晶体玻璃基,并将其运用在非晶硅薄膜太阳电池结构.用FDTD方法对玻璃基进行了透射衍射场分布计算,用RCWA方法对基于此基底的非晶硅薄膜结构进行仿真优化,得到了0.6μm周期、最小基底厚度0.6μm的优化结构,与平板结构相比较0.3～0.8μm波段平均反射率降低了51.5％,平均吸收率增加了18.6％.薄膜电池结构随入射角度的增大,反射率峰值发生蓝移且明显降低,在50°～65°入射角范围内全波段具有约6％的平均反射率.     

GaAsIC数字微波逻辑单元微波参量特性研究

介绍了根据微波ＩＣ单元设计概念来分析设计ＧａＡｓ数字ＩＣ单元的一种新的方法。采用微波参量分析方法能有效地分析高速ＧａＡｓＩＣ在微波域内的频响特性。对两个典型的ＧａＡｓ数字ＩＣ单元运用电路模拟程序ＰＳＰＩＣＥ进行了微波Ｓ参数特性分析。     

低阻Mo/WSi_x/GaAs复合难熔栅研究

W_5Si_3作为难熔栅金属材料,在高性能GaAs电路中已有良好应用.但W_5Si_3材料的电阻率为120μΩ·cm左右,在亚微米栅工艺中使栅电阻偏高,不利于降低器件噪声,特别是在MMIC电路中的应用.故必须寻求新的低电阻率的、与GaAs有良好肖特基接触特性的难熔金属栅材料.本文介绍一种低阻Mo/WSi_x复合难熔金属栅材料的特性及与GaAs的接触性能的研究结果.包括用粉末冶金靶制备WSi_x膜和复合膜Mo/WSi_x的制备.     

重视煤炭科学普及工作推动生产发展

当今,科学技术已成为经济发展的巨大推动力。从煤炭工业发展来看,在五十年代初期,以先进的生产技术和设备,改变了解放前的技术落后面貌,使煤炭产量大幅度地提高,到五十年代末达到了建国初前的七倍。但后来由于“左”的错误影响,忽视了科学技术的作用,使生产出现了马鞍形并停滞不前。特别是十年动乱,科学技术残遭破坏,使生产频于崩溃的边     

高速数字微波共面带线电磁互耦全波分析及模拟器

报道了采用电磁场全波分析方法模拟高速数字微波共面带线传输线电磁互耦特性。共面带线传输线电磁互耦模拟器具有很好的交互式界面，能用于高速集成电路共面带经传输线的电磁场全波分析。     

新型高抗粘紫外纳米压印光刻胶的工艺研究

为了减少紫外纳米压印技术脱模过程中的接触粘附力,开发了一种新型高流动、抗粘的紫外纳米压印光刻胶。光刻胶以BMA为聚合单体,添加特定配比的交联剂和光引发剂配置而成。紫外纳米压印实验在本课题组自主研发的IL-NP04型纳米压印机上完成。实验得到光刻胶掩膜膜厚为1.21μm,结构尺寸深246nm,周期937.5nm。实验结果表明,在没有对石英模板表面进行修饰的情况下,该光刻胶依然表现出高可靠性和高图形转移分辨率,有效减少了紫外纳米压印工艺中的模板抗粘修饰的工艺步骤。     

亚波长纳米结构宽波段抗反射特性

研究了玻璃(折射率n=1.52)表面周期性台阶结构的宽波段抗反射特性.利用等效媒质理论,对单台阶和二台阶结构进行了参数设计,并用严格耦合波理论对设计的台阶结构进行了入射光波长、入射角的反射效率、反射级次特性分析计算.研究结果表明:当亚波长纳米结构的周期低于周期阈值时,随着入射波长的增加只有零级衍射;台阶层数的增加,可增...