Composition-dependent optical transitions and 2.0 μm emission properties of Ho~(3+) in xGeO_2-(80-x)TeO_2-9.5ZnF_2-10NaF-0.5Ho_2O_3 glasses

Ho3+ doped glasses with various compositions xGeO2-(80-x)TeO2-9.5ZnF2-10NaF-0.5Ho2O3(x=0,10,20,30,40,50,60,70 and80) were prepared by a melt-quenching technique.The composition-dependent optical transition properties of Ho3+ were investigated in theframework of Judd-Ofelt theory.The emission cross sections for 5I7→5I8 transition of Ho3+ in these glasses were calculated according toMcCumber theory,and their compositional dependence was discussed.A simple method was proposed in calculating the emission cross ...     

扭转型张力转角传感器

综述了各种纱线张力测量传感器的优缺点,发明了一种全新的扭转型张力转角传感器,基于霍尔效应原理和独特的机械结构研制的一种高精度的纱线张力测量传感器.机械结构部分主要以游丝产生回复力,使传感器转轴能准确而平稳地回到起始位置点.     

真空液相重结晶法改善InSb薄膜的组织和性能

利用真空下氩气保护液相重结晶的方法,对热蒸镀和磁控贱射制得的Insb薄膜进行热处理.X射线衍射和组织分析的结果表明：热处理前薄膜为Insb,In,Sb各相的混合物;重结晶后,基本为InSb单相,InSb晶粒呈规则状外形长大.热处理后室温下的电子迁移率大大提高,由原来的1.31×10⁴ cm²/（V·s）提高到4.47×10⁴ cm²/（V·s）（热蒸镀）和2.15×10³ cm²/（V·s）提高到2.04×10⁴ cm²/（V·s）（磁控溅射）.     

一种消除磁阻脉冲传感器温度影响的新方法

提出了一种克服外界缓变物理量（如温度）对半导体型脉冲传感器影响的电压跟随比较法.与传统的电压直接比较法相比,该方法只跟随传感器触发的正弦波原始信号的变化趋势,与外界缓变物理量温度等的变化无关;然后整形成矩形彼,有效地消除了温度漂移的影响,提高了传感器的稳定性.此外,还分析了信号处理电路中各参数的选取及注意事项等.     

黑大蒜发酵过程中功能性成分以及抗氧化活性的动态变化研究

采用五阶段发酵法制备黑大蒜,并研究了发酵各阶段黑大蒜的功能性成分的动态变化。结果表明,第一阶段是还原糖含量、抗氧化物质和活性的增强阶段,还原糖含量、总多酚含量、总黄酮类含量、DPPH自由基清除能力以及FRAP铁还原抗氧化力相比新鲜大蒜分别增加了12、4、7、7、7倍;第二阶段是大蒜中的蒜氨酸转换为S-烯丙基-L半胱氨酸亚砜的过程,S-烯丙基-L半胱氨酸亚砜的含量比新鲜大蒜增加了12倍;第三阶段是促进大蒜转变为\     

大体积混凝土温度裂缝防治的研究

大体积混凝土开裂的问题是建筑施工中一个普遍性的技术问题。裂缝一旦形成,特别是基础贯穿裂缝出现在重要的结构部位,危害极大,它会降低结构的耐久性,削弱构件的承载力,同时可能会危害到建筑物的安全使用。本文分析大体积混凝土裂缝的产生原因,然后通过实际案例提出具体的防裂措施。     

赤泥堆存的力学特性

从赤泥的产生入手分析赤泥堆存的力学特性。指出不同铝矿及不同生产方式产出的赤泥的化学成分不同,粒级不同,力学特性会有很大差异,认为赤泥堆场应根据各氧化铝厂的具体情况确定设计方案。     

新型磁敏微位移传感器的研制

随着工业自动化的提高,纺织业,机器人,列车轨迹检测,工程中的桥梁中需要高精度抗干扰能力强的位移传感器,位移传感器工业有了突飞猛进的发展。为应对当前工业中迫切要求的高精度、低误差且抗干扰性强的微位移传感器,我们提出了基于单片机的磁敏微位移传感器,可有效高精度地量工业中0~20毫米的位移,本文介绍该传感器的结构及工作原理,讨论了各个部件之间的关系及实现过程。     

基于TMR的二线制角度传感器设计

隧道磁阻(TMR)相比于传统磁敏感元件具有功耗低、体积小、灵敏度高、温度特性好等优点.基于TMR芯片设计的两线制非接触式角度传感器,遵循低功耗原则设计了硬件电路,软件上完成对芯片输出正弦曲线的修正和角度的校准,通过XTR115芯片实现了工业二线制4～20 mA标准输出,能对360°全角度进行精确测量.实验证明:该角度传感器精度达到设计要求,特别适用于需要远距离传输信号的工业现场.     

TMR效应在时栅传感器中的应用

现有时栅主要还是利用变耦合系数变压器的原理,采用缠绕感应线圈于测头上的方法来提取测头与齿之间磁耦合系数变化的信号。但实验表明：这种方法所提取到的电信号相对较弱而且检测距离极小。为了解决上述问题,又提出一种基于隧道磁阻（ TMR）磁性隧道结的信号提取方法,TMR是一种对于微弱磁场变化有着极高灵敏度的磁阻效应,在实验中通过这种方法取得了良好的效果,提高了检测距离以及信号幅值。