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针对北方供暖期的弃风问题,在传统电-热联合系统的基础上,建立了横向电-热互补、纵向"源-网-储"的电-热综合能源系统.系统充分考虑了供热网的热动态特性和储电、储热两种形式的储能装置,在满足电、热需求的情况下,建立以最小运行成本为目标的优化运行模型.模型在Matlab中调用YALMIP工具箱和CPLEX求解器进行求解.通过算例仿真,分析了供热网的热动态特性和储能装置对系统运行成本和弃风量的影响.并讨论了不同储能配置下,储能投资成本对系统的影响,验证了模型的合理性. 相似文献
132.
133.
金属基纳米复合材料(MMNCs)兼有高的强度和良好的韧性,是金属基复合材料(MMCs)的一个重要发展方向。但是,无论是采用液相铸造法还是固相烧结法,欲制备纳米颗粒增强的块体金属基复合材料均相对困难。综述了国内外制备块体金属基纳米复合材料的工艺原理、结构特征和主要性能,并展望了其发展和应用前景。 相似文献
134.
TiO2是较为成熟的半导体光催化材料,但因TiO2分散性差、量子利用率低、比表面积小、难回收等问题难以工业化.多孔金属有机框架(MOFs)的引入可增强TiO2/MOFs复合材料的光吸收性能,提高电子-空穴对分离效率和提高回收率.基于TiO2/MOFs制备时前驱体添加顺序不同,综述了TiO2/MOFs的3种制备方法(即Ship-in-a-bottle法、Bottle-around-ship法、One-pot法)及TiO2/MOFs光催化机理与性能影响因素,并探讨不同MOFs与TiO2结合的作用机理.最后,对TiO2/MOFs存在的问题提出建议. 相似文献
135.
136.
近年来,在节能减排背景之下,国内外众多研究者对无取向电工钢磁性能的提升做了大量研究。为了探索无取向电工钢磁性能提升的方法,对锡或锑对无取向电工钢磁性能的作用机制(晶粒尺寸和晶体织构的控制)进行分析。基于该作用机制,介绍锡或锑的添加对无取向电工钢磁性能的影响。经研究发现,适量的锡或锑在晶界偏聚,不会阻碍晶界的移动并且致使晶粒尺寸降低;与此同时,锡或锑在晶界偏聚不仅抑制{111}织构在原始晶界处形核及生长,还降低(100)晶粒表面能,促进(100)晶粒生长。因此,适量添加锡或锑,可使无取向电工钢铁损下降、磁感提升。最后结合生产工艺,建议无取向电工钢的研究方向应为稀土含量对高牌号无取向硅钢夹杂物尺寸和数量分布的影响,锡或锑的添加量和常化工艺参数(常化时间、常化温度)对常化晶粒尺寸的影响。 相似文献
137.
用连铸球铁棒材制造ADI齿轮 总被引:2,自引:1,他引:2
用连铸球铁棒材做ADI齿轮毛坯的生产试验表明,连铸球铁棒材无宏观铸造缺陷、晶粒细小、组织致密、球墨细小圆整、成分分布均匀,产品质量稳定。 相似文献
138.
本文研究了不同的热处理工艺对BT9钛合金的疲劳寿命和高温持久强度的影响,并对其组织、断口进行了光学和电子金相分析。指出了获得良好的综合机械性能的热处理工艺,并讨论了在不同区域内疲劳裂纹扩展的方式。 相似文献
139.
瓦楞辊是我厂瓦辊纸板生产线(以下简称瓦线)上的关键部件,而瓦楞辊的热处理硬度又是考核瓦楞辊质量指标的重要参数,其硬度的高低直接影响到瓦楞辊的寿命,影响到瓦线的开停机时间。为此,我厂和机械部北京机电研究所合作,研究出提高瓦楞辊使用寿命和承载能力的热处理工艺。为此,配置了320kw、8000Hz的中频电源及4m淬火机床,选购了180A的十1000×4000mm离子渗氮炉,又配套购置了190kw的1000×4000mm井式炉和台车式回火炉。可对直径小于400mm,长度4000mm以下的瓦楞辊进行离子诊氮-和表面感应淬火的复合热处理,并可对直径小于1000mm… 相似文献
140.
Copper wire, serving as a cost-saving alternative to gold wire, has been used in many high-end thermosonic ball bonding applications. In this paper, the bond shear force, bond shear strength, and the ball bond diameter are adopted to evaluate the bonding quality. It is concluded that the ef/~cient ultrasonic power is needed to soften the ball to form the copper bonds with high bonding strength. However, excessive ultrasonic power would serve as a fatigue loading to weaken the bonding. Excessive or less bonding force would cause cratering in the silicon. 相似文献