降氟除氟技术措施推广应用示范研究效果评估

目的 了解示范村降氟除氟技术措施实施效果,为降氟除氟技术措施的推广应用提供科学依据.方法 对6个示范村降氟除氟技术设施的质量抽查,检查8～12岁儿童氟斑牙、成人氟骨症病情、检测空气氟和尿氟,测试居民和儿童地氟病防治知识知晓情况.结果 6个示范村炉灶改造落实率为96.76%.炉改造合格率为97.00%,炉正确使用率为98.00%;灶改造合格率为97.70%、灶正确使用率为96.70%.儿童氟斑牙检出率为67.00%,缺损率为10.40%,氟斑牙指数为1.49;成人氟骨症无变化.居民与学生地氟病防治知识知晓率分别为86.40%、96.90%.空气氟旺火期0.005 9 mg/m<'3>,封火期0.002 8 mg/m<'3>.尿氟检测306份,中位数为0.69 mg/L.结论 在课题实施3年后,示范村炉灶落实率、炉灶合格率、炉灶正确使用率显著提高,降氟除氟技术措施实施达到预期效果.     

钻采仪器信号采集Windows应用程序运行机制及编程方法

在研究基于32位APIWindows应用程序内部运行机制的基础上,进行了基于MFC对话框Windows应用程序内部运行机制的研究,总结出消息32位API应用程序采取消息循环和MFC应用程序采取消息映射的特点。在分析DMA高速数据采集程序原理基础上,介绍了相应的编程方法。     

两种重接型电磁推进模式的仿真比较分析

主要介绍了重接型电磁推进装置的基本原理以及改进后的两种驱动模式.在此基础之上,通过应用电磁场有限元分析软件Ansoft的三维瞬态电磁场计算功能,在每种驱动模式下建立了两个具有不同驱动线圈个数的有限元模型,在保证其他电路参数相同的情况下仿真.仿真计算之后分组比较其驱动力、抛体速度和驱动电流.通过分组比较得出多极矩模式在一定程度上要优于多翼模式的结论.     

高锰钢加工硬化规律和机理研究

研究了从20J/cm^2到250J／cm^2等一系列冲击载荷作用下,高锰钢的加工硬化规律,结果表明,只有在冲击载荷大于200J/cm^2时,才能发挥出最高的加工硬化效果,在加工硬化状态下,薄膜透射电镜观察和X射线结构分析未发现形变诱发马氏体存在,说明高锰钢的加工硬化机理是在外力作用下,在奥氏体中产生高密度的位错。     

碳铬系合金耐磨钢试验研究

研究了碳铬含量对碳铬系合金铸钢硬度、冲击韧性及耐磨性的影响。试验结果表明 ,碳铬系铸钢的耐磨性是高锰钢的1～2倍。碳量增加时 ,硬度及耐磨性提高 ,冲击韧性降低 ;当碳量增加相同铬量增加时 ,硬度变化不大 ,冲击韧性升高 ,耐磨性也有所提高。可以通过调整碳铬含量 ,实现硬度及韧性的良好配合以满足不同磨擦工况下易损件对力学性能的要求 ,达到最佳的耐磨效果。     

数控钻机PLC系统应用程序的消息映射和时间标签的编程方法

数控钻机PLC系统通常用厂家的编程软件如SIEMENS ProTool或WinCC等进行HMI人机界面的组态,为不受编程软件的组态限制,在工控机上采用SIEMENS SlotPLCs插槽式PLC,通过其开放的ODK系统使用VC＋＋编程语言开发集控制、应用和高端程序于一体的管控一体化软件系统,总结这种编程方法,并应用在中石化赴关的70DB数控钻机控制系统的设计上,取得良好效果。     

徐州汉服文化与旅游资源价值及发展策略研究

随着21世纪以来中华民族的文化复兴,汉服文化被一个以"穿着汉服"为主要实践的新兴文化群体所倡导和发展.汉服文化的主要内容就是汉服,其显著的旅游价值不容忽视.以徐州地区为例,在徐州主打两汉文化旅游的基础上,发掘汉服的旅游价值,提出具体的发展策略.分析了汉服产业与徐州旅游业结合时应注意的问题.     

W18Cr4V高速钢基体的TiN化学气相沉积

研究了气体总流量、沉积温度、TiCl4蒸发温度、氮氢比等工艺参数对W18Cr4V高速钢基体TiN沉积速率的影响。确定了沉积过程分别为扩散控制区和表面过程控制区的试验条件。在表面过程控制区域,测定了本试验条件下W18Cr4V钢基体TiN化学气相沉积的表面过程表观活化能值为137．23kJ／mol。     

脉冲准分子激光CuO－SnO_2薄膜沉积及其结构分析

采用脉冲准分子激光沉积（ＰＬＤ）技术，分别在Ｓｉ（１１１）单晶及玻璃基片上外延沉积了具有高ａ轴（２００）取向的ＣｕＯ掺杂的ＳｎＯ２薄膜。Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）及透射电镜（ＴＥＭ扫描附件）分析表明：在Ｓｉ（１１１）片上沉积，４００～５００℃退火温度处理的薄膜，只有（２００）峰存在；当退火温度升高到６００～７００℃时，ＳｎＯ２的其余诸峰相应出现，薄膜呈多晶态，取向度降低，晶粒尺寸变大，晶粒分界明显．在玻璃基片上沉积的薄膜，经４００℃低温处理后，（２００）取向度很小；随着退火温度的升高，达到５００℃时薄膜呈高ａ轴（２００）取向生长，结晶度较好，晶粒分布均匀．     

GaAs中子嬗变掺杂热退火的沟道效应分析

中子嬗变掺杂是一种新掺杂方法,能将掺杂剂均匀分布引入晶体内。如GaAs在热中子作用下其同位素被激活为放射性核素,β衰变后变成稳定的Ge和Se,在此晶体作为施主杂质。辐照中晶格原子受到高能粒子的反冲,使晶格结构紊乱,经退火得到恢复后,杂质原子才能起载流子作用。将未掺杂的GaAs单晶在轻水堆中照射,冷却后的晶体按〈100〉定向切片,经抛光清洁处理后在氢气氛下进行等时(30分钟)不同温度400—800℃的热退火。利用1.5MeV