2千兆赫GaAs分频器设计

本文介绍了我国自行研制成功的GaAs 2千兆赫二分频分频器的设计。其试验电路测试结果表明该设计方法的可行性。     

新型纳米分辨率位移定位平移台的研制

为克服已有压电驱动器存在的结构及控制系统复杂、定位行程小等缺陷,利用压电陶瓷的逆压电效应设计并制作了一种新型的压电纳米步进驱动器,建立光栅测试系统对这种压电驱动器的动态性能进行了测试.将压电纳米步进驱动器与电磁伺服马达耦合,设计新颖驱动结构,利用微机通过步进运动控制卡统一控制,实现大范围一维纳米分辨率位移定位.系统样机解决了所研制压电纳米步进驱动器双向运动、实用定位等问题.位移定位分辨率为50 nm,定位行程为100mm,纳米分辨率定位最大速度为0.6 mm/s.     

《中国煤矿采场围岩控制》──我国煤矿生产实用技术大全和矿山压力理论研究成果的一部巨大专著

《中国煤矿采场围岩控制》──我国煤矿生产实用技术大全和矿山压力理论研究成果的一部巨大专著河北煤炭建筑工程学院王庆康教授《中国煤矿采场围岩控制》一书是近１３０万字的巨著，于１９９４年出版问世。该书是由原中国统配煤矿总公司生产局局长陈炎光高级工程师和中国...     

缓斜特厚煤层放顶煤采场矿压显现规律是当前重要研究方向之一

我国缓斜厚煤层的储量占总储量的40%以上。目前,对6m以上的特厚煤层,主要是采用分层开采的采煤方法,随着生产技术的进步,自1984年起,在我国     

GaAsMMIC放大器单元微波参量特性研究

采用微波参量分析方法能有效地分析高速ＧａＡｓＩＣ在微波域内的频响特性。文中根据电路和工艺技术,给出了已报导的一种ＧａＡｓ放大器单元电路的一组特定参数,并进行了微波参量特性研究。     

阳极氧化法制备氧化铝纳米线薄膜及其生成机理研究

研究了一种简单新颖的制备氧化铝纳米线薄膜的电化学方法.以阳极氧化法在高纯铝片表面制备多孔阳极氧化铝(AAO)的工艺为基础,在草酸电解液中将AAO孔壁溶解形成氧化铝纳米线,均匀覆盖在AAO有序孔道的上方,得到一种特殊结构的纳米线薄膜.对实验产物纳米线的形貌、结构及成分进行了表征分析,并探讨了氧化铝纳米线薄膜的生成机理.     

波导型表面等离子体共振传感器传感特性计算

介绍了集成波导型表面等离子体共振传感器工作原理和基本结构,用传统波导模式的分析法结合表面等离子体波的色散方程,计算集成波导型表面等离子体共振传感器理论模型的共振波长。通过基于菲涅耳方程的解析分析,得到了含有表面等离子体共振吸收峰的透射谱。通过比较不同折射率被测物的透射谱,粗略确定了集成波导型表面等离子体传感器的检测范围。     

GaAs MSM结构光电探测器的光电特性研究

报导了作者研制的GaAs MSM—PD的直流及脉冲光电特性,对不同材料、不同结构尺寸的器件进行了试验和分析,测试结果:最大暗电流1.9nA,最高灵敏度为0.25A/W,FWHM小于110 ps(10V下),有较好的光电流和光功率线性关系,通过实验研究,发现对插指结构的器件在同一面积下受光面积与单位面积上的光电流存在最优化选择。     

MSM光电探测器电磁场特性的 TLM方法模拟

介绍了利用传输线矩阵方法模拟和分析金属－半导体－金属光电探测器的指栅电容的频率响应。应用时域电磁场三维TLM方法模拟分析了指栅间距和指栅间的耦合长度与光电探测器截止频率的关系。文中报道了本项研究所开发的三维电磁场时域模拟器TLM Simulator2.0及其功能。数值实验结果说明模拟器对微波结构的电磁场模拟是精确、有效的,具有很好的应用价值。     

纳米线织构的多晶硅太阳电池研究

采用无电化学刻蚀技术,通过优化Ag NO_3浓度、刻蚀温度和刻蚀时间,研究在125 mm×125 mm多晶硅片表面制备均匀分布硅纳米线阵列的方法,获得了硅纳米线织构的多晶硅在宽光谱范围内(300~1000 nm)平均反射率约为8%。成功制备了表面具有硅纳米线织构的多晶硅太阳电池,并通过两种改进方法提高太阳电池效率:1)优化硅纳米线阵列的长度(约1.5μm),并利用PECVD方法在硅纳米线阵列表面生长70 nm Si_3N_4薄膜进行表面钝化,纳米线织构的多晶硅太阳电池效率从8.95%提高到了11.41%。2)使用HNO_3和HF混合溶液去除硅衬底背表面的硅纳米线阵列,使铝背电极与多晶硅紧密接触,太阳电池效率进一步提高到13.99%。研究表明:所采用的改进方法能有效提高纳米线织构多晶硅太阳电池的效率。