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21.
微能源网设备的优化配置对提高其长期运行经济性具有重要作用,但现有优化方法未充分考虑待配置设备的参数差异性,对不同运行场景适应性不强.因此,重点研究了考虑设备差异性的微能源网设备优化配置方法.首先,基于设备关键参数构建待选型设备库,并对核心设备进行筛选.然后,结合多维度约束条件建立以设备数量为离散型变量的混合整数优化模型,利用线性规划求解器进行求解.最后,在不同场景下进行设备配置的方案对比,验证了设备库构建的完整性对规划结果具有一定影响,且以各型号设备的数量作为离散变量在多设备优化配置时具有一定优势. 相似文献
22.
用能量为1.23GeV的快Fe离子辐照了多层堆叠的C60薄膜。用Raman散射技术分析了快Fe离子在C60薄膜中由强电子激发引起的效应,主要包括辐照引起C60分子的聚合及其高温、高压相(HTHP)的形成,和在高电子能损下C60晶体点阵位置上的C60分子向非晶碳的转变。由此演绎出了快Fe离子在C60薄膜中的损伤截面或潜径迹截面σ和潜径迹的半径心,及其随沉积在电子系统中的能量密度的变化而变化的规律。 相似文献
23.
在市政工程建设中,道路排水管道的施工时非常重要的,道路排水管道建设主要作用是将城市中的积水通过排水管道排放到城市外,从而保证城市中不会出现积水的现象,影响人们的日常生活,同时也能使城市水资源处于一个平衡的状态.市政工程道路排水管道施工建设需要很高的技术进行建设,从而保证城市道路排水管道使用效率和质量.为了做到这一点,就... 相似文献
24.
用 1.15GeV的氩离子在室温下对二氧化硅玻璃样品进行了辐照 ,并通过正电子寿命测量技术研究了辐照后材料微观结构的变化。结果表明 ,在未辐照二氧化硅玻璃中有近 81%的正电子是以正电子素的形式湮灭的 ;根据o -Ps的撞击湮灭寿命确定出未辐照样品的自由体积分布在0 .0 2— 0 .13nm3的区域里 ,平均自由体积半径约为 2 .5nm。辐照后材料的自由体积分布函数变窄 ,峰位下移 ,显示样品经辐照后有密度增大的现象。随着剂量的增大 ,第二正电子寿命成分的强度逐渐增加 ,而相应于o -Ps的寿命成分的强度逐渐减小 ,这被认为是由于辐照产生的电离电子在自由体积中漫游 ,使正电子与这些漫游电子发生湮灭的几率增大 ,从而减小了正电子素的形成几率。 相似文献
25.
26.
亲电性有机硒试剂的反应及其在天然物合成中的应用 总被引:2,自引:1,他引:1
简要综述了有机硒试剂的亲电加成和取代反应,从分子中消去硒基团的方法及其在天然物合成中的应用。 相似文献
27.
Amorphous silicon (a-Si),nanocrystalline silicon (nc-Si) and hydrogenated nanocrys-talline silicon (nc-Si:H) films were fabricated by using chemical vapor deposition (CVD) system.The a-Si and nc-Si thin films were irradiated with 94 MeV Xe-ions at fluences of 1.0×10 11 ions/cm-2,1.0×10 12 ions/cm-2 and 1.0×10 13 ions/cm-2 at room temperature (RT).The nc-Si:H films were irradiated with 9 MeV Xe-ions at 1.0×10 12 Xe/cm-2,1.0×10 13 Xe/cm-2 and 1.0×10 14 Xe/cm-2 at RT.For comparison,mono-crystalline silicon (c-Si) samples were also irradiated at RT with 94 MeV Xe-ions.All samples were analyzed by using an UV/VIS/NIR spectrometer and an X-ray powder diffractometer.Variations of the optical band-gap (E g) and grain size (D) versus the irradiation fluence were investigated systematically.The obtained results showed that the optical band-gaps and grain size of the thin films changed dramatically whereas no observable change was found in c-Si samples after Xe-ion irradiation.Possible mechanism underlying the modification of silicon thin films was briefly discussed. 相似文献
28.
以Al_2O_3、Zr O_2、MgO为初始粉末,采用放电等离子体烧结(SPS)制备ZTA-MgAl_2O_4复相陶瓷,研究MgAl_2O_4掺杂对ZTA-MgAl_2O_4复相陶瓷微观结构,力学及热学性能的影响。结果表明:ZTA-MgAl_2O_4复相陶瓷物相包括α-Al_2O_3、t-Zr O_2和MgAl_2O_4,烧结过程中MgO与Al_2O_3完全反应生成MgAl_2O_4;随MgAl_2O_4添加量增加,复相陶瓷Vickers硬度由21 GPa逐渐降低至17.5 GPa;而断裂韧性及抗弯强度呈现先增大后减小的趋势,当MgAl_2O_4添加量为15%(体积分数)时,断裂韧性和弯曲强度达到最大值,分别为8.55 MPa·m~(1/2)和1 056 MPa;此外,相同测试温度下复相陶瓷热导率随MgAl_2O_4添加量的增加逐渐减小,如温度为50℃时复相陶瓷热导率由18.5 W/(m·K)逐渐降低到14.3 W/(m·K)。 相似文献
29.
工作面开采后,上覆岩层的破坏易对邻近煤层产生较大影响。为了研究工作面开采对上覆煤层下沉量及应力分布的具体影响规律。通过数值模拟的手段,以开滦集团钱家营矿1622W工作面开采为工程背景,分析开采前后9~#煤层下沉量以及两侧煤柱区域垂直应力变化的分布规律。结果表明:工作面开采后,采空区中部下沉量最大,随着逐渐向工作面边缘过渡,下沉量逐渐减小;同时工作面两端头处的垂直应力值均呈现先快速升高又逐渐降低的趋势,最终压力值远远大于开采前的煤层压力,分析结果对9~#煤层上行开采巷道的布置起到了重要作用。 相似文献
30.
高能136Xe离子辐照聚酰亚胺化学改性的电子能损效应 总被引:1,自引:0,他引:1
用1.755GeV^136Xe离子在真空室温环境下辐照叠层聚酰亚胺薄膜,通过红外和紫外光谱测量研究了高电子能损离子辐照引起的化学降解及炔基产生效应。红外测量结果表明,典型官能团随辐照注量的增加指数降解,且径迹芯中所有官能团均遭到破坏;对应8.8(最小能损,第一层)和11.5keV/nm(最大能损,第五层)电子能损,^136Xe辐照聚酰亚胺的平均降解半径分别为3.6和4.1nm。而相应能损条件下炔基的生成截面分别为5.6和5.9nm大于官能团的降解截面。紫外结果表明辐照引起的吸光度的改变随辐照注量线性增加,发色团的产生效率随电子能损的增大而增加。 相似文献