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11.
12.
采用CdTe和Te双源共蒸发的方法, 调控CdTe和Te源的蒸发速率, 首次制备出一系列不同x组分的CdxTe二元化合物薄膜, 并在N2气气氛下进行185℃退火处理。通过XRD、SEM、紫外-可见吸收光谱分析及暗电导率-温度关系对CdxTe薄膜的结构、形貌、光学和电学性质进行表征。紫外-可见吸收光谱分析表明, 不同x组分的CdxTe薄膜, 其禁带宽度可在0.99~1.46 eV之间变化, 随着x值从0.8减小到0.2, 吸收边向长波方向移动, 而且透过率也显著下降。XRD结果表明, x值小于0.6时, 刚沉积的CdxTe薄膜为非晶相; 随着x的值逐渐靠近1, 刚沉积的薄膜明显结晶, 沿CdTe(111)方向择优生长, 退火处理促使薄膜从非晶转变为多晶。CdxTe薄膜的导电类型为p型, 其暗电导率随温度的上升而增大, 当温度继续升高至临界点时, 薄膜暗电导率-温度关系出现反常。这些结果表明, CdxTe薄膜将有望用于CdTe薄膜太阳电池以拓展电池的长波光谱响应。 相似文献
13.
目的 探讨阿霉素(ADR) 体外诱导人乳腺癌化疗敏感细胞(MCF-7 S) 凋亡与去磷酸化RB 蛋白表达之间的关系。 方法 应用MTT 比色法检测ADR对体外培养的MCF-7 S 细胞增殖抑制作用, 同时应用末端标记(TUNEL) 法观测ADR 对MCF-7 S 细胞凋亡程度的影响。采用免疫细胞化学法检测去磷酸化RB 蛋白的表达水平。 结果 ADR 抑制MCF-7 S细胞增殖呈剂量依赖性, 半数抑制浓度(IC50) 为0.128 mg·L-1;ADR 作用组MCF-7 S 细胞的凋亡率(apoptotic rate, AR) 为0.261, 较对照组(0.045) 明显增高(P <0.01);ADR 作用组MCF-7 S 细胞的去磷酸化RB 蛋白表达量MOD(阳性细胞平均光密度) ×area(阳性面积相对比) 均数是987 ±207, 较对照组132 ±32 显著增高(P <0.01);ADR 能促进MCF-7 S细胞内去磷酸化RB 蛋白的表达。在ADR 作用组,MCF-7 S 细胞的凋亡率与去磷酸化RB 蛋白表达量呈正相关(P <0.05)。 结论 ADR 抑制MCF-7 S 细胞增殖和诱导MCF-7 S 细胞凋亡可能与细胞内去磷酸化RB 蛋白表达水平有关。 相似文献
14.
从肖特基势垒高度、有效掺杂浓度和有效质量的优化和控制等方面,对接触电阻的最新技术进行了详细的总结。首先,分析了插入界面层的金属-绝缘体-半导体接触结构、界面钝化、杂质分凝技术对于降低肖特基势垒高度的效果。其次,讨论了原位掺杂、固相外延、低温离子注入以及激光退火技术对于提高源/漏掺杂浓度的作用。然后,介绍了通过控制SiGe材料的有效质量来优化接触电阻的技术。最后,通过结合原位掺杂、激光退火和固相外延等先进技术,实现了与CMOS工艺兼容的接触电阻优化集成,满足7/5 nm技术节点的需要。 相似文献
15.
从上世纪50年代开始,几十年来,加固这门新学科在我国发展异常迅速,在混凝土结构抗震加固、危旧房改造及工程事故处理等大量的工程实践中,取得很大的成果。目前我国已颁布了《工业厂房可靠性鉴定标准》(GBJ144—90)、《民用建筑可靠性鉴定标准》(GB50292—1999)、《混凝土结构加固技术规范》(CECS25—90)、《碳纤维片材加固修复混凝土结构技术规程》(CECS146:2003)等规范标准,对加固的基本原则、加固的材料和常用的加固方法及要求、施工安全及工程验收作了规定。 相似文献
16.
17.
针对某型轮式挖掘机发动机排气噪声的频率组成分布在低中高全频段的特点,根据共振腔消声器和扩张室消声器这两种基本消声单元结构特性,提出了一种恰当结合两种基本消声单元结构进行复杂结构抗性消声器设计的方法,使得消声器在全频段具有良好的消声效果,运用GT-power仿真软件对挖掘机发动机和消声器进行了耦合仿真,预测了复杂结构抗性消声器的性能,利用正交实验的方法对消声器内部结构参数进行了优化,最后通过实车测试进行了验证。实验及研究结果表明,所设计的复杂结构抗性消声器声学性能和空气动力性能良好,发动机排气噪声在全频段均有所下降,消声器插入损失平均达到18 d B(A),压力损失在许可范围内。 相似文献
18.
应用主成分分解(PCA)法的图像融合技术 总被引:1,自引:0,他引:1
本文在非多尺度分解的框架下,针对像素级的图像融合,提出了一种基于PCA分解的图像融合算法。该算法利用主成分分解可以保留原数据中的主要信息这一特点,由源图像获取数据的协方差矩阵,协方差矩阵的特征值和特征向量,据此确定图像融合算法中的加权系数和最终融合图像。试验表明,应用该算法融合后的图像取得了满意的效果. 相似文献
19.
20.
在CdTe太阳电池的制备中,采用工艺简单的Te/Cu/Ni结构作为接触来改善CdTe太阳电池的接触特性.采用不同的温度组合对这种结构的CdTe太阳电池进行退火处理.通过热处理前后电池的性能参数变化和暗态I~V、C~V曲线分析了Te/Cu/Ni接触对器件性能的影响.通过分析可以认为Te/Cu/Ni接触的热处理对CdTe太阳电池的性能有重要影响.当Cu退火温度较低时(130 ℃,160 ℃),Te/Cu/Ni的再处理能够显著提高电池效率,使电池最终效率高于Cu高温退火的电池.而Cu退火温度较高时(190 ℃),Te/Cu/Ni的再处理使器件性能变差,且Te/Cu/Ni热处理温度越高,电池性能下降越厉害.实验证明Te/Cu/Ni结构作为CdTe太阳电池的背接触经过合适热处理可能改善电池性能,而且工艺比较简单. 相似文献