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<正> ISFET虽然具有重量轻、体积小、响应快以及易于实现集成化和多功能化等特点而倍受人们的重视,但是这类器件还存在着漂移和滞后量大等不足,影响了测量精度。众所周知,对于一价离子,如按Nernst公式估算,每1mV的测量偏差大约相当于4%的浓度误差或2%的pX误差(pX=-logα_x)。对于二价离子,则误差将加倍。实际测量中温漂和滞后是比较明显的。例如pH-ISFET的温漂可达几mV/℃,滞后达数mV到十几mV,器件的时漂约为0.1~1mV/h。值得指出的是pH-ISFET的响应分为快响应和慢响应两部分,前者响应极快,一般在ms数量级,而后者可能长达数小时之久,在此期间器件的输出明显地随时间变化。由此可见, 相似文献
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本文介绍了氢离子敏场效应晶体管的温度特性,分析了敏感膜-溶液间的界面电势差及其温度系数,并采用线性近似法提出了反映溶液pH 值与输出电压、温度和器件常数之间关系的表达式。介绍了一种可以测量pH 值与温度的微机温度补偿系统。采用温度特性已知的标准缓冲液标定常数后,就可对待测液进行测量。标定与测量均可自动进行。研究表明该系统可以在pH 值很宽的范围进行补偿。在pH4.00、6.86与9.20标准缓冲液中,温度由5℃变至45℃过程中,温度造成的误差仅为未补偿时的1/40,相当于0.001PH/℃。 相似文献
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通过实验,证明了n/n~ 外延层经Sirtl浸蚀剂浸蚀后,所形成的“雾状”微缺陷,可导至p-n结的软击穿和低击穿,是降低器件成品率的重要原因之一.针对此种情况,提出了三种在外延层正面吸除杂质的方法:氧化-剥层-腐蚀法,硼扩散结吸收法及磷硅玻璃吸取等,并探索了其工艺条件.实践证明,三种措施都可在不同程度上降低外延层中“雾状”微缺陷的影响而提高器件成品率.为从根本上消除外延层中的“雾状”微缺陷,试建了一套亮片生产工艺,可将外延层中“雾状”微缺陷的密度,降到远低于10~5厘米~(-2)以下而获得亮片.在用此类外延片制作器件时,其管芯成品率可成倍提高. 相似文献
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作为质管理原则之一,"管理的系统方法"是检测实验室实现质量目标最有效的方法。本文通过对"管理的系统方法"和系统思考等问题的浅析,阐述了"管理的系统方法"在检测实验室质量管理中的应用。 相似文献
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