低温注入硅片中的锗在快速热处理后的再分布

大剂量(4×1016cm-2)的Ge离子在77K低温下被注入于(100)硅片中,并结合随后的1080℃快速热处理(RTP)以形成Si/SiGe异质结构.用卢瑟福背散射技术和二次离子质谱技术研究注锗硅片退火前后Ge的分布.结果表明,快速热处理退火不仅能使注锗硅片发生固相外延生长,表层形成合金层,而且导致Ge向表面的质量运输.最终出现平台式的Ge分布形态.快速热处理后Ge这种再分布被认为有利于提高HBT的增益和获得表面应变沟道.     

硅基PZT铁电薄膜的界面和表面研究

用高分辨岸民镜等手段研究了溶胶－凝胶（Ｓｏｌ－Ｇｅｌ）工艺制备的硅基Ｐｂ（Ｚｒ,Ｔｉ）Ｏ３（ＰＺＴ）铁电薄膜,发现在ＰＺＴ的上表面生成了ＳｉＯ２,ＰＺＴ与硅衬底的界面处形成了无定型的ＳｉＯｘ层并有铅的沉积,而且热处理温度越高,这种现象越显著。这些结构严重影响了ＰＺＴ铁电薄膜的品质及其应用。在分析上述结构产生机制的基础上提出了Ｓｏｌ－Ｇｅｌ工艺的改进方法。     

硅基PZT压电驱动MEMS光开关的设计与优化

采用压电多层悬臂梁理论分析模型,研究了一种新型PZT压电复合多层膜悬臂梁驱动光开关的机械性能,探讨了结构参数与悬臂梁机械性能的关系及影响光开关机电性能的因素.提出了一种新的硅基PZT压电复合膜悬臂梁驱动光开关的制作方法.给出了25V工作电压下优化的器件结构,并对理论分析结果与压电复合多层膜悬臂梁的有限元耦合场分析结果进行了比较.     

取样光栅的反射谱特性及其应用

本文基于取样光栅的独特反射谱特性，对其作为光子器件如DBR撒光器、波分复用／解复器和光插分复用器的结构图作了探讨。通过比较得知，用取样光栅构成的新型光子学器件比用单纯的光纤光栅构成的光子学器件在未来的密集型波分复用(DWDM)光纤通信系统中更有实用价值。     

扩展资源预留协议的波长选择设计方案分析

主要研究基于路径计算单元( PCE)的波长交换光网络(WSON)中的波长分配问题.提出了PAWA(PCF Assistant Wavelength Assignment)方案,在可能发生冲突的path请求上做标记,来帮助目的节点选择波长,从而避免资源冲突.最后利用离散事件模拟工具OMNeT++进行了仿真分析,相比首次命中(FF)和随机命中(RF),PAWA方案扩展了信令,降低了阻塞率,并没有增加建路延时和资源利用率.     

产品危机过程中的企业间信任关系——记对SK-Ⅱ事件的危机过程分析

随着关系营销理论和实践的发展,企业间信任成为企业间关系发展的重要目的和特征。但大家关注的主要是常态环境下的信任关系,随着产品危机的频繁爆发,很多企业被迫进入危态环境中,本研究以常态下的信任特征为基础,分析了危态下的企业间信任特征,并提出针对性的策略和建议。     

硅基衬底Ba0.5Sr0.5TiO3厚膜制备的Sol-gel新方法

介绍了一种改进的制备压电厚膜的sol-gel新方法,通过添加聚乙烯吡咯烷酮(poly vinyl pyrrolidone,PVP)来抑制厚膜中裂纹的产生.文中讨论了最大无裂纹膜厚与PVP摩尔比及热处理的关系,并给出了BST的SEM显微照片.     

低矫顽力GMR磁传感器及其单畴模型的研究

在硅片上制备结构为Ta/NiFeCr/NiFe/CoFe/Cu/CoFe/IrMn/Ta的IrMn顶钉扎自旋阀薄膜,并最终制成了一组基于此自旋阀结构的GMR磁传感器芯片。利用弱磁场下的退火工艺,改变薄膜易磁化轴的方向,当退火温度为150℃、外加磁场为120Oe时,GMR芯片的矫顽力可以降至0.2Oe以下。同时建立了一种自旋阀自由层的单畴模型,用以解释这一退火效应。利用Mat-lab计算GMR芯片的Meff-H曲线,所得到的计算结果与实验结果一致。所以,自旋阀自由层易磁化轴的方向与GMR磁传感器的性能有着密切的关系。