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钨基片的超高压成型与低温烧结新工艺探讨 总被引:2,自引:0,他引:2
把普通工业钨粉经高温热处理后,其粒度,粒型都产生了很大的变化,并具有良好的承压性能和成型性能。该种粉末在超高压条件下,生坯的相对密度可达到90%以上。用这种生坯,在较低的温度下和较短的时间内可以完成烧结过程,其烧结密度可达94%以上,用这种新工艺生产的钨圆片,其各种性能完全达到电力半导体器件对钨基片性能的要求,而生产成本比传统工艺降低50%以上。 相似文献
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根据Au-Ag-Ge三元相图,制备2种新型钎料合金Au-19.25Ag-12.80Ge和Au-21.06Ag-13.09Ge(质量分数,%)。利用差热分析仪和Sirion200场发射扫描电镜对钎料的熔化特性及显微组织进行分析,并对其与纯Ni的润湿性加以研究。研究结果表明:Au-19.25Ag-12.80Ge合金的性能较好,其熔化温度范围为446.76-494.40℃,结晶温度区间为47.64℃:焊接温度在510~550℃范围内时,Au-19.25Ag-12.80Ge钎料合金与Ni基体具有良好的铺展性和润湿性,焊接时钎料合金与Ni基体之间形成了一条连续的金属间化合物层,能谱分析表明该金属间化合物层为Ge3Ni5,由于该化合物较脆,过厚的金属间化合物层使焊接接头的剪切强度下降,故应适当控制焊接工艺以获得理想的焊接界面组织。 相似文献
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金属基电子封装材料进展 总被引:40,自引:0,他引:40
对照几种传统的金属基电子封装材料 ,较详细地阐述了 W Cu、Mo Cu、Si C/ Al等新型封装材料的性能特点、制造方法、应用背景以及存在的问题。介绍了金属基电子封装材料的最新发展动态 ,指出国际上近年来的研究与开发主要集中在净成型技术、新材料体系探索以及材料的集成化应用等方面。最后 ,文章对金属基电子封装材料的发展趋势进行了展望 ,作者认为 ,未来的金属基电子封装材料将朝着高性能、低成本、轻量化和集成化的方向发展 相似文献
36.
W-Cu电子封装材料的气密性 总被引:25,自引:3,他引:25
分析了传统熔渗法生产的WCu材料气密性差的工艺因素,采用加入一定数量的诱导铜的工艺方法进行压型,通过调整成型压力,使生坯中的W含量达到电子封装WCu15含钨量的标准,其余的Cu在熔渗时渗入。实验表明,加入1%~2.5%的诱导铜的生坯在1350℃熔渗1.5h,其气密性可以达到满意的效果。 相似文献
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Mo70-Cu复合材料,由于致密度较低,常在后续轧制加工时出现严重的边裂。为了提高该复合材料的致密度和轧制性能,作者采用熔渗法制备Mo70-Cu复合材料,并对其样品进行冷轧实验,研究熔渗保温时间对密度和塑性的影响。实验结果表明,Mo70-Cu复合材料的密度及相应的加工性能均随保温时间的延长而提高,冷轧时的变形率达40%时,样品仍未出现宏观边裂现象,可以满足对CPC芯材的要求。 相似文献
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