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51.
根据吉林省农村电网负载率调查结果,研制了适合低负载率地区使用的农网配电变压器。该系列变压器使用在50%负载率下较S9型变压器是节能的,且其制造成本与S9型变压器相当。  相似文献   
52.
针对玻璃微流控芯片制作中普遍存在的成本高、加工周期长等问题,提出了一种基于湿法腐蚀技术的低成本、实用化制作方法。该方法以商用显微载玻片作为基底材料,采用普通负性光刻胶RFJ-220为腐蚀掩模,通过优化光刻及湿法腐蚀工艺,可得到深度大于40μm(最深可达110μm),侧向钻蚀比为1.25:1,表面粗糙度小于5.2nm的微沟道。重点解决了光刻胶与基底之间的粘附性问题,并分析了腐蚀液的配比及腐蚀方式等对沟道形貌的影响。整个制作工艺过程简单,成本低,稳定性好,可广泛应用于玻璃微流控芯片的制作中。  相似文献   
53.
不同量级TNT爆炸冲击波参数相似律实验研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
为研究不同量级的TNT装药爆炸冲击波参数相似律,开展了四种药量TNT静爆实验,获取了不同爆距地面测点的压力-时间曲线,得到了峰值超压、正压作用时间和正压冲量等冲击波参数,并与文献值进行了对比分析.结果表明,冲击波参数均满足爆炸相似律,当比例距离小于3时,实验数据统计规律较差.通过拟合,得到了适用公斤级到百公斤级TNT爆炸的冲击波参数经验公式.  相似文献   
54.
冯杰  李优新  黎勉  王胜强  杨宾 《山西机械》2014,(2):136-138,141
根据混合励磁同步电机的特点,结合空间电压矢量控制算法,提出了一种在额定转速及以下时增大输出力矩的新型控制策略,同时对如何有效增磁以实现低速大力矩的控制算法进行了深入的研究。该控制思想是把电机控制分为常规力矩区与动态增磁区,在不同的区域下采用不同的控制方法,使得电机在整个运行中能表现出良好的动态性能。实验结果表明,所提出的控制策略,能够有效实现电机在额定转速以下力矩大幅的增加,且电机运行稳定,动态性能良好。  相似文献   
55.
用泥鳅作底泥重金属毒性指示生物的研究   总被引:7,自引:0,他引:7  
用泥鳅进行长期暴露试验来评价河流底泥重金属的毒性及生物有效性,实验结果表明:通过死亡率和血红细胞变异程度确定底泥重金属的毒性,利用化学连续提取法将底泥中重金属Cu、Zn、Pb、Cr的可给状态含量和泥鳅体内的重金属累积含量进行相关性分析,二者呈较好的相关性。底泥重金属的污染程度增加,死亡率增加,血红细胞变异程度加大;用泥鳅作底泥重金属毒性及生物有效性的指示生物是可行的。  相似文献   
56.
LPCVD多晶硅薄膜缺陷的形成及消除措施   总被引:2,自引:0,他引:2  
描述了LPCVD多晶硅的常见缺陷及其分类。对缺陷产生的原因进行了分析,找出工艺设置和工艺操作过程容易出现的问题;并针对各类缺陷,提出了相应的解决措施,以达到完全消除缺陷,使工艺技术水平得到提升。  相似文献   
57.
王胜强 《机电信息》2013,(18):90-91
对汽车发动机工作不良、加速不良、回火放炮、爆燃、过热等常见故障的原因进行了分析,并介绍了故障诊断与排除的方法。  相似文献   
58.
 研究了CO2和CH4作为单一组分和混合组分在DDR膜中的吸附平衡。采用GCMC方法模拟了二者在DDR膜中的吸附曲线。结果表明,CO2和CH4单一组分的吸附模型符合Langmuir吸附模型;等摩尔的CO2-CH4混合物在DDR膜中吸附时,二者发生的竞争吸附, CO2的吸附占主要地位。在298K下,模拟得到的CO2和CH4在DDR膜中的吸附平衡常数分别为0.0081和0.0033 (kPa)-1,与文献值0.0089 和0.0029 (kPa)-1吻合良好,说明模拟所采用参数的准确性。  相似文献   
59.
为了研究TNT装药在坑道内爆炸的热效应,开展了1kg和3kg两种质量的TNT药柱在长直坑道内的爆炸试验,采用WRe 5/26热电偶获取了不同爆心距处的响应温度—时间曲线,分析了温度峰值和传播速度随距离变化的规律,以及装药质量对温度峰值和热作用持续时间的影响。结果表明,由于爆炸产物的二次反应,响应温度在上升过程中存在一个延迟台阶;温度峰值和火球传播速度随着爆心距的增加均呈"下降-上升-下降"趋势,上升段位于8~11倍坑道等效直径段,1kg TNT装药坑道内爆炸火球传播速度在上升段达到最大值,为24.69m/s,在最末段速度降至最低,为4.88m/s;1kg TNT和3kg TNT药柱对应的响应温度峰值分别为406℃和575℃,响应温度平均持续时间分别为2.20s和3.30s;试验条件下,相同爆心距处的温度峰值之比和持续时间之比均近似等于两种装药质量的立方根之比。  相似文献   
60.
介绍了一种基于刻蚀的SOI深槽介质隔离(DTI)工艺。该工艺采用BOSCH刻蚀、兆声清洗、多晶硅回填、刻蚀平坦化等技术,制作流程简单。其介质隔离击穿电压可以根据电路的需要进行调整,并可根据氧化层厚度进行预测。其介质隔离漏电流极低。  相似文献   
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