适用于阵列波导光栅制作的厚SiO_2陡直刻蚀技术

采用ICP- 98型高密度等离子体刻蚀机进行了厚Si O2 陡直刻蚀技术的研究,利用双层掩膜技术解决了“微掩膜现象”问题,刻蚀获得12 .4 μm的陡直Si O2 光波导剖面,并将这一刻蚀技术用于阵列波导光栅的制作中.     

高性能新结构InGaP/GaAs异质结双极型晶体管

报道了一种采用U形发射极新结构的高性能InGaP/GaAs HBT.采用自对准发射极、LEU等先进工艺技术实现了特征频率达到108GHz,最大振荡频率达到140GHz的频率特性.这种新结构的HBT的击穿电压达到25V,有利于在大功率领域应用.而残余电压只有105mV,拐点电压只有0.50V,使其更适用于低功耗应用.同时,还对比了由于不同结构产生的器件性能的差异.     

基于网络的初中语文综合学习

引言:人教社(七～九年级)的语文实验教材中,有一项全新的内容——综合性学习。它分散在教材的各单元中与阅读课文相并列,共同构成一道亮丽的风景线。因为它是一个全新的领域,所以如何上好综合性学习课,是对每个语文教师的一个挑战。下面介绍一下,我们是如何从八年级(上)第一单元的综合性活动中选择以“战争”为话题的主题,让学生通过类似学者研究的情境,采用自主、合作、探究问题和网络信息与处理等活动,以角色换位的方式,从不同角度对“战争”这一主题进行研究的。基于新课程标准的精神,语文教学侧重在网络环境的支持下,对学生探索精神和创新能力的培养。以下是我对《世界何时铸剑为犁》综合性学习课的教学设想。     

MBE生长的InP DHBT的性能

报道了一种自对准InP/InGaAs 双异质结双极晶体管的器件性能.成功制作了U型发射极尺寸为2μm×12μm的器件,其峰值共射直流增益超过300,残余电压约为0.16V,膝点电压仅为0.6V,而击穿电压约为6V.器件的截至频率达到80GHz,最大震荡频率为40GHz.这些特性使此类器件更适合于低压、低功耗及高频方面的应用.     

采用新的T型发射极技术的自对准InP/GaInAs单异质结双极晶体管的性能

研究了一种采用新的T型发射极技术的自对准InP/GaInAs单异质结双极晶体管.采用了U型发射极图形结构、选择性湿法腐蚀、LEU以及空气桥等技术,成功制作了U型发射极尺寸为2μm×12μm的器件.该器件的共射直流增益达到170,残余电压约为0.2V,膝点电压仅为0.5V,而击穿电压超过了2V.器件的截止频率达到85GHz,最大振荡频率为72GHz,这些特性使此类器件更适合于低压、低功耗及高频方面的应用.     

合金温度对薄基区InGaP/GaAs残余电压和欧姆接触的影响

研究了薄基区HBT合金温度对残余电压Voffset和欧姆接触电阻Rcontact的影响,给出了薄基区HBT的最佳合金温度区域.用肖特基钳位理论解释了合金温度过高导致Voffset偏大的现象.从晶体管基本物理机制推导出Voffset与集电极、发射极面积比Ac/Ae的关系,并用此解释了U形发射极HBT具有较小Ac/Ae的原因,进一步证明了U型发射极结构的优越性.     

新结构复合收集区InGaP/GaAs异质结双极晶体管结构设计及特性

利用电子运动速度过冲现象,设计出了一种新结构复合收集区In Ga P/Ga As异质结双极晶体管.这种结构不仅提高了器件的截止频率,而且降低了影响器件直流性能的补偿电压.所制备器件的截止频率达到77GHz,直流电流增益高达10 0 ,补偿电压低至70 m V .同时,把所制备器件的微波和直流特性与已发表的文献进行了比较,充分显示了这种结构的优越性.     

锯齿型源漏结构的新型InP基HEMT器件

毫米波晶体管的制作技术是微波电路设计和制造的基础.从优化器件结构的角度,提出了一种锯齿型源漏的新型InP基HEMT器件.实验证明,采用这种结构可以减少光刻过程中临近效应的影响,改善源漏的图形形貌,提高器件制做的成品率.获得了具有良好直流和微波特性的晶体管,其跨导达到1050mS/mm,阈值电压为-1.0V,截止频率达到120GHz.     

大规模本体分块与映射研究

针对当前在大规模本体映射方面存在的不足,提出一种新的基于遗传算法的大规模本体分块与映射方法.首先,对本体进行预处理,把本体表示成有向无环图,将本体分块问题转换成图分割问题.然后采用基于遗传算法的GPO( Genetic-Partition-Ontology)算法对有向无环图进行分块,该算法不需要输入分块个数;最后利用基于本体块结构和基于参考点相结合方法找到正确的块映射.理论分析和实验结果表明,本文提出的映射方法能取得很好的结果.     

GaAs的ICP选择刻蚀研究

选择刻蚀在ＧａＡｓ工艺中是非常重要的一步。由于湿法腐蚀存在钻蚀和选择性差,且精度难以控制,因此有必要进行干法刻蚀的研究。虽然采用反应离子刻蚀（ＲＩＥ）、磁增强反应离子刻蚀（ＭＥＲＩＥ）可以进行选择刻蚀,但是这两种方法在挖槽时会对器件造成较大损伤,影响器件性能。感应耦合等离子刻蚀（ＩＣＰ）是一种低损伤、高刻蚀速率高选择比的刻蚀方法,在ＧａＡｓ器件的制造中有突出的优点。本工作进行ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ