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201.
<正> 我国钨矿资源丰富,矿床多样,有单一的黑钨或白钨矿床;黑、白钨共生的矿床;还有伴生着钼、铋、铜、铅、锌、锡、钽铌等金属的钨矿床。目前我国钨精矿的年产量占世界总产量的40%,居世界之冠。在国际市场上有举足轻重的地位。因此,提高钨精矿及其制品的质量具有现实意义。  相似文献   
202.
食品中李斯特氏菌污染的调查报告王豫林,安永群,刘晓朋,王红重庆市卫生防疫站(630042)1992年2月至8月、我们开展了对食品中李斯特氏菌污染的调查,现将结果报告如下。1材料与方法1.1检品来源检品均采自市售食品,236件检品中包括奶制品19件,凉...  相似文献   
203.
针对传统电容储能脉冲电流电路存在的问题,本文结合高温超导储能技术,提出了一种利用非线性电阻和高温超导脉冲变压器转换放电的脉冲功率电源。对该脉冲电源的工作过程进行了理论分析,分析结果表明提高非线性电阻的转变电压和脉冲变压器变比能提高系统的效率。为了验证该脉冲电源的可行性,设计了一个采用高温超导Bi2223/Ag带材和铜带绕制的小型脉冲变压器进行实验,实验结果和仿真结果基本一致,验证了该放电模式具有较高的能量传递效率和电流上升率。  相似文献   
204.
有机硅材料是当前化学工业重要的新型功能材料,应用在化工、纺织等行业领域能显著地改善相关产品的使用性能.为了开发一种具有优良服用性能的有机硅精细化工产品,使纺织品的柔软、滑爽、光亮等特性显著提高,我们使用八甲基环四硅氧烷、氨乙基氨丙基甲基二甲氧基硅烷等原料进行氨基改性有机硅乳液聚合,在对乳液聚合过程中可能的影响进行分析后...  相似文献   
205.
采用常规的电子陶瓷工艺制备了Co0.04W0.96O3多晶陶瓷,并对样品进行了微观形貌、相结构及Ⅰ-Ⅴ特性测试分析,发现Co0.04W0.96O3多晶陶瓷存在着奇特的负微分电阻特性.微分电阻随电场变化的曲线图揭示了CoW缺陷有着与众不同的特点,正是这种缺陷的存在使得多晶陶瓷具有负微分电阻特性.主要讨论了Co0.04W0.96O3多晶陶瓷负微分电阻特性的产生机制,并提出了二次势垒模型.  相似文献   
206.
介绍了基于虚拟仪器的脉冲信号测试系统的硬件平台和软件设计,并通过超导磁体对负载脉冲输出验证了系统功能。实验结果表明,该系统在上位机能够动态地显示所采集信号的数据和波形,并可以将采集到的数据保存下来,满足了设计和使用要求。  相似文献   
207.
针对多重化电容储能型脉冲系统的需求,设计了一种基于现场可编程门阵列FPGA(Field Programmable Gate Array)的大功率IG-BT(Insulated Gate Bipolar Transistor)驱动触发系统,介绍了其设计思想和实现电路。该系统可实现远程控制或本地控制,能够产生多路频率、脉宽和延时独立可调的脉冲信号,并在此基础上与常用大功率IGBT驱动芯片2SD315A配合进行了触发实验,用于驱动3300V/1200A大功率IGBT。实验结果表明该触发系统具有良好的可调性,可满足脉冲系统中IGBT对触发信号的要求,能有效提高脉冲系统的可控性。  相似文献   
208.
采用常规的电子陶瓷工艺制备了Co0.04W0.96O3多晶陶瓷,并对样品进行了微观形貌、相结构及I-V特性测试分析,发现Co0.04W0.96O3多晶陶瓷存在着奇特的负微分电阻特性。微分电阻随电场变化的曲线图揭示了Co′W′′缺陷有着与众不同的特点,正是这种缺陷的存在使得多晶陶瓷具有负微分电阻特性。主要讨论了Co0.04W0.96O3多晶陶瓷负微分电阻特性的产生机制,并提出了二次势垒模型。  相似文献   
209.
研究了CuO掺杂对WO_3压敏电阻微结构和电学行为的影响,样品采用传统的陶瓷工艺制备.微结构通过扫描电子显微镜(SEM)观察,相结构和成分借助于X射线衍射(XRD)和能谱(EDS)进行分析.结果表明,微量的CuO掺杂能够促进WO_3陶瓷的致密化和晶粒生长.根据I-V特性测量结果,0.2%(摩尔分数)CuO掺杂的WO_3陶瓷具有线性伏安特性和极小的电阻率.CuO含量的继续增加使样品的非线性电学行为和电阻率又获得恢复,这是因为偏析于晶界处的CuO与两侧的晶粒形成了n-p-n型的双肖特基势垒.  相似文献   
210.
随着软件技术的快速发展,面向领域的软件系统在广泛使用的同时带来了研究与应用上的新挑战.由于领域应用对安全性、可靠性有着很高的要求,而符号执行和模糊测试等技术在保障软件系统的安全性、可靠性方面已经发展了数十年,许多研究和被发现的缺陷表明了它们的有效性.但是,由于两者的优劣各有不同,将这两者相结合仍是近期热门研究的话题.目...  相似文献   
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